ISL6420
数据表
2005年7月18日
FN9151.4
高级单同步降压
脉冲宽度调制（PWM ）控制器
该ISL6420使简单的工作，从实施的
完整的控制和保护方案的高
性能DC / DC降压转换器。旨在驱动
N沟道MOSFET的同步整流降压
拓扑结构中， ISL6420集成控制，输出调节，
监视和保护功能集成到单个封装中。
此外，该芯片还带有一个外部参考电压
跟踪模式，外部参照降压转换器
应用程序和DDR终端设备，以及一
电压余量模式在网络系统测试
直流/直流转换器的应用程序。
该ISL6420提供了简单的，单一的反馈回路，电压
模式控制，具有快速的瞬态响应。输出
该转换器的电压可以被精确地调节到低
为0.6V ，具有± 1.0 ％，达最大耐受
温度和线电压变化。
工作频率是完全可调的100kHz至
1.4MHz的。高频率运行提供了成本和空间
节约。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和6V / μs压摆率，使转换器的高
带宽实现快速瞬态响应。 PWM占空比
范围从0 ％到在瞬变条件下的100％。选择
从ENSS引脚对地的电容值设置完全
PWM可调软启动。拉ENSS引脚为低电平
禁用控制器。
该ISL6420监视输出电压，并产生一个
当软启动序列PGOOD （电源良好）信号
完成并输出范围内调节。内置的
过电压保护电路可防止输出电压
从去通常115％的设定点的上方。保护
从过流条件是通过监测提供
r
DS （ ON）
上MOSFET的抑制PWM操作
适当。该方法简化了实施
并且由于不再需要为一个电流可提高效率
传感电阻器。
特点
从4.5V至16V的输入进行操作
出色的输出电压调节
- 0.6V内部参考
- ± 1.0 ％基准准确度线和温
电阻可选的开关频率
- 100kHz至1.4MHz的
电压余量和外部参考跟踪
模式
输出可以吸收或源出电流
无损，可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS （ ON）
可编程软启动
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0％至100％占空比
广泛的电路保护功能
- PGOOD ，过电压，过电流，关断
QFN （ 4×4 ）包装
- QFN封装符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 四
扁平无引脚 - 产品概述
- 近QFN芯片级封装尺寸;改善
PCB效率，在档案稀释剂
也可在QSOP封装
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
电源微处理器/ ASIC的
- 嵌入式控制器
- DSP和核处理器
- DDR SDRAM总线终端
以太网路由器和交换机
高功率DC / DC稳压器
分布式DC / DC电源架构
个人电脑外围设备
外部参考电压降压转换器
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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ISL6420
引脚配置
ISL6420 （ QFN ）
顶视图
相
UGATE
LGATE
BOOT
PVCC
正保远程教育
保护地
LGATE
PVCC
GPIO2
GPIO1/REFIN
OCSET
REFOUT
VMSET / MODE
1
2
3
4
5
6
VCC5
7
VIN
8
SGND
9
RT
10
FB
15 PGND
14正保远程教育
13 PGOOD
12 ENSS
11 COMP
相
UGATE
BOOT
GPIO2
GPIO1/REFIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ISL6420 （ QSOP ）
顶视图
20 PGOOD
19 ENSS
18 COMP
17 FB
16 RT
15 SGND
14 VIN
13 VCC5
12 VMSET / MODE
11 REFOUT
20
19
18
17
16
OCSET 10
订购信息
产品型号
ISL6420IR
ISL6420IR-T
ISL6420IRZ （注）
ISL6420IRZ -T （注）
温度。
范围（° C）
-40至+85
包
20 Ld的4×4 QFN
PKG 。
DWG 。 ＃
L20.4x4
L20.4x4
L20.4x4
L20.4x4
L20.4x4
M20.15
M20.15
M20.15
M20.15
20 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
-40至+85
20 Ld的4×4 QFN
（无铅）
20 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
（无铅）
ISL6420IRZ -TK （注） 20 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
（无铅）
ISL6420IA
ISL6420IA-TK
ISL6420IAZ （注）
ISL6420IAZ-TK
（注）
-40至+85
20 Ld的QSOP
20 Ld的QSOP磁带和卷轴
-40至+85
20 Ld的QSOP
（无铅）
20 Ld的QSOP磁带和卷轴
（无铅）
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
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2005年7月18日
ISL6420
典型的12V输入DC / DC应用原理
12V
C1
C2
VIN
PVCC
C3
VCC5
OCSET
BOOT
Q1
OSC
REF
--
+
+
LGATE
保护地
Q2
C10
UGATE
相
C9
L1
3.3V
R1
C4
C5
D1
C6
ENSS
RT
R2
C8
PGOOD
正保远程教育
SGND
FB
R3
C11
R5
R4
+
+
--
监测与
保护
C7
COMP
R6
GPIO1/REFIN
REFOUT
GPIO2
C12
C13
VMSET / MODE
典型的5V输入DC / DC应用原理
5V
C1
C2
VIN
PVCC
C3
VCC5
OCSET
BOOT
Q1
OSC
REF
SGND
FB
R3
C10
C11
+
+
--
COMP
REFOUT
C12
R4
VMSET / MODE
VCC5
配置适合DDR端接/外部引用的跟踪应用
--
+
+
LGATE
保护地
Q2
C9
UGATE
相
C8
L1
2.5V/1.25V
R1
C4
C5
D1
C6
SS / EN
RT
正保远程教育
C7
R2
PGOOD
监测与
保护
GPIO1 / REFIN <-- VREF = VDDQ / 2
GPIO2
1.25V VREF
与REFIN VTT电源的
R5
4
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2005年7月18日
ISL6420
典型的12V输入DC / DC应用原理
12V
C6
C1
C2
VIN
PVCC
C3
VCC5
OCSET
BOOT
Q1
OSC
REF
SGND
FB
R3
+
+
--
COMP
--
+
+
LGATE
保护地
Q2
C9
UGATE
相
C8
L1
2.5V/1.25V
VDDQ / VTT
R1
C4
C5
D1
SS / EN
RT
R2
正保远程教育
PGOOD
监测与
保护
C7
C10
C11
GPIO1 / REFIN <-- VREF = VDDQ / 2
GPIO2
REFOUT
C12
R5
1.25V VREF
与REFIN VTT电源的
R4
VMSET / MODE
VCC5
配置适合DDR端接/外部引用的跟踪应用
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2005年7月18日
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