ISL6260C
数据表
2010年6月21日
FN9259.3
为IMVP - 6多相PWM稳压器+
移动处理器
该ISL6260C是一个多相PWM降压稳压
miroprocessor核心供电。所述多个相
在更好的系统性能实施效果,卓越的
热管理,降低元件成本,降低功耗
耗散,以及更小的执行区域。该ISL6260C
多相控制器ISL6208外部栅极在一起
驱动程序提供一个完整的解决方案来驱动英特尔的移动
微处理器。 ISL6260C的PWM调制器是基于
关于Intersil的鲁棒纹波稳压器技术(R
3
).
与传统的多相降压型稳压器时,R相比
3
调制器的命令加载时可变开关频率
瞬变,达到更快的瞬态响应。与
相同的调制器,所述开关频率被降低,在光
负载条件下得到的较高的操作效率。
英特尔移动电压定位( IMVP )降低功耗
功耗英特尔奔腾处理器。该ISL6260C是
设计是完全符合IMVP- 6 +
规格。 ISL6260C通过添加或响应PSI #信号
PWM2下降和调整过流保护
因此。为了降低可听噪声的DPRSLPVR信号
在进入时可以用来减小输出电压摆率
而根据英特尔规范退出深度睡眠状态。
该ISL6260C有其他几个关键特性。 ISL6260C
通过电源监视器引脚报告的输出功率。当前
意识可以通过使用电感DCR或实现
分立精密电阻。在DCR电流的情况下
感测,单个NTC热敏电阻,用于热
补偿电感器DCR随温度的变化。一
单位增益,微分放大器可用于远程
电压检测。这允许在CPU芯片到电压
被精确地调节,以满足英特尔IMVP- 6 +
特定连接的阳离子。
特点
精确多相内核稳压
- 0.5%的系统精度在整个温度范围
- 增强的负载线精度
微处理器电压识别输入
- 7位VID输入
- 0.300V至1.500V的12.5mV的步
- 支持VID变化的On-the -飞
多种电流传感方式支持
- 无损DCR电流检测
- 精密电阻电流检测
支持PSI #窄VDC ,提高电池寿命
( EBL )倡议
卓越的抗噪和瞬态响应
电源监控器和温度监控器
差分远端电压传感
在整个负载范围的高效率
可编程的1 , 2或3通道电源
卓越的动态电流通道之间的平衡
体积小40 Ld的6×6 QFN封装
IMVP - 6 +标准
无铅(符合RoHS )
应用
移动笔记本电脑
订购信息
产品型号
(注)
ISL6260CCRZ
ISL6260CCRZ-T*
ISL6260CIRZ
ISL6260CIRZ-T*
最热
ISL6260 CCRZ
ISL6260 CCRZ
ISL6260 CIRZ
ISL6260 CIRZ
TEMP 。 RANGE
(°C)
-10至+100
-10至+100
-40至+100
-40至+100
包
(无铅)
40 Ld的的6x6 QFN
40 Ld的的6x6 QFN磁带和卷轴
40 Ld的的6x6 QFN
40 Ld的的6x6 QFN磁带和卷轴
PKG 。
DWG 。 #
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
*请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL分类,可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2006年, 2010年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6260C
引脚
ISL6260C
( 40 LD QFN )
顶视图
DPRSTP #
CLK_EN #
PGOOD
DPRSLPVR
VR_ON
OCSET
过电流的输入设置。从这个引脚VO套电阻
DROOP电压极限超频之旅。一个10μA电流源
内部连接到该引脚。
VID5
VID4
VID6
VID3
VW
从这个引脚的电阻至COMP程序切换
频率。 ( 7kΩ提供大约为300kHz ) 。 VW引脚
源电流。
30 VID2
29 VID1
28 VID0
27 PWM1
40
PSI # 1
PMON 2
RBIAS 3
VR_TT # 4
NTC 5
SOFT 6
7 OCSET
VW 8
COMP 9
FB 10
11
VDIFF
3V3
39
38
37
36
35
34
33
32
31
COMP
该引脚是误差放大器的输出端。
FB
该管脚为误差放大器的反相输入端。
GND焊盘
(底部)
26 PWM2
25 PWM3
24 FCCM
23 ISEN1
22 ISEN2
21 ISEN3
VDIFF
该引脚为差分放大器的输出端。
VSEN
分体式核心电压检测输入。连接
微处理器芯片。
RTN
远端电压传感回报。连接到地面
微处理器芯片。
12
VSEN
13
RTN
14
垂
15
DFB
16
VO
17
VSUM
18
VIN
19
VSS
20
VDD
垂
输出下垂放大器。输出= VO +下垂。
功能引脚说明
PSI #
低负载电流指示输入。当置为低电平,
表示减少负载电流条件。对于ISL6260C ,
当PSI #为低电平时, PWM2将被禁用。
DFB
反相输入端下垂放大器。
VO
输入到IC ,报告所述本地输出电压。
PMON
的模拟输出。 PMON发出模拟信号
成正比VCCSENSE电压和的产物
下垂的电压。
VSUM
该引脚被连接到电流求和结点。
VIN
电池电源电压,用于前馈。
RBIAS
147K电阻到VSS设置内部电流基准。
VSS
信号地;连接到本地控制器接地。
VR_TT #
热过载输出指示灯。
VDD
5V偏置电源。
NTC
热敏电阻输入以VR_TT #电路。
ISEN3
单个电流检测通道3 。
软
从这个引脚到VSS的电容器设置最大转换速率
输出电压。它影响了软启动和VID
过渡转换率。软引脚的非反相输入
误差放大器。
ISEN2
单个电流检测通道2 。
ISEN1
单个电流检测通道1 。
FCCM
强制连续传导模式( FCCM )使能引脚
MOSFET驱动器。这将禁用二极管仿真。
2
FN9259.3
2010年6月21日
ISL6260C
PWM3
PWM输出,当PWM3拉至5V通道3
VDD , PWM3将被禁用,允许其他渠道
操作。
VR_ON
稳压器的使能输入。高层次的逻辑信号,
该引脚使能器。
DPRSLPVR
深度睡眠使能信号。在稳定状态下,一个高电平
该引脚上的逻辑信号表示该微处理器是
在更深的睡眠模式。之间的积极和睡眠模式
转型,在这个引脚计划慢C4入门高逻辑电平
出境;该引脚上节目大收费低逻辑电平
或放电软脚的电流,因此输出速度快
电压转变摆率。
PWM2
PWM输出通道2.对于ISL6260C , PSI #意愿低
使这个输出三态。当PWM2被拉至5V的VDD ,
PWM2将被禁用,允许其他渠道来操作。
PWM1
PWM输出通道1 。
VID0 , VID1 , VID2 , VID3 , VID4 , VID5 , VID6
VID输入, VID0 = LSB和VID6 = MSB 。
DPRSTP #
深度睡眠使能信号。在这个低逻辑电平信号
针指示该微型处理器是在深度睡眠
模式。
CLK_EN #
数字输出,使系统PLL时钟;变为有效后,
核心电压后, 13个开关周期内启动的10 %
电压。
PGOOD
电源良好漏极开路输出。将外部上拉
通过680Ω电阻VCCP或1.9kΩ至3.3V 。
3V3
3.3V电源电压CLK_EN #逻辑,这样的
实施将提高从3.3V功耗
相比于明智的开漏等。
3
FN9259.3
2010年6月21日
ISL6260C
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 7V
电池电压,V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +25V
漏极开路输出, PGOOD , VR_TT # 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 7V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至(V
DD
+ 0.3V)
热信息
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
30
5.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
热阻(注1,2 )
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 100°C
电源电压范围(典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 5 %
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
工作条件: V
DD
= 5V ,T
A
= -40° C到+ 100℃,除非另有说明。与MIN和/或参数
最大极限值100%测试在+ 25 ℃,除非另有规定。温度限制成立
表征和不生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
输入电源
+ 5V电源电流
I
VDD
I
3V3
I
VIN
R
VIN
POR
r
POR
f
VR_ON = 3.3V
VR_ON = 0V
3.6
4.2
1
1
1
mA
A
A
A
kΩ
+ 3.3V电源电流
电池供电电流
V
IN
输入阻抗
上电复位阈值
在CLK_EN #无负载
VR_ON = 0V
VR_ON = 3.3V
V
DD
升起
V
DD
落下
VDD下降,T
A
= -10 ° C至+ 100°C
3.95
4.00
900
4.35
4.15
4.15
4.5
V
V
V
系统及参考
系统精度
误差(%)
(V
CC_CORE
)
无负载;闭环,主动模式范围
VID = 0.75V - 1.50V
无负载;闭环,主动模式范围
VID = 0.75V - 1.50V ,T
A
= -10 ° C至+ 100°C
VID = 0.5V - 0.7375V
VID = 0.5V - 0.7375V ,T
A
= -10 ° C至+ 100°C
VID = 0.3 - 0.4875V
VID = 0.3 - 0.4875V ,T
A
= -10 ° C至+ 100°C
V
BOOT
最大输出电压
最小输出电压
VID关闭状态
R
BIAS
电压
信道频率
标称频率频道
调整范围
放大器器
下垂放大器的失调
误差放大器的直流增益
误差放大器增益带宽积
A
v0
GBW
(注3)
C
L
= 20pF的(注3)
-0.3
90
18
+0.3
mV
dB
兆赫
f
SW ( NOM )
Rfset = 7kΩ , 3通道运行,V
COMP
= 2V
见公式4 R
FSET
选择
285
200
300
315
500
千赫
千赫
V
CC_CORE (最大)
VID = [ 0000000 ]
V
CC_CORE (分钟)
VID = [ 1100000 ]
VID = [ 1111111 ]
R
BIAS
= 147kΩ
1.45
-0.8
-0.5
-10
-8
-18
-15
1.176
1.200
1.500
0.300
0.0
1.47
1.49
+0.8
+0.5
+10
+8
+18
+15
1.224
%
%
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
V
4
FN9259.3
2010年6月21日
ISL6260C
电气规格
工作条件: V
DD
= 5V ,T
A
= -40° C到+ 100℃,除非另有说明。与MIN和/或参数
最大极限值100%测试在+ 25 ℃,除非另有规定。温度限制成立
表征和不生产测试。
(续)
符号
I
IN (FB)
ISENs最大 - ISENs最小
20
测试条件
民
典型值
10
最大
150
单位
nA
参数
FB输入电流
艾辛河
不平衡电压
输入偏置电流
目前软
软启动电流
软盖瑟维尔电流
SOFT深度睡眠电流输入
SOFT深度睡眠退出当前
SOFT深度睡眠退出当前
2
mV
nA
I
SS
I
GV
I
C4
I
C4EA
I
C4EB
V
OL
I
OH
TPGD
OV
H
OV
HS
| SOFT -V
DAC
| >100mV
DPRSLPVR = 3.3V
DPRSLPVR = 3.3V
DPRSLPVR = 0V
-47
±180
-47
37
180
-42
±205
-42
42
205
-37
±230
-37
47
230
A
A
A
A
A
POWER GOOD AND保护监视
PGOOD低电压
PGOOD泄漏电流
PGOOD延迟
过电压阈值
严重的过电压阈值
OCSET参考电流
OC阈值偏移
不平衡电流阈值
欠压阈值
( VDIFF / SOFT )
逻辑阈值
VR_ON和DPRSLPVR输入低
VR_ON和DPRSLPVR输入高
VID0 - VID6 , PSI # , DPRSTP #输入
低
VID0 - VID6 , PSI # , DPRSTP #输入
高
PWM
PWM ( PWM1 , PWM3 )输出低
FCCM输出低
PWM ( PWM1 , PWM3 )和FCCM
输出高
PWM三态泄漏
温度监控
NTC源电流
过温阈值
VR_TT #低输出阻抗
CLK_EN #输出电平
CLK_EN #高输出电压
CLK_EN #低输出电压
电源监视器
PMON输出电压
Vpmon
VSEN = 1.2V ,下垂- VO = 80mV的
VSEN = 1.0V ,下垂- VO = 20mV的
1.638
0.308
1.68
0.35
1.722
0.392
V
V
V
OH
V
OL
3V3 = 3.3V , I = -4mA
I = 4毫安
2.9
3.1
0.26
0.4
V
V
R
TT
NTC = 1.3V
V( NTC )下降
我= 20mA下
53
1.18
60
1.2
6.5
67
1.22
9
A
V
Ω
V
OL(5.0V)
V
OL_FCCM
V
OH(5.0V)
下沉5毫安
下沉3毫安
采购5毫安
PWM = 2.5V
3.5
-1
1
1.0
1.0
V
V
V
A
V
IL(3.3V)
V
IH(3.3V)
V
IL(1.0V)
V
IH(1.0V)
0.7
2.3
0.3
1.0
V
V
V
V
UV
f
I
PGOOD
= 4毫安
PGOOD = 3.3V
CLK_ENABLE #低到高PGOOD
VO升高超过设定值>1ms
VO上涨>2μs
我(R
BIAS
) = 10A
DROOP升起OCSET的>150μs
一个ISEN在另一个之上ISEN的>1.2ms
VO下降到低于设定值>1.2ms
-355
-1
6.3
160
1.675
9.8
-2
9
-295
-235
7.6
200
1.7
10
0.26
0.4
1
8.9
240
1.725
10.2
4
V
A
ms
mV
V
A
mV
mV
mV
5
FN9259.3
2010年6月21日