ISL6227
数据表
2006年12月21日
FN9094.4
双移动友好PWM控制器
DDR选项
该ISL6227双PWM控制器提供高效率
从两个同步降压型DC / DC电压精度调节
转换器。它的目的是特别提供电源
调控的DDR内存，芯片组，显卡等
电子系统在笔记本电脑。该ISL6227的宽
输入电压范围能力，允许电压转换
直接从AC / DC适配器或锂离子电池组。
中恒频同步自动模式转型
整治在重负载和滞后（ HYS ） diode-
仿真在轻负载时，保证高效率在宽范围内
的条件。操作的HYS模式可以被禁用
分别在每个PWM变换器，如果恒频
连续导通操作所需的所有负载水平。
效率是通过使用较低的MOSFET进一步增强
r
DS （ ON）
作为电流检测元件。
电压前馈斜坡调制，电流模式控制，
和内部反馈补偿提供快速响应
输入电压和负载瞬变。输入电流纹波
由通道至通道PWM相位的0°移减至最小，90°或
180 °（由输入电压和在DDR销的状态确定）。
该ISL6227可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电解决方案。
在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1输出
电压VDDQ 。 CH2输出可源和吸收电流，一个
必要的电源功能的DDR内存。参考
通过DDR内存所需的电压VREF生成。
在双电源应用的ISL6227监控
CH1和CH2的输出电压。一个独立的PGOOD
（电源良好）信号被确认为之后的每个通道
软启动过程已完成，并输出电压为
在PGOOD窗口。在DDR模式CH1产生的唯一
PGOOD信号。
内置过压保护防止输出从去
高于设定值由持有较低的MOSFET 115 ％
和上部MOSFET关断。当输出电压重新进入
法规， PGOOD将变为高电平，并正常运行
自动恢复。一旦软启动序列具有
完成后，欠压保护锁存违规
通道关闭，如果输出低于其设定点值的75％。
可调式过电流保护（ OCP ）监控电压
接R降
DS （ ON）
的低端MOSFET 。如果更精确
电流检测是必需的，一个外部电流检测电阻器
可被使用。
特点
提供稳定的输出电压范围为0.9V - 5.5V
从5V至24V的输入电池电压范围内工作
或3.3V / 5V轨系统
有完整的DDR1和DDR2内存的电源解决方案
VTT跟踪VDDQ / 2和VDDQ / 2缓冲基准
产量
灵活的PWM或HYS加PWM模式选择与HYS
二极管仿真在轻负载，提高系统效率
r
DS （ ON）
电流检测
具有电压前馈和出色的动态响应
电流模式控制包容广泛的LC滤波器
SELECTIONS
VCC引脚上的欠压锁定
电源良好，过流，过压，欠压
保护两个通道
在PWM模式下同步的300kHz PWM操作
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
笔记本电脑和台式笔记本
平板电脑/板岩
手持便携式仪器
订购信息
产品编号
ISL6227CA
部分
记号
ISL6227CA
温度。
范围（° C）
包
PKG 。
DWG 。 ＃
-10到+100 28 Ld的QSOP M28.15
-10到+100 28 Ld的QSOP M28.15
（无铅）
-40至+100 28 Ld的QSOP M28.15
-40至+100 28 Ld的QSOP M28.15
（无铅）
L28.5x5
L28.5x5
ISL6227CAZ ISL6227CAZ
（注）
ISL6227IA
ISL6227IAZ
（注）
ISL6227IA
ISL6227IAZ
ISL6227HRZ ISL6227HRZ -10到+100 28 Ld的QFN
（注）
（无铅）
ISL6227IRZ
（注）
ISL6227IRZ
-40至+100 28 Ld的QFN
（无铅）
添加-T以零件号为磁带和卷轴
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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版权所有Intersil公司美洲2004-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6227
绝对最大额定值
偏置电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 6.5V
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 25.0V
相， UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 5V （注1 ）到33.0V
BOOT ， ISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 33.0V
BOOT的针对相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+ 0.3V
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
80
不适用
SSOP封装（注2 ）
. . . . . . . . . . . . . .
QFN封装（注3,4）
. . . . . . . . . . . .
36
6
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
推荐工作条件
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.0V
±
5%
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.0V至+ 24.0V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 ° C至+ 100°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 ° C至+ 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. 250ns的瞬间。见围负相节点电压摆幅的应用信息科
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源
偏置电流
关断电流
VCC UVLO
VCC上升阈值
VCC下降阈值
V
IN
输入电压引脚电流（漏）
关断电流
振荡器
PWM1振荡器频率
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点，V
IN
> 5V
-
-
1.8
-
3.0
1
mA
μA
V
CCU
V
CCD
4.3
4
4.45
4.14
4.5
4.34
V
V
I
VIN
I
VINS
-
-
-
-
35
1
μA
μA
F
c
商业， ISL6227C
工业， ISL6227I
255
240
-
-
-
-
-
300
300
2
0.625
1
125
250
345
345
-
-
-
-
-
千赫
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
V
IN
= 16V ，设计
V
IN
= 5V ，设计
通过设计
V
IN
≥
4.2V ，设计
V
IN
≤
4.1V设计
V
REF
-
-1.0
0.9
-
-4.5
1.5
-
+1.0
-
-
V
%
μA
V
I
软
V
ST
通过设计
-
-
3
FN9094.4
2006年12月21日
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