多相PWM稳压器用于IMVP- 6.5 移动
CPU和GPU
ISL62882 ， ISL62882B
该ISL62882是一个多相PWM降压稳压器的
miroprocessor或图形处理器核心供电。
多相降压转换器采用交错阶段
以减少总的输出电压纹波与每个相
承载的总负载电流的一部分，从而提供
更好的系统性能，优异的热
管理，降低元件成本，降低功耗
耗散，以及更小的执行区域。该
ISL62882采用两个集成的栅极驱动器提供
完整的解决方案。 PWM调制器是基于
Intersil的鲁棒纹波稳压器（R
3
）技术 。
与传统的调制器相比，则R
3
调制器命令可变开关频率
在负载瞬变，实现了更快的瞬态
反应。用相同的调制器，开关
频率降低在轻负载，增加
稳压器的效率。
该ISL62882可配置为CPU或图形
核心电压控制器，并完全符合IMVP- 6.5
规格。它响应PSI ＃和DPRSLPVR信号
通过添加或删除第二阶段，调整过流
保护阈值因此，和进入/退出
二极管仿真模式。据报道稳压器输出
电流通过IMON引脚。它可检测电流，通过
无论是使用分立电阻或电感器DCR其
随温度的变化可以是热
由一个单一的NTC热敏电阻进行补偿。它使用
差分远端电压传感精确调节
该处理器管芯的电压。独特的分LGATE
功能进一步提高了轻负载效率。该
自适应体二极管导通时间缩短功能
最大限度地减少了二极管的体二极管传导损耗
仿真模式。用户可选择的过冲减少
功能提供了一个选项，以积极降低
输出电容器以及将其禁用该选项
用户关注的提高了系统的热应力。
该ISL62882提供了FB2功能优化
1阶段的性能。
该ISL62882B具有相同功能的ISL62882 ，
而且是在一个不同的包。
ISL62882 ， ISL62882B
特点
可编程1或2相CPU模式操作或
1相GPU模式操作
精确多相内核稳压
- 0.5％的系统精度过热
- 增强的负载线精度
微处理器电压识别输入
- 7位VID输入， 0V至1.500V以12.5mV的步
- 支持VID变化的On-the -飞
支持多种电流检测方法
- 无损耗电感器DCR电流检测
- 精密电阻电流检测
支持PSI ＃和DPRSLPVR模式
卓越的抗噪和瞬态响应
电流监控和温度监控器
差分远端电压传感
在整个负载范围的高效率
可编程1或2相操作
两个集成的栅极驱动器
出色的动态电流平衡阶段之间
分割LGATE1驱动程序提高轻载效率
FB2功能优化1相模式的性能
自适应体二极管导通时间减少
用户可选的过冲减降功能
体积小40 Ld的5×5或48 Ld的6x6的TQFN
套餐
无铅（符合RoHS ）
应用
笔记本内核稳压器
笔记本GPU电压调节器
2010年4月29日
FN6890.2
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2009年， 2010年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL62882 ， ISL62882B
订购信息
产品型号
（注3）
ISL62882IRTZ （注2）
ISL62882IRTZ -T （注1,2 ）
ISL62882HRTZ （注2）
ISL62882HRTZ -T （注1,2 ）
ISL62882BHRTZ （注2）
ISL62882BHRTZ -T （注1,2 ）
注意事项：
1.请参考
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作） 。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
3.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备信息页
ISL62882 ， ISL62882B 。
有关详细信息，
MSL请参阅techbrief
TB363.
最热
62882 IRTZ
62882 IRTZ
62882 HRTZ
62882 HRTZ
62882 BHRTZ
62882 BHRTZ
TEMP 。 RANGE
(°C)
-40至+100
-40至+100
-10至+100
-10至+100
-10至+100
-10至+100
包
（无铅）
40 Ld的5x5的TQFN
40 Ld的5x5的TQFN
40 Ld的5x5的TQFN
40 Ld的5x5的TQFN
48 Ld的6×6 TQFN
48 Ld的6×6 TQFN
PKG 。
DWG 。 ＃
L40.5x5
L40.5x5
L40.5x5
L40.5x5
L48.6x6
L48.6x6
销刀豆网络gurations
ISL62882
（ 40 LD TQFN ）
顶视图
DPRSLPVR
CLK_EN ＃
ISL62882B
（ 48 LD TQFN ）
顶视图
DPRSLPVR
CLK_EN ＃
VR_ON
VR_ON
VID5
VID6
VID3
VID2
VID4
VID1
VID6
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID5
VID0
40 39 38 37 36 35 34 33 32 31
PGOOD 1
PSI ＃ 2
RBIAS 3
VR_TT ＃ 4
NTC 5
VW
6
GND焊盘
（底部）
30 BOOT2
29 UGATE2
28 PHASE2
27 VSSP2
26 LGATE2
25 VCCP
24 LGATE1b
23 LGATE1a
22 VSSP1
21 PHASE1
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
ISUM +
BOOT1
UGATE1
ISEN1
VDD
IMON
VSEN
RTN
ISUM-
VIN
NC 1
PGOOD 2
PSI ＃ 3
RBIAS 4
VR_TT ＃ 5
NTC 6
7 GND
VW
8
COMP 9
FB 10
FB2 11
NC 12
NC
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
36 BOOT2
35 UGATE2
34 PHASE2
33 VSSP2
32 LGATE2
（底部）
31 NC
30 VCCP
29 LGATE1b
28 LGATE1a
27 VSSP1
26 PHASE1
25 UGATE1
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
ISUM +
BOOT1
FN6890.2
2010年4月29日
COMP 7
FB 8
9 FB2
ISEN2 10
ISEN2
ISEN1
VDD
RTN
IMON
VSEN
NC
ISUM-
2
VIN
NC
NC
ISL62882 ， ISL62882B
功能引脚说明
ISL62882 ISL62882B
-
1
7
2
符号
GND
PGOOD
描述
常见的信号IC的。除非另有说明，信号的参照的
GND引脚。
电源就绪漏极开路输出指示时，稳压器能够提供
稳定电压。拉外部带有680Ω电阻VCCP或1.9kΩ到
3.3V.
低负载电流指示输入。当低电平时，表示降低负荷
目前的状况。
电阻到GND设置内部电流基准。使用147kΩ或47千欧姆。选择
Rbias两端值，连同ISEN2销结构和外部
从COMP引脚连接到GND性，程序控制器来启用/禁用
过冲缩小功能，并选择CPU / GPU模式。
热过载输出指示灯。
热敏电阻输入以VR_TT ＃电路。
从这个引脚COMP方案开关频率的电阻（ 8KΩ给
大约为300kHz ） 。
该引脚是误差放大器的输出端。此外，在该引脚的电阻和
GND调整过流阈值。
该引脚是误差放大器的反相输入端。
还有的FB2引脚和FB引脚的开关。该开关是在2相
模式和关断在单相模式。连接到FB2的组件用于
调整在1相模式的补偿来实现最佳性能。
个人电流感应进行第2阶段时ISEN2拉至5V VDD时，
控制器将关闭第2阶段。
个人电流感应进行第1阶段。
分体式核心电压检测输入。连接到微处理器芯片。
远端电压传感回报。连接到地的微处理器芯片。
2
3
3
4
PSI ＃
RBIAS
4
5
6
7
8
9
5
6
8
9
10
11
VR_TT ＃
NTC
VW
COMP
FB
FB2
10
11
12
13
14, 15
16
17
18
19
13
14
15
16
17, 18
19
20
22
24
ISEN2
ISEN1
VSEN
RTN
ISUM-和ISUM +下垂电流检测输入。
VDD
VIN
IMON
BOOT1
5V偏置电源。
电池电源电压，用于前馈。
的模拟输出。 IMON输出电流成比例的调节器的输出
电流。
连接整个BOOT1和相位缓冲销的MLCC电容。启动
电容通过从VCCP引脚连接一个内部自举二极管充电
到BOOT1引脚，每当PHASE1销低于VCCP减去电压
整个内部自举二极管下降。
输出相位1高边MOSFET栅极驱动器。连接UGATE1销到
相位1高边MOSFET的栅极。
电流返回路径的相位1高边MOSFET栅极驱动器。连接
PHASE1引脚由高侧MOSFET的源极的节点，低边
MOSFET的漏极，以及相位1的输出电感器。
电流返回路径的相位1低边MOSFET栅极驱动器。连接
通过低VSSP1销到相1低边MOSFET的源极
阻抗路径，最好是在与迹线连接LGATE1a平行
和LGATE1b引脚的相位1低边MOSFET的栅极。
输出相位1低边MOSFET栅极驱动器，始终是积极的。连
在LGATE1a销到阶段1的低边MOSFET的栅极处于活动状态的所有
时间。
20
21
25
26
UGATE1
PHASE1
22
27
VSSP1
23
28
LGATE1a
3
FN6890.2
2010年4月29日
ISL62882 ， ISL62882B
功能引脚说明
（续）
ISL62882 ISL62882B
24
29
符号
LGATE1b
描述
阶段1的低边MOSFET栅极驱动器的另一个输出。这个门会驱动
被拉低时， DPRSLPVR引脚逻辑高。连接LGATE1b销到
阶段1的低侧MOSFET是闲置更深的睡眠模式的大门。
输出相位1低边MOSFET栅极驱动器。连接LGATE1销到
阶段1的低边MOSFET的栅极。
输入电压偏置的内部栅极驱动器。连接+ 5V到VCCP引脚。
分离用的MLCC电容器到VSSP1和VSSP2销的至少1μF
分别。
输出相位2低边MOSFET栅极驱动器。连接LGATE2销到
相2低边MOSFET的栅极。
电流返回路径二期转炉低侧MOSFET栅极驱动器。
连接VSSP2销到二期的低边MOSFET的通过源
低阻抗路径，最好是与轨迹连接LGATE2平行
销到二期的低边MOSFET的栅极。
电流返回路径的相位2高边MOSFET栅极驱动器。连接
PHASE2引脚由高侧MOSFET的源极的节点，低边
MOSFET的漏极，和阶段2的输出电感器。
输出相位2高边MOSFET栅极驱动器。连接UGATE2销到
阶段2的高边MOSFET的栅极。
连接整个BOOT2和PHASE2引脚的MLCC电容。启动
电容通过从VCCP引脚连接一个内部自举二极管充电
到BOOT2销，每次PHASE2销低于VCCP减去电压
整个内部自举二极管下降。
VID输入， VID0 = LSB和VID6 = MSB 。
稳压器的使能输入。该引脚上的高电平逻辑信号使
调节器。
深度睡眠使能信号。该引脚上的高电平逻辑信号指示
微处理器是在更深的睡眠模式。
开漏输出，使系统的PLL时钟。它变低， 13个开关周期
核心电压之后是内VBOOT的10％。
无连接。
ISL62882B的底垫电连接到内部的GND引脚
IC 。
-
25
-
30
LGATE1
VCCP
26
27
32
33
LGATE2
VSSP2
28
34
PHASE2
29
30
35
36
UGATE2
BOOT2
31 THRU 37
38
39
40
-
PAD
38通44
45
46
47
48
PAD
VID0通VID6
VR_ON
DPRSLPVR
CLK_EN ＃
NC
底部
4
FN6890.2
2010年4月29日
QQ：2881677436 复制
