ISL6253
绝对最大额定值
DCIN ， CSIP ， DCPRN ， ACPRN ， CSON到GND 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 28V
CSIP - CSIN ，南方东英， CSON 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
CSIP - SGATE ， CSIP - BGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7V至28V
引导至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 35V
BOOT -PHASE ， VDD ， GND ， VDDP ，保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
ICM ， ICOMP ， VCOMP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
ACSET和DCSET到GND （注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.8V到VDD + 0.3V
VDDP ， ACLIM ， CHLIM ，VREF细胞。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
EN ， VADJ ， PGND到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PHASE - 0.3V引导+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。保护地 - 0.3V至VDDP + 0.3V
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
39
9.5
QSOP封装（注5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
NA
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 100°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级的唯一经营
器件在这些或以上的规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
3.当跨越ACSET和DCSET电压低于0V时，电流通过ACSET和DCSET应该比1毫安限于以下。
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
5.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
6.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ，南方东英= CSON = 12V ， ACSET = DCSET = 1.5V ， VREF = ACLIM = CHLIM ，
VADJ =浮动， EN = VDD = 5V ， BOOT -PHASE = 5.0V ， GND地线= = 0V ，C
VDD
= 1μF我
VDD
= 0毫安，
T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C，T
J
≤
125 ℃，除非另有说明。
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
电源和偏置稳压器
DCIN输入电压范围
DCIN静态电流
DCIN静态电流关断模式
电池漏电流（注5）
VDD输出电压/调节
VDD欠压锁定触发点
7
EN = VDD ， 7V
＆ LT ;
DCIN
＆ LT ;
25V
EN = 0时， 7V
＆ LT ;
DCIN
＆ LT ;
25V
DCIN = 0时，无负载
7V
＆ LT ;
DCIN
＆ LT ;
25 V, 0
＆ LT ;
I
VDD
＆ LT ;
30mA
升起
迟滞
O
＆ LT ;
I
VREF
＆ LT ;
300A
CSON = 16.8V ，细胞= VDD ， VADJ =浮动
CSON = 12.6V ，细胞= GND ， VADJ =浮动
CSON = 8.4V ，细胞= FLOAT ， VADJ =浮动
CSON = 17.64V ，细胞= VDD ， VADJ = VREF
4.925
4.2
100
2.365
-0.5
-0.55
-0.55
-0.6
-0.6
-0.6
-0.6
-0.6
-0.6
1.6
1.3
2
5.075
4.4
250
2.390
0
0
0
0
0
0
0
0
0
25
4
3
10
5.225
4.6
400
2.415
0.5
0.55
0.55
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
V
mA
mA
A
V
V
mV
V
输出参考电压Vref
电池充电电压精度
CSON = 13.23V ，细胞= GND ， VADJ = VREF
CSON = 8.82V ，单元= FLOAT ， VADJ = VREF
CSON = 15.96V ，细胞= VDD ， VADJ = GND
CSON = 11.97V ，细胞= GND ， VADJ = GND
CSON = 7.98V ，单元= FLOAT ， VADJ = GND
%
触发点
ACSET门槛
ACSET输入偏置电流滞后
ACSET输入偏置电流
ACSET输入偏置电流
DCSET门槛
ACSET > 1.26V
ACSET < 1.26V
1.235
2
2
-1
1.235
1.26
3.4
3.4
0
1.26
1.285
4.8
4.8
1
1.285
V
A
A
A
V
3
QQ：2880707522 复制
