ISL6522
数据表
2005年3月4日
FN9030.7
降压和同步整流器
脉宽调制（ PWM ）控制器
该ISL6522提供完整的控制和保护的
的DC-DC转换器用于高性能微优化
处理器的应用。它被设计用来驱动两个N沟道
在同步MOSFET整流降压拓扑结构。该
ISL6522集成了所有的控制，输出调节，
监视和保护功能集成到单个封装中。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至0.8V时，具有的最大耐受
±1%
在温度和线电压变化。
该ISL6522提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一
200kHz的自由运行的三角波振荡器，
可调从下面50kHz至1MHz的多。错误
扩增fi er设有一个15MHz的增益带宽积和
6V / μs压摆率使转换器的高带宽
快速的瞬态性能。由此产生的PWM占空比
范围为0-100 ％ 。
该ISL6522防止过流条件
抑制PWM操作。该ISL6522监视当前
通过使用R
DS （ ON）
上MOSFET免去了
需要一个电流传感电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0-100％占空比
出色的输出电压调节
- 0.8V内部参考
-
±1%
在线路电压和温度
过电流故障监控器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用的MOSFET
DS （ ON）
转换器可以提供和吸收电流
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
14引脚SOIC和TSSOP封装和16引脚的5x5mm
QFN封装
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅可（符合RoHS ）
引脚配置
RT
OCSET
SS
COMP
FB
EN
GND
1
2
3
4
5
6
7
SOIC ， TSSOP
顶视图
14 VCC
13 PVCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9
8
UGATE
相
应用
电源奔腾
，高能奔腾， PowerPC的
和
AlphaPC 微处理器
高功率5V至3.xV DC- DC稳压器
低电压分布式电源
QFN
顶视图
OCSET
VCC
13
12 PVCC
11 LGATE
GND
FB 3
EN 4
5
NC
6
GND
7
相
8
UGATE
10 PGND
9
BOOT
NC
16
SS 1
比较2
15
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001年， 2002年， 2004年， 2005年版权所有
PowerPC的
是IBM公司的一个注册商标。 AlphaPC 是数字设备公司的商标。奔腾
是Intel Corporation的注册商标。
1
RT
14
ISL6522
订购信息
产品型号
ISL6522CB
ISL6522CBZ （注）
ISL6522CBZA
（注）
ISL6522IB
ISL6522IBZ （注）
ISL6522CV
ISL6522CVZ
（注）
ISL6522IV
ISL6522IVZ （注）
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
0到70
-40到85
-40到85
0到70
0到70
-40到85
-40到85
包
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
订购信息
（续）
产品型号
ISL6522CR
ISL6522CRZ
（注）
ISL6522IR
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
（无铅）
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
（无铅）
M14.15
M14.173
M14.173
M14.173
M14.173
ISL6522IRZ （注）
14 Ld的SOIC （无铅） M14.15
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
-40到85
-40到85
包
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
（无铅）
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
L16.5x5B
L16.5x5B
L16.5x5B
L16.5x5B
14 Ld的SOIC （无铅） M14.15
14 Ld的SOIC （无铅） M14.15
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
添加“ -T”的磁带和卷轴。
典型用途
12V
V
CC
SS
监测与
保护
OCSET
EN
BOOT
RT
OSC
+ 5V或+ 12V
UGATE
相
PV
CC
+12V
+V
O
ISL6522
REF
+
FB
+
-
LGATE
保护地
GND
-
COMP
框图
VCC
POWER- ON
复位（ POR ）
10A
OCSET
+
EN
-
过度
当前
4V
软
开始
SS
BOOT
UGATE
相
200A
参考
0.8V
REF
PWM
比较
+
-
+
抑制
PWM
FB
COMP
RT
错误
AMP
-
门
控制
逻辑
PV
CC
LGATE
保护地
振荡器
GND
2
FN9030.7
2005年3月4日
ISL6522
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
启动电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
不适用
TSSOP封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围， ISL6522C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度范围， ISL6522I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
结温范围， ISL6522C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
结温范围， ISL6522I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高位有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。 SeeTech
简介TB379 。
3.
θ
JC
中， "case temp"位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
V
CC
电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
启用 - 输入阈值电压
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
EN = V
CC
; UGATE和LGATE开放
EN = 0V
-
-
5
50
-
100
mA
A
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
ISL6522C ，V
OCSET
= 4.5VDC
ISL6522I ，V
OCSET
= 4.5VDC
-
8.1
0.8
0.8
-
-
-
-
-
1.27
10.4
-
2.0
2.1
-
V
V
V
V
V
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
ISL6522C ，R
T
=打开，V
CC
= 12
ISL6522I ，R
T
=打开，V
CC
= 12
全变差
斜坡幅度
参考
参考电压容差
V
REF
广告
产业
参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
I
UGATE
V
BOOT
- V
相
= 12V, V
UGATE
= 6V
GBW
SR
COMP = 10pF的
V
OSC
6kΩ <
T
到GND < 200kΩ的
R
T
=打开
175
160
-20
-
200
200
-
1.9
230
230
+20
-
千赫
%
V
P-P
-1
-2
-
-
-
0.800
1
+1
-
%
%
V
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
350
500
-
mA
3
FN9030.7
2005年3月4日
ISL6522
OCSET
连接一个电阻（R
OCSET
）从这个引脚的漏
上MOSFET 。
OCSET
，内部200μA电流源
(I
OCS
），以及上部MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
）集
根据变频器过流（ OC ）跳变点
下面的等式：
I
OCS
R
OCSET
I
PEAK
= -------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
LGATE
LGATE连接到较低MOSFET栅极。该引脚提供
栅极驱动器的低的MOSFET 。该引脚也
通过保护电路由自适应监控拍
确定当低端MOSFET已关闭。
PVCC
提供一个偏置电源的低栅极驱动该引脚。
过电流跳闸循环软启动功能。
VCC
提供12V偏置电源为芯片到该引脚。
SS
此引脚与地之间连接一个电容。该电容，
随着内部10μA电流源时，设置在软启动
间隔变换器。
功能说明
初始化
该ISL6522在收到电力的自动初始化。
输入电源的特殊排序是没有必要的。
上电复位（ POR）功能持续监控
输入电源的电压和使能（ EN）引脚。上电复位
监视的偏置电压下的VCC端子与输入
电压（V
IN
）上OCSET销。上OCSET水平
等于V
IN
少一个固定的电压降（见过流保护
保护） 。与持有至V EN引脚
CC
，上电复位功能
两个输入电源电压后启动软启动运行
超过其POR阈值。操作与单个
+ 12V电源，V
IN
和V
CC
是等价的，并在
+ 12V电源必须超过上涨V
CC
门槛
POR前开始运作。
上电复位功能禁止操作禁用芯片
（ EN引脚为低电平） 。与这两个输入电源超出其POR
阈值，转换的EN引脚为高电平启动软启动
间隔。
COMP和FB
COMP和FB是错误的可用的外部引脚
扩增fi er 。 FB管脚是错误的反相输入端
扩增fi er和COMP引脚扩增fi er输出错误。
这些引脚用来补偿电压控制
该转换器的反馈环路。
EN
此引脚是集电极开路使能引脚。拉下面这个引脚
1V禁用转换器。在关断模式，软启动引脚
出院， UGATE和LGATE引脚保持低电平。
GND
信号地为IC 。所有电压电平被测量
相对于该引脚。
相
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极。这
销是用来监视MOSFET两端的电压降
过电流保护。该引脚还提供回报
路径上的栅极驱动器。
软启动
上电复位功能启动软启动序列。内部
10μA电流源充电的外部电容（C
SS
）上
SS引脚为4V 。软启动钳位误差放大器的输出
（ COMP引脚）到SS引脚的电压。图3示出了软
发车间隔。在t
1
在图3中，SS和COMP电压
到达振荡器的三角波的山谷。该
振荡器的三角波进行比较的斜坡
误差放大器的电压。这产生了相脉冲
增加宽度对输出电容充电（多个） 。这
增加脉冲宽度的间隔持续到t2 ，在该
点输出的调节和对COMP钳位
销被释放。此方法提供了一种快速和受控
输出电压上升。
UGATE
连接UGATE给上MOSFET的栅极。该引脚
提供了用于上部MOSFET的栅极驱动器。该引脚也
通过保护电路由自适应监控拍
确定当上部MOSFET已关闭。
BOOT
该引脚提供偏压到上部MOSFET驱动器。
自举电路可以用来创建启动电压
适合驱动一个标准的N沟道MOSFET 。
保护地
这是电源的接地连接。配合较低的MOSFET
源到该引脚。
5
FN9030.7
2005年3月4日
ê ND
OMM 35
EC
65
RSIL CT - ISL
TE
U
在
数据
S
片
ROD
IGN ED P
ES
C
EW EN H A
R
FO
P- I N
RO
S
ISL6522
2006年3月10日
FN9030.8
降压和同步整流器
脉宽调制（ PWM ）控制器
该ISL6522提供完整的控制和保护的
的DC-DC转换器用于高性能微优化
处理器的应用。它被设计用来驱动两个N沟道
在同步MOSFET整流降压拓扑结构。该
ISL6522集成了所有的控制，输出调节，
监视和保护功能集成到单个封装中。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至0.8V时，具有的最大耐受
±1%
在温度和线电压变化。
该ISL6522提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一
200kHz的自由运行的三角波振荡器，
可调从下面50kHz至1MHz的多。错误
扩增fi er设有一个15MHz的增益带宽积和
6V / μs压摆率使转换器的高带宽
快速的瞬态性能。由此产生的PWM占空比
范围为0-100 ％ 。
该ISL6522防止过流条件
抑制PWM操作。该ISL6522监视当前
通过使用R
DS （ ON）
上MOSFET免去了
需要一个电流传感电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0-100％占空比
出色的输出电压调节
- 0.8V内部参考
-
±1%
在线路电压和温度
过电流故障监控器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用的MOSFET
DS （ ON）
转换器可以提供和吸收电流
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
14引脚SOIC和TSSOP封装和16引脚的5x5mm
QFN封装
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有（符合RoHS ）
引脚配置
RT
OCSET
SS
COMP
FB
EN
GND
1
2
3
4
5
6
7
SOIC ， TSSOP
顶视图
14 VCC
13 PVCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9
8
UGATE
相
应用
电源奔腾
，高能奔腾， PowerPC的
和
AlphaPC 微处理器
高功率5V至3.xV DC- DC稳压器
低电压分布式电源
QFN
顶视图
OCSET
VCC
13
12 PVCC
11 LGATE
GND
FB 3
EN 4
5
NC
6
GND
7
相
8
UGATE
10 PGND
9
BOOT
NC
16
SS 1
比较2
15
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001年， 2002年， 2004-2006年。版权所有
PowerPC的
是IBM公司的一个注册商标。 AlphaPC 是数字设备公司的商标。奔腾
是Intel Corporation的注册商标。
1
RT
14
ISL6522
订购信息
部分
数
ISL6522CB
ISL6522CBZ
（注）
部分
记号
ISL6522CB
6522CBZ
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
0到70
-40到85
-40到85
0到70
0到70
-40到85
-40到85
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
14 Ld的SOIC
（无铅）
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
M14.15
M14.15
M14.15
订购信息
（续）
部分
数
ISL6522CR
部分
记号
ISL6522CR
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
-40到85
-40到85
包
PKG 。
DWG 。 ＃
16 Ld的5×5 QFN L16.5x5B
16 Ld的5×5 QFN L16.5x5B
（无铅）
16 Ld的5×5 QFN L16.5x5B
16 Ld的5×5 QFN L16.5x5B
（无铅）
ISL6522CRZ ISL6522CRZ
（注）
ISL6522IR
ISL6522IRZ
（注）
ISL6522IR
ISL6522IRZ
ISL6522CBZA 6522CBZ
（注）
ISL6522IB
ISL6522IBZ
（注）
ISL6522CV
ISL6522IB
6522IBZ
ISL6522CV
14 Ld的TSSOP M14.173
14 Ld的TSSOP M14.173
（无铅）
14 Ld的TSSOP M14.173
14 Ld的TSSOP M14.173
（无铅）
ISL6522CVZ ISL6522CVZ
（注）
ISL6522IV
ISL6522IVZ
（注）
ISL6522IV
ISL6522IVZ
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
添加“ -T”的磁带和卷轴。
典型用途
12V
V
CC
SS
监测与
保护
OCSET
EN
BOOT
RT
OSC
+ 5V或+ 12V
UGATE
相
PV
CC
+12V
+V
O
ISL6522
REF
+
FB
+
-
LGATE
保护地
GND
-
COMP
2
FN9030.8
2006年3月10日
ISL6522
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
启动电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
不适用
TSSOP封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围， ISL6522C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度范围， ISL6522I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
结温范围， ISL6522C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
结温范围， ISL6522I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高位有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。 SeeTech
简介TB379 。
3.
θ
JC
中， "case temp"位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
V
CC
电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
启用 - 输入阈值电压
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
EN = V
CC
; UGATE和LGATE开放
EN = 0V
-
-
5
50
-
100
mA
A
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
ISL6522C ，V
OCSET
= 4.5VDC
ISL6522I ，V
OCSET
= 4.5VDC
-
8.1
0.8
0.8
-
-
-
-
-
1.27
10.4
-
2.0
2.1
-
V
V
V
V
V
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
ISL6522C ，R
T
=打开，V
CC
= 12
ISL6522I ，R
T
=打开，V
CC
= 12
全变差
斜坡幅度
参考
参考电压容差
V
REF
广告
产业
参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
I
UGATE
V
BOOT
- V
相
= 12V, V
UGATE
= 6V
GBW
SR
COMP = 10pF的
V
OSC
6kΩ <
T
到GND < 200kΩ的
R
T
=打开
175
160
-20
-
200
200
-
1.9
230
230
+20
-
千赫
%
V
P-P
-1
-2
-
-
-
0.800
1
+1
-
%
%
V
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
350
500
-
mA
4
FN9030.8
2006年3月10日
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