ISL6529 , ISL6529A
绝对最大额定值
UGATE , LGATE , DRIVE2 ,. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至12VCC
5VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 7V
12VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14V
FB , FB2 ,COMP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。类为4kV
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
NA
QFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
5
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
工作条件
电源电压上5VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 %
电源电压上12VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±10 %
电源电压漏上的MOSFET。 。 。 + 3.3V至+ 5V ± 10 %
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
为
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
额定电源电流12VCC
额定电源电流5VCC
上电复位
瑞星5VCC阈值
落5VCCThreshold
瑞星12VCC阈值
落12VCCThreshold
推荐工作条件,除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CC
UGATE , LGATE和DRIVE2开放
UGATE , LGATE和DRIVE2开放
-
-
2.7
3.5
3.0
4.5
mA
mA
12VCC = 12V
12VCC = 12V
5VCC = 5V
5VCC = 5V
4.25
3.75
9.6
9.3
4.4
3.82
10.3
9.6
4.5
4.0
10.8
10.2
V
V
V
V
振荡器和软启动
自由运行频率
斜坡幅度
软启动间隔
参考电压
参考电压
系统精度
V
REF
ISL6529C
ISL6529AC
PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
FB输入电流
补偿高输出电压
补偿低输出电压
COMP高输出,源电流
增益带宽积
SR
I
I
V
OUT
高
V
OUT
低
I
OUT
高
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
V
FB
= 0.8V
-
-
-
-
3.0
-
-2.5
80
15
6
20
4.5
0.5
-6.8
-
-
-
150
-
1.0
-
dB
兆赫
V / μs的
nA
V
V
mA
-
-2.0
-1.0
0.800
-
-
-
+2.0
+1.0
V
%
%
F
OSC
DV
OSC
T
SS
550
-
3.1
600
1.5
3.45
650
-
3.75
千赫
V
P-P
ms
5
FN9070.5
2005年4月12日