S
D E S I GN
新
NT：
DED F
奥门 REPLACEME
REC
不
DE
EN
数据表
9
逸康27或ISL653
R
ISL62
ISL6225
2004年12月28日
FN9049.7
双移动友好PWM控制器
DDR内存选项
该ISL6225双PWM控制器提供高效率，
从两个电压精确调节调节同步降压
直流/直流转换器。该ISL6225 PWM电源控制器
被专门设计用于DDR DRAM，SDRAM ，和图形
芯片应用中的高性能DeskNote电脑PC机，
笔记本电脑，亚笔记本电脑和PDA。
中恒频同步自动模式选择
整治在重负载和迟滞二极管仿真，在
轻负载，确保高效率在宽范围的
条件。操作迟滞模式可以禁用
分别在每个PWM变换器，如果恒频
连续导通操作所需的所有负载水平。
效率是通过使用较低的MOSFET进一步增强
r
DS （ ON）
作为电流检测元件。
电压前馈斜坡调制，平均电流模式
控制和内部反馈补偿提供快捷
响应于输入电压和输出负载瞬变。输入
纹波电流通过通道到通道PWM最小化
为0°的相移，90°，或180°由输入电压决定
并在DDR销的状态。
该ISL6225可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电
的解决方案。在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1
输出电压VDDQ 。 CH2输出能源和汇
对于DDR内存目前，一个基本电源功能
系统。由DDR所需的参考电压VREF
存储器被生成。
在双电源应用的ISL6225监控
CH1和CH2的输出电压。独立
PGOOD （电源好）信号被确认为每个信道
软启动序列已完成，并输出后
电压在设定值的±10％ 。在DDR模式CH1
生成唯一的PGOOD信号。
内置过压保护防止输出
要高于设定值115 ％通过保持较低的
MOSFET导通和上MOSFET关断。当输出
电压衰减低于过压阈值，正常
操作自动恢复。一旦软启动
序列已完成，欠压保护可
锁存器ISL6225关闭，如果任一输出下降到低于75 ％的
设定点值。
可调式过电流保护（ OCP ）监控
接R的电压降
DS （ ON）
的低端MOSFET 。如果
更精确的电流检测是必需的，一个外部电流
感测电阻器可以被使用。
1
特点
提供稳定的输出电压在0.9V - 5.5V的范围内
- 高效率，在很宽的负载范围内
- 同步降压转换器的迟滞操作
轻载
- 禁止滞回模式上的一个或两个通道
完整的DDR内存电源解决方案
- VTT跟踪VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
无需电流检测电阻器
- 使用MOSFET
DS （ ON）
- 可选的电流检测电阻的精密过电流
在V欠压锁定
CC
针
双输入电压工作模式
- 直接工作于电池5V至24V输入
- 工作于3.3V或5V轨系统
- 从5V VCC只
出色的动态响应
- 复合电压前馈和平均电流
模式控制
电源良好信号，每个通道
300kHz开关频率
- 180 °通道间的相位操作，可降低输入
纹波在不DDR模式
- 0 °通道间的相位操作DDR模式
减少信道干扰
- 90 °通道间的相位操作，可降低输入
纹波在DDR模式下，当VIN为GND 。
无铅可（符合RoHS ）
应用
移动PC
- 掌上电脑
手持便携式仪器
订购信息
产品型号
ISL6225CA
ISL6225CAZ （注1 ）
ISL6225CAZA （注1 ）
TEMP 。 （ ° C）
-10到85
-10到85
-10到85
包
28 Ld的SSOP
PKG 。
DWG 。 ＃
M28.15
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
注意事项：
1. Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止
完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2.添加“ -T”的磁带和卷轴。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002-2004 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6225
绝对最大额定值
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+ 6.5V
输入电压V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +27.0V
相， UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -5V （注3） 33V
BOOT ， ISEN电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 33.0V
BOOT的针对相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型，注4 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
78
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SSOP - 只会提示）
推荐工作条件
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.0V
±5%
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.0V至+ 24.0V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
3. 200ns的瞬间。
4.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
V
CC
供应
偏置电流
关断电流
V
CC
UVLO
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
V
IN
输入电压引脚电流（漏）
输入电压引脚电流（源）
关断电流
振荡器
PWM1振荡器频率
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点， DDR = 0 ， VIN > 5V
-
-
2.2
-
3.2
30
mA
A
V
CCU
V
CCD
4.3
4.1
4.65
4.35
4.75
4.45
V
V
I
VIN
I
VINO
I
VINS
10
-
-
-
-15
-
30
-30
1
A
A
A
F
C
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
V
IN
= 16V ，设计
V
IN
= 5V ，设计
通过设计
V
IN
≥
3V ，设计
1
≤
V
IN
≤
3V ，设计
255
-
-
-
-
-
300
2
1.25
0.5
125
250
345
-
-
-
-
-
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
V
REF
-
-1.0
0.9
-
-5
1.5
-
+1.0
-
-
V
%
A
V
I
软
V
ST
通过设计
-
-
3
FN9049.7
2004年12月28日
ISL6225
功能引脚说明
GND （引脚1 ）
信号地的IC 。
SOFT1 ， SOFT2 （引脚12 ， 17 ）
这些引脚为各自提供软启动功能
控制器。当芯片被激活，被监管5μA
上拉电流源充电，从连接在所述电容器
该引脚接地。转换器的输出电压跟随
在斜坡电压就软脚。
LGATE1 ， LGATE2 （引脚2 ， 27 ）
这些是下MOSFET驱动器的输出。
PGND1 ， PGND2 （引脚3 ， 26 ）
这些引脚为低闸返回连接
驱动程序。这些引脚被连接到所述下部源
其各自的转换器的MOSFET。
DDR （引脚13 ）
该引脚，高电平时，转换双通道芯片进入
完整的DDR内存解决方案。该OCSET2引脚变为
的输入，以提供所需的跟踪功能。该
信道的同步，从外的相位，以在 - 变
阶段。该PG2 / REF引脚变为VDDQ输出/
被用作由基准电压2的缓冲电压
第二个通道。
PHASE1 ， PHASE2 （引脚4 ， 25 ）
相位缓冲和PHASE2点的结点
上部MOSFET的源，输出滤波器电感器和
较低的MOSFET漏极。这些引脚连接到各自的
转换器的上部MOSFET的源极。
VIN （引脚14 ）
提供了电池电压的振荡器，用于前馈
拒绝的输入电压变化。
当通过100kΩ的电阻而连接到地
DDR引脚为高电平时，此引脚命令90的相外
o
为减少通道间的通道同步
干扰。
UGATE1 ， UGATE2 （引脚5 ， 24 ）
这些引脚为上层提供MOSFET的栅极驱动。
BOOT1 ， BOOT2 （6脚， 23 ）
这些引脚供电PWM的上MOSFET驱动器
转换器。该引脚连接至自举的交界处
电容器的自举二极管的阴极。阳极
自举二极管连接到VCC引脚。
PG1 （引脚15 ）
PGOOD1是用于指示状态的开漏输出
输出电压。该引脚被拉低时，第一
信道输出不是在设定值的±10％ 。
ISEN1 ， ISEN2 （引脚7 ， 22 ）
这些引脚被用来监视整个电压降
为电流反馈和过电流的MOSFET低
保护。为了获得精确的电流检测这些投入可以
连接到可选的电流检测电阻放置在
系列具有较低的MOSFET的源极。
PG2 / REF （引脚16 ）
该引脚具有双重功能取决于模式
芯片是否正常。当芯片被用作一个双通道
PWM控制器（DDR = 0）时，销提供了PGOOD2
函数为所述第二信道。该引脚被拉低时，
所述第二信道输出不是在设定值的±10％ 。
在DDR模式（ DDR = 1 ）时，此引脚充当的输出
缓冲放大器，可提供VDDQ / 2的参考电压
施加于OCSET2销。
EN1 ， EN2 （引脚8 ， 21 ）
这些引脚使各转换器的操作
当高。当两个引脚为低电平时，芯片将被禁用，
只有低漏电流<1μA取自V
CC
和V
IN
.
这些引脚被连接在一起，并且在切换所述
同一时间。
VOUT1 ， VOUT2 （引脚9 ， 20 ）
当连接到该转换器的各自的上述引脚
输出提供输出电压的芯片内，以减少
在HYS / PWM转换输出电压偏移。当
连接到地面上，这些引脚强制命令
转换器工作在连续导通模式可言
负荷水平。
OCSET2 （引脚18 ）
在双通道的应用（DDR = 0），从该电阻器
引脚接地设置过流阈值第二
控制器。
在DDR应用（ DDR = 1 ）时，此引脚将输出
缓冲放大器和第二控制器的电压和
应连接到一个分压器从中心点
VDDQ输出。
VSEN1 ， VSEN2 （引脚10 ， 19 ）
这些引脚被连接到该设置的电阻分压器
所需的输出电压。在PGOOD ， UVP和OVP
电路使用该信号来报告输出电压的状态。
VCC （引脚28 ）
该引脚的权力控制。
OCSET1 （引脚11 ）
此引脚与地之间的电阻设定过电流
阈值的第一控制器。
5
FN9049.7
2004年12月28日
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