ISL6433
TM
数据表
2001年8月
网络文件编号
9020
先进的PWM和力量线性双
控制器网关应用
该ISL6433提供了电源控制和保护
所使用的高性能的三个输出电压
微处理器的网关应用。该IC集成
一个PWM控制器，线性调节器，并作为一个线性控制器
以及监控和保护功能集成到一个单一的
封装。 PWM控制器调节微处理器
核心电压，具有同步整流的降压转换器。
线性控制器调节功率为GTL总线和
线性稳压器提供电源，时钟驱动器
电路。
该ISL6433包括英特尔兼容， TTL 5输入
数字 - 模拟转换器（DAC ） ，调整上述芯的PWM
在0.1V的增量输出电压2.1VDC至3.5VDC
从1.3VDC至2.05VDC在0.05V步骤。精度
参考与电压模式控制提供
±1%
STATIC
调节。线性稳压器采用内部旁路装置
提供2.5V
±2.5%.
线性控制器驱动
外部N沟道MOSFET ，提供1.5V
±2.5%.
该ISL6433监视所有的输出电压。单一
当芯距离的±10％良好的功率信号发
该DAC设置和其他级别高于自己的理解
电压电平。其他内置的过压保护
核心输出使用较低的MOSFET ，以防止输出
电压超过DAC设置的115 ％ 。该PWM
过流保护功能监视输出电流通过
横跨上MOSFET的 - [R的电压降
DS （ ON）
,
省去了一个电流检测电阻器。
特点
提供3调节电压
- 微处理器为核心，时钟和电源GTL
驱动N沟道MOSFET
可从+ 3.3V ， + 5V和+ 12V的输入
简单的单环PWM控制设计
- 电压模式控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％的占空比
出色的输出电压调节
- 核心PWM输出：
±1%
过温
- 其它输出：
±2.5%
过温
TTL兼容5位数字到模拟输出核心
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到2.05V
DC
电源良好输出电压监视器
微处理器内核电压保护，防止短路
MOSFET
过电压和过电流故障监控器
- 不需要额外的电流传感元件，
采用MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的自由运行的振荡器;从编程
50kHz至1MHz的多
引脚
ISL6433
（ SOIC ）
顶视图
应用
功率调节的网关处理器
24 UGATE1
23 PHASE1
22 LGATE1
21 PGND
20 OCSET1
19 VSEN1
18 FB1
17 COMP1
16 FB3
15 DRIVE3
14 GND
13 VOUT2
VCC 1
VID4 2
VID3 3
VID2 4
VID1 5
VID0 6
PGOOD 7
FAULT 8
SS 9
RT 10
FB2 11
VIN2 12
低电压分布式电源
订购信息
产品型号
ISL6433CB
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
包
24 Ld的SOIC
PKG 。
号
M24.3
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil美洲公司的商标。
英特尔是英特尔公司的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司美洲2001，保留所有权利
ISL6433
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
PGOOD ， RT ，故障和栅极电压。 。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
65
SOIC封装（含3
2
铜） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
推荐工作条件，除非另有说明。
请参考典型应用图
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE1 ， DRIVE3 ， LGATE1和VOUT2开放
-
8
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
8.6
8.2
2.45
-
-
-
-
2.55
100
1.25
10.4
10.2
2.65
-
-
V
V
V
mV
V
瑞星VIN2欠压阈值
VIN2欠压滞后
瑞星V
OCSET1
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考和DAC
DAC （ VID0 - VID4 ）输入低电压
DAC （ VID0 - VID4 ）输入高电压
DACOUT电压精度
基准电压（引脚FB2和FB3 ）
线性稳压器
规
欠电压等级
欠压滞后
过电流保护
过流保护在启动过程
线性控制器
规
欠电压等级
欠压滞后
输出驱动电流
DRIVE3源电流
I
DRIVE3
VIN2 - V
OUT3
> 1.5V
VIN2 - DRIVE3 > 0.6V
FB3
UV
VSEN3 = DRIVE3 ， 0 <我
DRIVE3
＆ LT ; 20毫安
FB3上升
FB2
UV
10毫安<我
VOUT2
＆ LT ; 150毫安
瑞星FB2
V
OSC
RT = OPEN
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
-
2.0
-1.0
1.240
-
-
-
1.265
0.8
-
+1.0
1.290
V
V
%
V
-2.5
-
-
180
560
-
75
6
230
700
2.5
87
-
-
-
%
%
%
mA
mA
-2.5
-
-
20
20
-
75
6
40
40
2.5
87
-
-
-
%
%
%
mA
mA
4
QQ：2881677436 复制
