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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第15页 > ISL6520ACBZA
ISL6520A
数据表
2009年12月10日
FN9016.6
单同步降压脉宽
调制（PWM）控制器
该ISL6520A使得简单的工作了实现的
完整的控制和保护方案的DC / DC
降压转换器。设计用于驱动N沟道
在同步降压拓扑结构， ISL6520A的MOSFET
集成了控制，输出调节，监测和
保护功能集成到一个单一的8引脚封装。
该ISL6520A提供了简单的，单一的反馈回路，
电压模式控制，具有快速的瞬态响应。该
输出电压可精确地调节到低至0.8V ，
具有± 1.5％的过温度和最大耐受
线电压的变化。固定频率振荡器降低
设计的复杂性，同时平衡的典型应用成本
和EF网络效率。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和8V / MS压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的
PWM占空比的范围从0 ％到100％ 。
保护从过电流条件被设置
监测第r
DS （ ON）
上MOSFET抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
从+ 5V输入进行操作
- 0.8V至V
IN
输出范围
- 0.8V内部参考
- ± 1.5 ％，在线路电压和温度
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0％至100％占空比
无损，可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
- 内部软启动
- 8 Ld的SOIC或16 Ld的4mmx4mm QFN
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅（符合RoHS ）
引脚配置
ISL6520A
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
BOOT 1
UGATE 2
GND 3
LGATE 4
8相
7 COMP / SD
6 FB
5 VCC
应用
电源微处理器
- 电脑
- 嵌入式控制器
子系统电源
- PCI / AGP / GTL +总线
- ACPI电源控制
- SSTL - 2和DDR SDRAM总线终端供应
电缆调制解调器，机顶盒和DSL调制解调器
DSP和核通信处理器供应
NC
ISL6520A
（ 16 LD QFN ）
顶视图
相
NC
NC
内存用品
个人电脑外围设备
12 NC
11 COMP / OCSET
10 NC
16
BOOT
UGATE
GND
NC
1
2
3
4
5
LGATE
15
14
13
工业电源
5V输入DC / DC稳压器
低电压分布式电源
9
6
NC
7
VCC
8
NC
FB
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2006年， 2007年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6520A
订购信息
产品型号
（注）
ISL6520ACBZ*
ISL6520ACBZA*
ISL6520AIBZ*
ISL6520ACRZ*
ISL6520AIRZ*
ISL6520EVAL1
部分
记号
6520 ACBZ
6520 ACBZ
6520 AIBZ
65 20ACRZ
65 20AIRZ
评估板
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
0至+70
-40至+85
0至+70
-40至+85
包
（无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
16 LD的4x4mm QFN
16 LD的4x4mm QFN
M8.15
M8.15
M8.15
L16.4x4
L16.4x4
PKG 。
DWG 。 ＃
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容） 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
2
FN9016.6
2009年12月10日
ISL6520A
框图
V
CC
样品
和
HOLD
OC
比较
+
-
POR和
软启动
BOOT
UGATE
相
+
0.8V
-
FB
COMP / OCSET
20μA
振荡器
FIXED 300kHz的
GND
LGATE
错误
AMP
+
-
PWM
比较
+
-
抑制
门
控制
PWM逻辑
VCC
典型用途
V
CC
C
DCPL
VCC
R
OCSET
5
C
体积
D
BOOT
1
BOOT
C
BOOT
L
OUT
C
HF
COMP / OCSET
7
R
F
C
I
C
F
FB
R
OFFSET
6
3
GND
ISL6520A
2
8
4
UGATE
相
LGATE
+V
O
C
OUT
R
S
3
FN9016.6
2009年12月10日
ISL6520A
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6.0V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 7.0V （DC）的
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0V （ <10ns脉冲宽度， 10μJ ）
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
7
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 ％
环境温度范围 - ISL6520AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
环境温度范围 - ISL6520AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
瑞星VCC POR阈值
VCC POR阈值迟滞
振荡器
频率
斜坡幅度
参考
参考电压容差
标称参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源极电流
上栅漏电流
更低的栅极源电流
更低的栅极漏电流
保护/ DISABLE
OCSET电流源
关断阈值
注意：
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
I
VCC
POR
测试条件
民
（注4 ）
2.6
4.19
-
f
OSC
DV
OSC
ISL6520AC
ISL6520AI
V
REF
特征值极限和
不生产测试
ISL6520AC ， VCC = 5V
ISL6520AI ， VCC = 5V
250
230
-
-1.5
-2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
17
14
-
典型值
3.2
4.30
0.25
300
300
1.5
-
-
0.800
88
15
8
-1
1
-1
2
20
20
0.8
最大
（注4 ）
3.8
4.50
-
340
340
-
+1.5
+2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
22
24
-
单位
mA
V
V
千赫
千赫
V
P-P
%
%
V
dB
兆赫
V / μs的
A
A
A
A
A
A
V
增益带宽积
SR
I
UGATE -SRC
V
BOOT
- V
相
= 5V, V
UGATE
= 4V
I
UGATE - SNK
I
LGATE -SRC
V
VCC
= 5V, V
LGATE
= 4V
I
LGATE - SNK
I
OCSET
V
关闭
ISL6520AC
ISL6520AI
4.参数与MIN和/或最大限制是100 ％测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
4
FN9016.6
2009年12月10日
ISL6520A
功能引脚说明
VCC
该引脚提供偏置电源用于ISL6520A ，以及
为降低MOSFET的栅极。连接良好的去耦5V
提供给该引脚。
在软启动和正常转换过程中所有的时间
操作时，该引脚代表了错误的输出
放大器。使用此引脚，结合了
COMP / OCSET销，以补偿所述的电压控制
该转换器的反馈环路。
拉COMP / OCSET的水平低于0.8V禁用
控制器。禁用ISL6520A使振荡器
停止时， LGATE和UGATE输出保持低电平，而
软启动电路重新武装。
FB
该引脚是内部误差放大器的反相输入端。
使用此引脚，结合了COMP / OCSET引脚，
补偿的电压控制反馈环路
转换器。
LGATE
将此引脚连接到较低的MOSFET的栅极。该引脚
提供了较低的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应监控
击穿保护电路，以确定何时
较低的MOSFET已经关闭。
GND
该引脚表示为IC的信号和电源接地。
通过最低将此引脚连接到接地岛/平面
阻抗连接可用。
相
将此引脚连接到上层MOSFET的源极。该引脚
用于监视整个上部MOSFET的电压降
过电流保护。
功能说明
初始化
该ISL6520A在收到电力的自动初始化。
上电复位（ POR）功能持续监控
偏置电压VCC引脚。上电复位功能启动
过电流保护（ OCP ），采样和保持操作
电源电压超过其POR阈值后。上
OCP的采样完成和保持操作，上电复位
功能启动软启动运行。
UGATE
将此引脚连接到上层MOSFET的栅极。该引脚
为上层的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应监控
击穿保护电路，以确定何时
上MOSFET已经关闭。
过电流保护
过电流保护功能，从短路转换器
通过使用上部MOSFET的导通电阻r输出
DS （ ON）
,
监测电流。这种方法提高了转换器的
效率，并通过消除电流检测降低了成本
电阻器。
过流功能的周期在软启动功能
打嗝模式，以提供故障保护。电阻（R
OCSET
)
节目的过电流跳闸水平（参见“典型应用”
第3页） 。
紧随上电复位时， ISL6520A启动
过流保护采样和保持操作。首先，
内部误差放大器被禁用。这允许内部
20mA电流片开发R两端的电压
OCSET
。该
ISL6520A那么这个采样电压COMP引脚。这
采样的电压，这是相对于VCC引脚，被保持
内部为过电流设定点。
当跨越上部MOSFET的电压，这也是
参考VCC引脚，超过了过电流集
点，过流功能启动软启动序列。
图1示出了电感器电流中的故障被引入后
而在15A运行。在连续故障导致
ISL6520A进入打嗝模式的典型周期
为25ms 。电感电流上升到18A在软
发车间隔，并导致过电流跳闸。该转换器
消耗非常少的功率，该方法。测得的
输入功率为图1中的条件是只有1.5W 。
FN9016.6
2009年12月10日
BOOT
该引脚提供接地参考偏置电压的
上MOSFET驱动器。一个自举电路，用于创建一个
适用电压驱动逻辑电平N沟道MOSFET 。
COMP / OCSET
这是一个复用的引脚。在很短的时间周期
下面的上电复位（ POR ） ，该引脚用于确定
该转换器的过电流阈值。连接
电阻器（R
OCSET
）从这个引脚上的漏
MOSFET （V
CC
). R
OCSET
，内部20μA电流源
(I
OCSET
），以及上部MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
)
根据设定的转换器过电流（ OC ）跳变点
方程1：
I
OCSET
xR
OCSET
I
PEAK
= ------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
（当量1）
该ISL6520A的内部电路将无法识别的电压
R两端下降
OCSET
比0.5V大。任何电压降
R两端
OCSET
大于0.5V将设置
过电流跳闸点：
0.5V
I
PEAK
= ----------------------
r
DS
(
ON
)
（当量2）
过电流跳闸循环软启动功能。
5
ISL6520A
数据表
2007年3月28日
FN9016.5
单同步降压脉宽
调制（PWM）控制器
该ISL6520A使得简单的工作了实现的
完整的控制和保护方案的DC / DC
降压转换器。设计用于驱动N沟道
在同步降压拓扑结构， ISL6520A的MOSFET
集成了控制，输出调节，监测和
保护功能集成到一个单一的8引脚封装。
该ISL6520A提供了简单的，单一的反馈回路，
电压模式控制，具有快速的瞬态响应。该
输出电压可精确地调节到低至0.8V ，
具有± 1.5％的过温度和最大耐受
线电压的变化。固定频率振荡器降低
设计的复杂性，同时平衡的典型应用成本
和EF网络效率。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和8V / MS压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的
PWM占空比的范围从0 ％到100％ 。
保护从过电流条件被设置
监测第r
DS （ ON）
上MOSFET抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
从+ 5V输入进行操作
- 0.8V至V
IN
输出范围
- 0.8V内部参考
- ± 1.5 ％，在线路电压和温度
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0％至100％占空比
无损，可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
- 内部软启动
- 8 Ld的SOIC或16 Ld的4mmx4mm QFN
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
引脚配置
ISL6520A
（ 6 LD SOIC ）
顶视图
BOOT 1
UGATE 2
GND 3
LGATE 4
8相
7 COMP / SD
6 FB
5 VCC
应用
电源微处理器
- 电脑
- 嵌入式控制器
子系统电源
- PCI / AGP / GTL +总线
- ACPI电源控制
- SSTL - 2和DDR SDRAM总线终端供应
电缆调制解调器，机顶盒和DSL调制解调器
DSP和核通信处理器供应
NC
ISL6520A
（ 16 LD QFN ）
顶视图
相
NC
NC
内存用品
个人电脑外围设备
12 NC
11 COMP / OCSET
10 NC
16
BOOT
UGATE
GND
NC
1
2
3
4
5
LGATE
15
14
13
工业电源
5V输入DC / DC稳压器
低电压分布式电源
9
6
NC
7
VCC
8
NC
FB
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2006年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6520A
订购信息
部分
数
ISL6520ACB*
ISL6520ACBZ*
（注）
ISL6520ACBZA*
（注）
ISL6520AIB*
ISL6520AIBZ*
（注）
ISL6520ACR*
ISL6520ACRZ*
（注）
ISL6520AIR*
ISL6520AIRZ *
（注）
ISL6520EVAL1
部分
记号
6520 ACB
6520 ACBZ
6520 ACBZ
6520 AIB
6520 AIBZ
65 20ACR
65 20ACRZ
65 20AIR
65 20AIRZ
评估板
温度。
范围
(°C)
0至+70
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
16 LD的4x4mm QFN
16 LD的4x4mm QFN
（无铅）
16 LD的4x4mm QFN
16 LD的4x4mm QFN
（无铅）
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
PKG 。 DWG 。 ＃
L16.4x4
L16.4x4
L16.4x4
L16.4x4
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，
这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
温度达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2
FN9016.5
2007年3月28日
ISL6520A
框图
V
CC
样品
和
HOLD
OC
比较
+
-
POR和
软启动
BOOT
UGATE
相
+
0.8V
-
FB
COMP / OCSET
20μA
振荡器
FIXED 300kHz的
GND
LGATE
错误
AMP
+
-
PWM
比较
+
-
抑制
门
控制
PWM逻辑
VCC
典型用途
V
CC
C
DCPL
VCC
R
OCSET
5
C
体积
D
BOOT
1
BOOT
C
BOOT
L
OUT
C
HF
COMP / OCSET
7
R
F
C
I
C
F
FB
R
OFFSET
6
3
GND
ISL6520A
2
8
4
UGATE
相
LGATE
+V
O
C
OUT
R
S
3
FN9016.5
2007年3月28日
ISL6520A
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6.0V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 7.0V （DC）的
8.0V （ <10ns脉冲宽度， 10μJ ）
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
7
最高结温
（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度
（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 ％
环境温度范围 - ISL6520AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
环境温度范围 - ISL6520AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
瑞星VCC POR阈值
VCC POR阈值迟滞
振荡器
频率
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
POR
2.6
3.2
3.8
mA
4.19
-
4.30
0.25
4.50
-
V
V
f
OSC
DV
OSC
ISL6520AC ， VCC = 5V
ISL6520AI ， VCC = 5V
250
230
-
300
300
1.5
340
340
-
千赫
千赫
V
P-P
%
%
V
斜坡幅度
参考
参考电压容差
ISL6520AC
ISL6520AI
-1.5
-2.5
-
-
-
0.800
+1.5
+2.5
-
标称参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源极电流
上栅漏电流
更低的栅极源电流
更低的栅极漏电流
保护/ DISABLE
OCSET电流源
V
REF
通过设计保证
增益带宽积
SR
-
-
-
88
15
8
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
UGATE -SRC
V
BOOT
- V
相
= 5V, V
UGATE
= 4V
I
UGATE - SNK
I
LGATE -SRC
V
VCC
= 5V, V
LGATE
= 4V
I
LGATE - SNK
I
OCSET
V
关闭
ISL6520AC
ISL6520AI
-
-
-
-
-1
1
-1
2
-
-
-
-
A
A
A
A
17
14
-
20
20
0.8
22
24
-
A
A
V
关断阈值
4
FN9016.5
2007年3月28日
ISL6520A
功能引脚说明
VCC
该引脚提供偏置电源用于ISL6520A ，以及
为降低MOSFET的栅极。连接良好的去耦5V
提供给该引脚。
在软启动和正常转换过程中所有的时间
操作时，该引脚代表了错误的输出
放大器。使用此引脚，结合了
COMP / OCSET销，以补偿所述的电压控制
该转换器的反馈环路。
拉COMP / OCSET的水平低于0.8V禁用
控制器。禁用ISL6520A使振荡器
停止时， LGATE和UGATE输出保持低电平，而
软启动电路重新武装。
FB
该引脚是内部误差放大器的反相输入端。
使用此引脚，结合了COMP / OCSET引脚，
补偿的电压控制反馈环路
转换器。
LGATE
将此引脚连接到较低的MOSFET的栅极。该引脚
提供了较低的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应拍摄开启监控
通过保护电路，以确定何时在下
MOSFET已关闭。
GND
该引脚表示为IC的信号和电源接地。
通过最低将此引脚连接到接地岛/平面
阻抗连接可用。
相
将此引脚连接到上层MOSFET的源极。该引脚
用于监视整个上部MOSFET的电压降
过电流保护。
功能说明
初始化
该ISL6520A在收到电力的自动初始化。
上电复位（ POR）功能持续监控
偏置电压VCC引脚。上电复位功能启动
过电流保护（ OCP ），采样和保持操作
电源电压超过其POR阈值后。上
OCP的采样完成和保持操作，上电复位
功能启动软启动运行。
UGATE
将此引脚连接到上层MOSFET的栅极。该引脚
为上层的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应拍摄开启监控
通过保护电路，以确定何时在上
MOSFET已关闭。
过电流保护
过电流保护功能，从短路转换器
通过使用上部MOSFET的导通电阻r输出
DS （ ON）
,
监测电流。这种方法提高了转换器的
效率，并通过消除电流检测降低了成本
电阻器。
过流功能的周期在软启动功能
打嗝模式，以提供故障保护。电阻（R
OCSET
)
节目的过电流跳闸水平（见典型应用
图）。
紧随上电复位时， ISL6520A启动
过流保护采样和保持操作。首先，
内部误差放大器被禁用。这允许内部
20mA电流片开发R两端的电压
OCSET
。该
ISL6520A那么这个采样电压COMP引脚。这
采样的电压，这是相对于VCC引脚，被保持
内部为过电流设定点。
当跨越上部MOSFET的电压，这也是
参考VCC引脚，超过了过电流集
点，过流功能启动软启动序列。
图1示出了电感器电流中的故障被引入后
而在15A运行。在连续故障导致
ISL6520A进入打嗝模式的典型周期
为25ms 。电感电流上升到18A在软
发车间隔，并导致过电流跳闸。该转换器
消耗非常少的功率，该方法。测得的
输入功率为图1中的条件是只有1.5W 。
FN9016.5
2007年3月28日
BOOT
该引脚提供接地参考偏置电压的
上MOSFET驱动器。一个自举电路，用于创建一个
适用电压驱动逻辑电平N沟道MOSFET 。
COMP / OCSET
这是一个复用的引脚。在很短的时间周期
下面的上电复位（ POR ） ，该引脚用于确定
该转换器的过电流阈值。连接
电阻器（R
OCSET
）从这个引脚上的漏
MOSFET （V
CC
). R
OCSET
，内部20μA电流源
(I
OCSET
），以及上部MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
)
根据该设定的过电流转换器（ OC），跳变点
下面的等式：
I
OCSET
xR
OCSET
I
PEAK
= ------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
（当量1）
该ISL6520A的内部电路将无法识别的电压
R两端下降
OCSET
比0.5V大。任何电压降
R两端
OCSET
大于0.5V将设置
过电流跳闸点：
0.5V
I
PEAK
= ----------------------
r
DS
(
ON
)
（当量2）
过电流跳闸循环软启动功能。
5
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