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ISL6315
数据表
2007年7月18日
FN9222.1
两相多相降压PWM
控制器,集成MOSFET
DRIVERS
该ISL6315两相PWM控制IC提供
先进的负载高达精密调压系统
60A至80A 。多相电源转换为标
从单相转换器的配置出发
采用以满足日益增加的电流需求
现代的微处理器和其它电子电路。通过
分配功率和负载电流,实现
多相转换器采用体积更小,成本更低
晶体管更少的输入和输出电容器。这些
减少从更高的有效转化累积
频与较高频率的纹波电流,由于
此拓扑的相位交错处理。
该控制器IC的突出特点包括可编程
英特尔VRM9 , VRM10 ,以及兼容的VID代码
AMD的锤微处理器,以及一个系统
调节精度
±1%.
该ISL6315 ,不过,不
本质上允许负载线路调整(不下垂) 。
该控制器IC的重要特征包括一组
复杂的过电压和过电流保护。
在转换器转动下的过压的结果
ON的MOSFET钳位输出电压的升高和保护
微处理器。像其他Intersil的多相
控制器, ISL6315使用成本和节省空间
r
DS ( ON)
传感通道电流平衡和
过电流保护。通道电流均衡是
自动和精确的集成的电流平衡
控制系统。过流保护可以针对任何
应用程序而无需额外的部件。这些功能
为现代电力系统的智能保护。
特点
集成的两相电源转换
5V至12V输入电压转换
精确的通道电流共享
- 无损耗电流采样 - 使用
DS ( ON)
精确的输出稳压
-
±1%
系统精度过热(商业)
微处理器电压识别输入
- 最多6位DAC
- 可选择英特尔VRM9 , VRM10之间,或者AMD的
锤DAC码
快速瞬态恢复时间
过流保护
预偏置输出启动运行
源和接收器输出电流
- 总线终端应用
改进的,多层次的过压保护
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅加退火有(符合RoHS )
引脚
ISL6315
( 24 LD QFN )
顶视图
UGATE1
19
18 PHASE1
17 LGATE1
25
GND
16 PVCC
15 LGATE2
14 PGND
13 PHASE2
7
艾辛河
8
VCC
9
OFS
10
SSEND
11
BOOT2
12
UGATE2
BOOT1
20
部分
ISL6315CR*
ISL6315CRZ*
(注)
ISL6315IRZ*
(注)
部分
记号
温度。
(°C)
PKG 。
DWG 。 #
VID1
VID0
DACSEL/VID5
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
ISL6315CR 0至+70 24 Ld的4×4 QFN L24.4x4B
6315CRZ
6315IRZ
0至+70 24 Ld的4×4 QFN L24.4x4B
(无铅)
-40到+85 24 Ld的4×4 QFN L24.4x4B
(无铅)
VRM10
COMP
FB
*添加“ -T ”或“ -TK ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347为
卷筒规格细节。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡兼容
和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
**联系工厂。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006-2007 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ENLL
VID2
VID3
VID4
订购信息
框图
SSEND
OVP WHILE
1.65V/1.95V +
-
ENLL
VCC
PVCC
BOOT1
POWER- ON
OVP
振荡器
复位( POR )
控制
UGATE1
2
+
200mV
-
COMP
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
DACSEL/VID5
VRM10
+
-
OC
TTL D / A
变流器
( VID DAC )
EA
软启动
故障逻辑
PHASE1
LGATE1
PWM1
保护地
ISL6315
控制
逻辑
BOOT2
Σ
Σ
PWM2
UGATE2
FB
当前
更正
OFFSET
来源
GND
控制
PHASE2
LGATE2
Σ
2
OFS
艾辛河
FN9222.1
2007年7月18日
ISL6315
简化的电源系统图
+5V
IN
Q1
CHANNEL1
Q2
5-6
VID
DAC
V
OUT
Q3
CHANNEL2
ISL6315
Q4
典型用途
+12V
IN
L
IN
+5V
IN
C
F2
C
F1
VCC
DACSEL/VID12
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VRM10
LGATE1
R
艾辛河
艾辛河
BOOT2
R’
OFS
SSEND
ENLL
OFS
R
OFS
UGATE2
V
OUT
C
BOOT2
C
HFIN2
Q3
C
BIN2
C
HFOUT
C
布特
Q2
PHASE1
L
OUT1
UGATE1
PVCC
BOOT1
C
BOOT1
Q1
C
HFIN1
C
BIN1
ISL6315
PHASE2
COMP
C
2
C
1
R
2
LGATE2
保护地
FB
R
1
GND
Q4
L
OUT2
3
FN9222.1
2007年7月18日
ISL6315
绝对最大额定值
电源电压VCC , PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.25V
绝对的启动电压,V
BOOT
。 。 。 。 。 PGND - 0.3V至PGND + 27V
相电压,V
. . . . . . . . . . V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
上层栅极电压,V
UGATE
. . . . V
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压,V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 PGND - 0.3V至VCC + 0.3V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 HBM等级1 JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注1 , 2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
7.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
测试条件: V
CC
= 5V ,T
J
= 0 ° C至+ 85°C ,除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
VCC POR (上电复位)阈值
I
VCC
; ENLL =高
VCC上升
VCC下降
PVCC POR (上电复位)阈值
PVCC崛起
PVCC降
开关频率(每通道)
T
J
= + 25 ° C至+ 85°C
T
J
= -40°C
振荡器斜坡幅度
最大占空比(注3 )
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL下降阈值
参考和DAC
系统精度
T
J
= -40 ° C至+ 85°C
DAC输入低电压
DAC输入高电压
DAC输入上拉电流
误差放大器器
直流增益(注3)
增益带宽积(注3 )
压摆率(注3 )
最大输出电压
最小输出电压
过电流保护
过电流跳闸水平
72
95
115
μA
R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容,R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容,负载=
±400μA
负载= 1毫安
负载= -1mA
-
-
-
3.90
-
96
20
8
4.20
0.80
-
-
-
-
0.90
dB
兆赫
V / μs的
V
V
VIDx = 0V
-1
-1.5
-
0.8
-
-
-
-
-
45
1
1.5
0.4
-
-
%
%
V
V
μA
-
-
0.645
0.567
-
-
V
mV
V
P-P
-
4.2
3.7
-
-
189
166
-
-
4
4.4
3.9
4.3
3.3
222
205
1.33
67
6
4.6
4.1
-
-
255
241
-
-
mA
V
V
V
V
千赫
千赫
V
%
4
FN9222.1
2007年7月18日
ISL6315
电气规格
参数
保护
过电压阈值,而IC残疾人
VRM9.0配置
锤子和VRM10.0配置
过电压阈值
过电压滞后
开关时间
UGATE上升时间(注3 )
LGATE上升时间(注3 )
UGATE下降时间(注3 )
LGATE下降时间(注3 )
UGATE开启非重叠(注3 )
LGATE开启非重叠(注3 )
产量
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意事项:
3.限制应被视为典型的和不生产测试。
百毫安源电流
百毫安灌电流
百毫安源电流
百毫安灌电流
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
0.4
2.5
2.5
2.5
1.0
Ω
Ω
Ω
Ω
t
的Rugate ;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
RLGATE ;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
富盖特;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
FLGATE ;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
PDHUGATE
; V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
PDHLGATE
; V
VCC
= 5V , 3nF的负载
-
-
-
-
-
-
8
8
8
4
8
8
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FB上升
1.90
1.60
-
-
1.95
1.65
VID
+200mV
100
2.00
1.70
-
-
V
V
V
mV
测试条件: V
CC
= 5V ,T
J
= 0 ° C至+ 85°C ,除非另有说明
(续)
测试条件
典型值
最大
单位
时序图
t
PDHUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
FLGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
功能引脚说明
VCC (引脚8 )
偏置电源IC的小信号的电路。这个连接
引脚为5V电源和退耦本地使用0.1μF的质量
陶瓷电容器。
GND和PGND (引脚25和14)
用最短这些引脚连接至电路接地
可能路径。所有内部小信号电路是
引用到GND引脚。 LGATE驱动的参考从所述
PGND引脚。
PVCC (引脚16 )
电源引脚的MOSFET驱动器。将此引脚连接到
5V电源和本地去耦使用1μF的质量
陶瓷电容器。
VID0-4 (引脚2 , 1 , 24-22 )
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL逻辑阈值。该ISL6315解码
VID输入以建立输出电压;看到VID桌
DAC码和输出电压之间的对应关系
设置。这些引脚在内部拉高,
约1.2V ,以40μA (典型值)内部电流
FN9222.1
2007年7月18日
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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