ISL6524
数据表
2005年4月18日
FN9015.3
VRM8.5 PWM和三线性电源
系统控制器
该ISL6524提供了电源控制和保护
在高性能微处理器四个输出电压
和计算机应用。该IC集成了一个PWM
控制器和三个线性控制器，以及
监视和保护功能集成到一个28引脚SOIC
封装。 PWM控制器调节微处理器
核心电压，具有同步整流的降压转换器。
一个线性控制器提供计算机系统的AGTL +
1.2V总线供电。其他两个线性控制器调节
电源为1.5V AGP总线和1.8V电源芯片
设置内核电压和/或高速缓冲存储器电路。
该ISL6524包括英特尔VRM8.5兼容TTL
5输入的数字 - 模拟转换器（DAC ），该调节
从微处理器为核心，有针对性的PWM输出电压
1.050V至1.825V以25mV的步骤。精密基准和
电压模式控制提供了± 1 ％的静态监管。线性
稳压器使用外部N沟道MOSFET或双极NPN
通过晶体管来提供1.2V ± 3 ％固定输出电压
(V
OUT2
), 1.5V ±3% (V
OUT3
）和1.8V ± 3 ％ （V
OUT4
).
该ISL6524监视所有的输出电压。一个延缓
VTT上升（V
OUT2
发出输出）电源良好信号
PWM启动核心前斜坡上升。另一个系统
当芯距离的±10％良好的功率信号发
DAC的设定等所有输出都高于其理解
电压电平。其他内置的过压保护
核心输出使用较低的MOSFET ，以防止输出
电压超过DAC设置的115 ％ 。该PWM
控制器的功能，过电流监视输出电流
通过使用在上部MOSFET的电压降
r
DS （ ON）
，省去了一个电流检测电阻器。
特点
提供4个调节电压
- 微处理器为核心， AGTL +总线， AGP总线电源，
和北/南桥核心
驱动N沟道MOSFET
线性稳压器，驱动器兼容与两个MOSFET
和双极串联调整晶体管
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速PWM转换器的瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％占空比
出色的输出电压调节
- 核心PWM输出： ± 1 ％，整个温度范围
- 所有其它输出： ± 3 ％过温
VRM8.5 TTL兼容5位DAC内核微处理器
输出电压选择
- 宽范围 - 1.050V至1.825V
电源良好输出电压监视器
- 独立的延迟VTT电源良好
过电流故障监控器
- 开关稳压器不需要额外的电流
感测元件，使用MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的内部振荡器
无铅可（符合RoHS ）
应用
主板电源调节电脑
订购信息
产品型号
ISL6524CB*
ISL6524CBZ*
（见注）
ISL6524CBZA*
（见注）
ISL6524EVAL1
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
0到70
包
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
（无铅）
28 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M28.3
M28.3
M28.3
引脚
ISL6524 （ SOIC ）
顶视图
DRIVE2 1
FIX 2
VID3 3
VID2 4
VID1 5
VID0 6
VID25 7
PGOOD 8
VTTPG 9
FAULT / RT 10
VSEN2 11
SS24 12
SS13 13
VSEN4 14
28 VCC
27 UGATE
26相
25 LGATE
24 PGND
23 OCSET
22 VSEN1
21 FB
20 COMP
19 VSEN3
18 DRIVE3
17 GND
16沃克斯
15 DRIVE4
评估板
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
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版权所有Intersil公司美洲2001-2002年， 2004-2005年。版权所有
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框图
VSEN3
VAUX
EA3
DRIVE3
+
1.5V或1.26V
VSEN1
OCSET
VCC
-
+
-
x0.75
+
x
1.10
-
UV3
+
200A
POWER- ON
复位（ POR ）
VAUX
x0.90
+
-
1.2V
Q
SET
＆ GT ;
CLK
Q
D
CLR
振荡器
VTTPG
FN9015.3
2005年4月18日
+
-
2
DRIVE4
+
x0.75
-
+
-
UV4
-
-
EA4
VSEN4
+
1.8V或1.26V
x
0.90
+
PGOOD
-
+
x
1.15
FIX
抑制
OV
软
开始
和故障
逻辑
故障
VSEN2
+
-
VCC
DRIVE1
UGATE
OC
+
DRIVE2
-
相
-
EA2
+
VCC
-
+
EA1
-
门
控制
PWM
COMP
PWM
同步
DRIVE
VCC
LGATE
保护地
GND
UV2
28A
28A
DACOUT
TTL D / A
变流器
（ DAC ）
4.5V
4.5V
FAULT / RT
SS13
SS24
FB
COMP
VID3 VID2 VID1 VID0 VID25
图1 。
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
PGOOD ， RT /故障，变频器，相位和
栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
推荐工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
额定电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
瑞星VAUX阈值
VAUX阈值迟滞
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
DAC参考
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE ， LGATE ， DRIVE2 ， DRIVE3和
DRIVE4开放
-
9
-
mA
-
8.2
-
-
-
-
-
2.5
0.5
1.26
10.4
-
-
-
-
V
V
V
V
V
F
OSC
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的;注2
V
OSC
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
DAC （ VID25 - VID3 ）输入低电压
DAC （ VID25 - VID3 ）输入高电压
DACOUT电压精度
线性稳压器（V
OUT2
, V
OUT3
和V
OUT4
)
稳压精度
VSEN3调节电压
VSEN2调节电压
VSEN3调节电压
VSEN4调节电压
VSEN3 ， 4级欠压
VSEN3 ， 4欠压滞后
输出驱动电流
同步PWM控制器误差放大器
DC增益
注2
-
88
VREG
3
VREG
2
VREG
3
VREG
4
VSEN3 ， 4
UV
FIX =开
FIX =开
VSEN3 ， 4升
VSEN3 ， 4降
沃V
DRIVE2,3,4
> 0.6V
20
FIX = 0V
-
-
-
-
-
-
3
1.26
1.2
1.5
1.8
75
7
40
2.0
-1.0
-
0.8
V
V
+1.0
%
-
-
-
-
-
-
%
V
V
V
V
%
%
-
mA
-
dB
4
FN9015.3
2005年4月18日
电气规格
参数
增益带宽积
压摆率
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
（续）
符号
增益带宽积
SR
注2
COMP = 10pF的，注意2
测试条件
民
-
-
典型值
15
6
最大
-
-
单位
兆赫
V / μs的
PWM控制器，栅极驱动
UGATE源
UGATE水槽
LGATE源
LGATE水槽
保护
故障电流采购
OCSET电流源
软启动电流
电源良好
VSEN1上限阈值
(VSEN1/DACOUT)
VSEN1欠压
(VSEN1/DACOUT)
VSEN1迟滞（ VSEN1 / DACOUT ）
PGOOD电压低
VSEN2欠压
VSEN2滞后
VTTPG电压低
注意：
2.保证设计
V
VTTPG
V
PGOOD
VSEN1上升
VSEN1上升
VSEN1下降
I
PGOOD
= -4mA
VSEN2上升
VSEN2下降
I
VTTPG
= -4mA
-
-
108
92
-
-
-
-
2
-
1.08
48
-
-
0.8
110
94
-
0.8
%
%
%
V
V
mV
V
I
OVP
I
OCSET
I
SS13,24
V
FAULT / RT
= 2.0V
V
OCSET
= 4.5V
DC
V
SS13,24
= 2.0V
DC
-
170
-
8.5
200
28
-
230
-
mA
A
A
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
VCC = 12V ，V
UGATE
= 6V
V
GATE -PHASE
= 1V
VCC = 12V ，V
LGATE
= 1V
V
LGATE
= 1V
-
-
-
-
1
1.7
1
1.4
-
3.5
-
3.0
A
A
典型性能曲线
100
C
UGATE
= C
LGATE
= C
VIN = 5V
1000
电阻值（kΩ ）
80
R
T
上拉
TO + 12V
I
CC
（MA ）
60
C = 3600pF
C = 1500pF
VCC = 12V
C = 4800pF
100
40
10
R
T
下拉到V
SS
20
C = 660pF
1000
0
100
10
100
开关频率（kHz ）
200
300
400
500
600
700
800
开关频率（kHz ）
900
1000
图4.
T
电阻与频率
图5.偏置电源电流与频率
5
FN9015.3
2005年4月18日
QQ：2880707522 复制
