ISL6522A
数据表
2005年4月13日
FN9122.2
降压和同步整流器
脉宽调制（ PWM ）控制器
该ISL6522A提供完整的控制和保护
的DC-DC转换器用于高性能优化
微处理器应用。它被设计用来驱动两个
N沟道MOSFET的同步整流降压
拓扑结构。该ISL6522A集成了所有的控制，输出
调整，监控和保护功能集成到一个单一的
封装。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至0.8V时，具有的最大耐受
±0.5%
在温度和线电压变化。
该ISL6522A提供了简单的，单一的反馈回路，
电压模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括
一个200kHz的自由运行的三角波振荡器，
可调从下面50kHz至1MHz的多。错误
扩增fi er设有一个15MHz的增益带宽积和
6V / μs压摆率使转换器的高带宽
快速的瞬态性能。由此产生的PWM占空比
范围为0-100 ％ 。
该ISL6522A防止过流条件
抑制PWM操作。该ISL6522A监控
通过利用第r当前
DS （ ON）
上MOSFET的哪
省去了一个电流检测电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0-100％占空比
出色的输出电压调节
- 0.8V内部参考
-
±0.5%
在线路电压和温度
过电流故障监控器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用的MOSFET
DS （ ON）
转换器可以提供和吸收电流
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
14 Ld的SOIC和16引脚的5x5mm QFN封装
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅可（符合RoHS ）
订购信息
零件号*
ISL6522ACB
ISL6522ACBZ
（见注）
ISL6522ACR
ISL6522ACRZ
（见注）
温度。
范围（° C）
25至70
25至70
25至70
25至70
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
L16.5x5B
L16.5x5B
应用
电源奔腾
，高能奔腾， PowerPC的
和
AlphaPC 微处理器
高功率5V至3.xV DC- DC稳压器
低电压分布式电源
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
1
c注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003-2005 。版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6522A
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
启动电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
5
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
不适用
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围， ISL6522AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 ℃ 70℃
结温范围， ISL6522AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。 SeeTech
简介TB379 。
2.
θ
JC
中， "case temp"位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
V
CC
电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
启用 - 输入阈值电压
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考
参考电压容差
参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
上栅漏
更低的栅极源
更低的栅极漏
保护
OCSET电流源
软启动电流
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
EN = V
CC
; UGATE和LGATE开放
EN = 0V
-
-
5
50
-
100
mA
A
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
-
8.1
0.8
-
-
-
-
1.27
10.4
-
2.0
-
V
V
V
V
R
T
=打开，V
CC
= 12
6kΩ <
T
到GND < 200kΩ的
V
OSC
R
T
=打开
175
-20
-
200
-
1.9
230
+20
-
千赫
%
V
P-P
V
REF
-0.5
-
-
0.800
0.5
-
%
V
-
GBW
SR
COMP = 10pF的
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
V
BOOT
- V
相
= 12V, V
UGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
V
CC
= 12V, V
LGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
350
-
300
-
500
5.5
450
3.5
-
10
-
6.5
mA
mA
I
OCSET
I
SS
V
OCSET
= 4.5VDC
170
-
200
10
230
-
A
A
4
FN9122.2
2005年4月13日
ISL6522A
典型性能曲线
80
70
1000
电阻值（kΩ ）
R
T
上拉
TO + 12V
I
VCC
（MA ）
60
C
门
= 3300pF
50
40
30
20
10
0
100
C
门
= 10pF的
C
门
= 1000pF的
100
R
T
下拉
到V
SS
10
10
100
开关频率（kHz ）
1000
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
开关频率（kHz ）
图1。R
T
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
RT
该引脚提供振荡器开关频率的调整。
通过将电阻器（R
T
）从这个引脚GND ，标称
在200kHz的开关频率是根据增加
下面的等式：
5
10
Fs
≈
200kHz
+ ------------------
R
T
6
扩增fi er和COMP引脚扩增fi er输出错误。
这些引脚用来补偿电压控制
该转换器的反馈环路。
EN
此引脚是集电极开路使能引脚。拉下面这个引脚
1V禁用转换器。在关断模式，软启动引脚
出院， UGATE和LGATE引脚保持低电平。
(R
T
到GND）
GND
信号地为IC 。所有电压电平被测量
相对于该引脚。
相反，连接一个上拉电阻器（R
T
）从这个引脚
到V
CC
根据该降低开关频率
下面的等式：
4
10
Fs
≈
200kHz
– ------------------
R
T
7
相
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极。这
销是用来监视MOSFET两端的电压降
过电流保护。该引脚还提供回报
路径上的栅极驱动器。
(R
T
至12V ）
OCSET
连接一个电阻（R
OCSET
）从这个引脚的漏
上MOSFET 。
OCSET
，内部200μA电流源
(I
OCS
），以及上部MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
）集
根据变频器过流（ OC ）跳变点
下面的等式：
I
OCS
R
OCSET
I
PEAK
= -------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
UGATE
连接UGATE给上MOSFET的栅极。该引脚
提供了用于上部MOSFET的栅极驱动器。该引脚也
通过保护电路由自适应监控拍
确定当上部MOSFET已关闭。
BOOT
该引脚提供偏压到上部MOSFET驱动器。
自举电路可以用来创建启动电压
适合驱动一个标准的N沟道MOSFET 。
过电流跳闸循环软启动功能。
SS
此引脚与地之间连接一个电容。该电容，
随着内部10μA电流源，设置
该转换器的软启动时间间隔。
保护地
这是电源的接地连接。配合较低的MOSFET
源到该引脚。
LGATE
LGATE连接到较低MOSFET栅极。该引脚提供
栅极驱动器的低的MOSFET 。该引脚也
COMP和FB
COMP和FB是错误的可用的外部引脚
扩增fi er 。 FB管脚是错误的反相输入端
5
FN9122.2
2005年4月13日
QQ：2881677436 复制
