ISL6525
数据表
2004年12月27日
FN4998.3
降压和同步整流器器
脉宽调制（ PWM ）控制器
该ISL6525提供完整的控制和保护的
的DC-DC转换器用于高性能优化
微处理器应用。它被设计用来驱动两个
N沟道MOSFET的在同步整流降压
拓扑结构。该ISL6525集成了所有的控制，输出
调整，监控和保护功能集成到一个单一的
封装。为PGOOD信号的可编程延迟时间
使得它特别适用于VTT调节VRM8.5
应用程序。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至1.20V ，以最大耐受
±1%
在温度和线电压变化。
该ISL6525提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一
200kHz的自由运行的三角波振荡器，
可调从下面50kHz至1MHz的多。错误
扩增fi er设有一个15MHz的增益带宽积和
6V / μs压摆率使转换器的高带宽
快速的瞬态性能。由此产生的PWM占空比
范围从0 ％到100％ 。
该ISL6525防止过流条件，
抑制PWM操作。该ISL6525监视当前
通过使用R
DS （ ON）
上MOSFET免去了
需要一个电流传感电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％占空比
出色的输出电压调节
- 1.20V内部参考
-
±1%
在线路电压和温度
可编程延迟PGOOD信号
过电流故障监控器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用的MOSFET
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
14引脚， SOIC封装
无铅可（符合RoHS ）
应用
电源的各种微处理器
VTT法规的VRM8.5
订购信息
产品型号
ISL6525CB
ISL6525CBZ
（见注）
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
0到70
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
高功率5V至3.xV DC- DC稳压器
低电压分布式电源
引脚
ISL6525
（ SOIC ）
顶视图
RT
OCSET
SS
COMP
FB
GND
1
2
3
4
5
6
14 DELAY
13 VCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9
8
UGATE
相
*添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
PGOOD 7
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001年， 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6525
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
启动电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
117
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（导线头只）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
启用 - 输入阈值电压
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考
参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
上栅漏
更低的栅极源
更低的栅极漏
保护
OCSET电流源
软启动电流
PGOOD延迟
放电电流源
NMOS栅极阈值电压
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
EN = V
CC
; UGATE和LGATE开放
EN = 0V
-
-
5
50
-
100
mA
A
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
-
8.2
0.8
-
-
-
-
1.27
10.4
-
2.0
-
V
V
V
V
R
T
=打开，V
CC
= 12
6kΩ <
T
到GND < 200kΩ的
V
OSC
R
T
=打开
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
1.188
1.20
1.212
V
-
GBW
SR
COMP = 10pF的
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
V
BOOT
- V
相
= 12V, V
UGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
V
CC
= 12V, V
LGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
350
-
300
-
500
5.5
450
3.5
-
10
-
6.5
mA
W
mA
W
I
OCSET
I
SS
V
OCSET
= 4.5VDC
170
-
200
10
230
-
A
A
5.5
-
10
2
14.5
-
A
V
3
FN4998.3
2004年12月27日
ISL6525
典型性能曲线
80
R
T
上拉
TO + 12V
I
VCC
（MA ）
70
60
C
门
= 3300pF
50
40
30
20
10
0
100
200
C
门
= 10pF的
C
门
= 1000pF的
电阻值（kΩ ）
1000
100
R
T
下拉
到V
SS
10
10
100
开关频率（kHz ）
1000
300 400 500 600 700 800
开关频率（kHz ）
900
1000
图1。R
T
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
RT（引脚1 ）
该引脚提供振荡器开关频率的调整。
通过将电阻器（R
T
）从这个引脚GND ，标称
在200kHz的开关频率是根据增加
下面的等式：
5
10
Fs
≈
200kHz
+ --------------------
-
R
T
(
k
)
6
GND （引脚6 ）
信号地为IC 。所有电压电平被测量以
对于这个引脚。
PGOOD （引脚7 ）
PGOOD是用于指示状态的漏极开路输出
该转换器的输出电压。该引脚被拉低时，
该转换器的输出不属
±10%
该组电压。一
延迟时间可以使用DELAY引脚被编程（销
14）。更多信息请参见引脚14的描述。
(R
T
到GND）
相反，连接一个上拉电阻器（R
T
）从这个引脚
V
CC
根据该降低开关频率
下面的公式：
4
10
Fs
≈
200kHz
– --------------------
-
R
T
(
k
)
7
PHASE （引脚8 ）
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极。这
销是用来监视MOSFET两端的电压降
对于过电流保护。该引脚还提供回报
路径上的栅极驱动器。
(R
T
至12V ）
UGATE （引脚9 ）
连接UGATE给上MOSFET的栅极。该引脚
提供了用于上部MOSFET的栅极驱动器。
OCSET （引脚2 ）
连接一个电阻（R
OCSET
）从这个引脚的漏
上MOSFET 。
OCSET
，内部200μA电流源
(I
OCS
），以及上部MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
）集
根据变频器过流（ OC ）跳变点
下面的等式：
I
OCS
R
OCSET
I
PEAK
= -------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
BOOT （引脚10 ）
该引脚提供偏压到上部MOSFET驱动器。
自举电路可以用来创建启动电压
适合驱动一个标准的N沟道MOSFET 。
PGND （引脚11 ）
这是电源的接地连接。配合较低的MOSFET
源到该引脚。
过电流脱扣循环软启动功能。
SS （引脚3 ）
此引脚与地之间连接一个电容。该电容，
随着内部10μA电流源，设置软
启动转换器的间隔。
LGATE （引脚12 ）
LGATE连接到较低MOSFET栅极。该引脚
提供了较低的MOSFET的栅极驱动器。
VCC （引脚13 ）
提供12V偏置电源为芯片到该引脚。
COMP （引脚4 ）和FB （引脚5 ）
COMP和FB是错误的可用的外部引脚
扩增fi er 。 FB管脚是错误的反相输入端
扩增fi er和COMP引脚扩增fi er输出错误。
这些引脚用来补偿电压控制
该转换器的反馈环路。
4
DELAY （引脚14 ）
该引脚用于编程PGOOD的延迟（引脚7 ）
通过将电容器该引脚与GND之间或信号
VCC 。外部电容器只延迟的上升沿
FN4998.3
2004年12月27日
ISL6525
PGOOD信号，而不是下降沿。内部迟滞
保证PGOOD的无干扰的过渡。请参阅
更多的编程PGOOD延迟时间段
信息。
过电流保护
过电流保护功能，从一个所述转换器
短路输出通过使用上的MOSFET的导通电阻，
r
DS （ ON）
监测电流。这种方法提高了
转换器的EF网络效率并消除了降低成本
电流传感电阻器。
在过电流函数的周期的软起动功能
打嗝模式，以提供故障保护。电阻（R
OCSET
)
计划过电流跳闸水平。内部200μA （典型值）
电流吸收器开发R两端的电压
OCSET
就是说
参考V
IN
。当跨越上部MOSFET的电压
（也参考V
IN
）超过R两端的电压
OCSET
,
过电流启动功能，软启动序列。该
软启动功能放电
SS
以10μA电流吸收器和
抑制PWM操作。软启动功能，充电
SS
,
和PWM操作恢复与夹紧误差放大器
给SS的电压。如果过载而发生充电
C
SS
，软启动功能抑制PWM操作，同时充分
充电
SS
到4V ，以完成其周期。图4示出了本
操作过载状况。需要注意的是，在该特定
应用中，电感器电流增加至超过15A时
了C
SS
充电的时间间隔，并导致过电流跳闸。该
转换器消耗很少的电力使用此方法。该
测得的平均输入功率为图1的条件4是
2.5W.
功能说明
初始化
该ISL6525在收到电力的自动初始化。
输入电源的特殊排序是没有必要的。该
上电复位（ POR）功能持续监控输入
电源电压。 POR监视偏置电压处于VCC
销和所述输入电压（V
IN
）上OCSET销。上水平
OCSET等于V
IN
少一个固定的电压降（见过
电流保护） 。上电复位功能启动软启动
两个输入电源电压后，运行超过其POR
阈值。操作采用单+ 12V电源，V
IN
和V
CC
是等价的+ 12V电源必须
超过VCC上升的门槛前，上电复位开始运行。
软启动
上电复位功能启动软启动序列。内部
10μA电流源充电的外部电容（C
SS
）上
SS引脚为4V 。软起动钳位误差放大器的输出
（ COMP引脚）和参考输入（ +误差放大器的终端）
SS引脚电压。图3示出了具有软起动的时间间隔
C
SS
= 0.1μF 。最初在误差放大器的钳位器（COMP
引脚）控制转换器的输出电压。在t
1
在图3中，
SS电压达到振荡器的三角之谷
波。振荡器的三角波进行比较的
斜坡误差放大器的电压。这会产生相
增加的宽度的脉冲，其对输出电容充电（多个） 。
增加脉冲宽度的间隔继续吨
2
。同
充分的输出电压，所述参考输入钳位
控制输出电压。这是叔之间的间隔
2
和
t
3
在图3中在t
3
SS电压超过基准
电压和输出电压处于调节状态。该方法
提供了一种快速和受控的输出电压的上升。
软启动
输出电感
4V
2V
0V
15A
10A
5A
0A
时间（ 20毫秒/ DIV ）。
图4.过电流运行
软启动
(1V/DIV.)
过电流的功能将在峰值电感器电流跳闸
(I
峰）
由下式确定：
产量
电压
(1V/DIV.)
I
OCSET
R
OCSET
I
PEAK
= --------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
0V
0V
t
1
t
2
t
3
时间（毫秒/ DIV ）。
图3.软启动间隔
在那里我
OCSET
是内部OCSET电流源（ 200μA
- 典型值） 。业主立案法团行程点的变化主要是由于
MOSFET的
DS （ ON）
的变化。为了避免过电流跳闸
在正常的工作载荷范围内，网络连接届第r
OCSET
电阻器
从上面的等式：
1.最大R
DS （ ON）
在最高结温。
5
FN4998.3
2004年12月27日
QQ：2881677436 复制
