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ESIG
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EW
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DED UTE公关
EN IT
MM
T
217A
ECO ê SUBS L6
数据表
R
T
S
I
SE
NO
ISL6217
2006年12月
FN9089.3
精密多相降压PWM
控制器的英特尔,移动电压
定位IMVP- IV和IMVP -IV +
该ISL6217多相降压PWM控制IC ,具有
集成半桥栅极驱动器,提供了一个精确
先进的奔腾“四调压系统
微处理器的笔记本电脑。两相
操作简化热管理问题和负载
英特尔最新的高性能处理器的需求。这
控制IC还具有两个输入电压前馈和
平均电流模式控制出色的动态
对此, “无损耗”电流检测用MOSFET
的RDS(ON ),并从用户可选择的开关频率
250kHz至每相1MHz的。
该ISL6217包括一个6位数字 - 模拟转换器
( DAC)的动态调整核心PWM输出
在16mV的步骤,并符合从0.700V到1.708V电压
英特尔IMVP -IV 和IMVP- IV + 移动VID
规范。该ISL6217还具有逻辑输入选择
活跃的,深睡眠和工作深度睡眠模式。
精密基准测量,遥感和专有
架构,集成了处理器的方式予以补偿
“下垂” ,提供优异的静态和动态核心电压
调节。
为了提高轻负载效率,在ISL6217可
配置为单相PWM在运行活动,或深
操作更深的睡眠模式。
该IC控制器的另一个特征是所述的PGOOD显示器
电路保持为低电平,直到核心电压增加,在
其软启动过程中, “引导”的电压为在12 % 。
在VID变化这PGOOD信号被屏蔽。产量
过流,过压和欠压监控
和结果,在转换器闩锁关闭和PGOOD信号
正在举行低。
过压和欠压阈值是112 %
和VID ,深度或深度睡眠模式设定为84% ,
分别。过电流保护功能, 32周期
过流关断。 PGOOD ,过压,欠压
并提供过电流监控保护的
微处理器和电源系统。该ISL6217 IC是
可在一个38引脚TSSOP封装。
特点
IMVP -IV 和IMVP- IV + 兼容内核稳压器
单和/或两相电源转换
“无损耗”电流检测,以提高效率和
减少电路板面积
可选离散精密电流检测电阻器
内部栅极驱动器和自举二极管
精密核心电压调节
0.8 %的系统精度在整个温度范围
6位微处理器电压识别输入
可编程的“下垂”的核心电压摆率,以
符合IMVP -IV 和IMVP- IV + 规范
直接接口与系统逻辑( STP_CPU #和
DPRSLPVR )的深度和深度睡眠模式
手术
轻松可编程电压设定值初始“引导” ,
深度睡眠和深度睡眠模式
出色的动态响应
结合电压前馈和平均
电流模式控制
过压,欠压和过流保护
VID期间电源就绪输出与内部消隐和
模式改变
用户可编程的250kHz开关频率 -
每相1MHz的
无铅加退火用(符合RoHS)
订购信息
产品型号
ISL6217CV
ISL6217CV-T
ISL6217CVZ
(注1 )
ISL6217CVZ-T
(注1 )
ISL6217CVZA
(注1 )
ISL6217CVZA-T
(注1 )
注意事项:
1. Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
(无铅)
(无铅)
-10到85
38 Ld的TSSOP
(无铅)
38 Ld的TSSOP卷带
M38.173
M38.173
TEMP (℃)
-10到85
38 Ld的TSSOP
PKG 。
DWG 。 #
M38.173
M38.173
M38.173
M38.173
38 Ld的TSSOP卷带
-10到85
38 Ld的TSSOP
(无铅)
38 Ld的TSSOP卷带
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产
ISL6217
引脚
ISL6217 ( 38引脚TSSOP )
顶视图
VDD 1
DACOUT 2
DSV 3
FSET 4
PWRCH 5
EN 6
DRSEN 7
DSEN # 8
VID0 9
VID1 10
VID2 11
VID3 12
VID4 13
VID5 14
PGOOD 15
EA + 16
COMP 17
FB 18
SOFT 19
ISL6217
TSSOP
38 VBAT
37 ISEN1
36 PHASE1
35 UG1
34 BOOT1
33 VSSP1
32 LG1
31 VDDP
30 LG2
29 VSSP2
28 BOOT2
27 UG2
26 PHASE2
25 ISEN2
24 VSEN
23 DRSV
22 STV
21 OCSET
20 VSS
2
ISL6217
框图
VSEN
PGOOD
EN
1.3V
+
-
POWER- ON
复位( POR )
VDD
+
OVP
-
控制
故障逻辑
+
-
时钟和
锯齿
发电机
高阻抗状态
112 %提高
102 %降
88 %提高
84 %降
+
-
UV
+
VBAT
1.75V
FS
Σ
+
PWM
-
PWM1
高阻抗状态
Σ
-
+
PWM
-
VDDP
PWM2
PWRCH
32 COUNT
时钟
周期
DACOUT
EA +
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
VID5
COMP
FB
OCSET
1.75V
+
IDROOP
VID
D / A
-
+
E / A
VSOFT
开始
BOOT1
UG1
PWM1
逻辑
PHASE1
VDDP
LG1
PWM2
逻辑
VDDP
VSSP1
BOOT2
UG2
通道
当前
平衡
PWRCH
PHASE2
VDDP
0.435
IOCSET
+
-
OC
LG2
VSSP2
Σ
-2μA
1
2N
Σ
8μA
Σ
STV
DSV
MUX
DRSV
VCORE
REF
样品
&放大器;
HOLD
通道
当前
SENSE
ISEN1
32 COUNT
时钟
周期
ISEN2
DSEN # DRSEN
VSS
PWRCH
3
ISL6217
典型应用 - 两相转换器
图1显示了一个两相同步降压转换器
电路用于提供“芯”电压调节的
Intel奔腾“采用IMVP- IV 和IV移动处理器
IMVP- IV + 电压定位。
的ISL6217 PWM控制器可以用于2被配置或
一个信道的操作,和ISL6217可以改变
数字电源通道中运行,动态。该
操作的信道的数目可以通过改变
在PWRCH引脚。该ISL6217可以有两个配置
+5VDC
+5VDC
在“活动”模式和一个信道的信道的操作
在“深”和“深度睡眠”模式下,通过操作
逻辑连接到PWRCH引脚。以下
配置采用双通道操作中的“动态”模式
而在“深”和“深度睡眠”一条通道运行
模式。
该电路显示了引脚连接ISL6217 PWM
控制器中的38引脚TSSOP封装。
V电池
VDD
DACOUT
DSV
FSET
PWRCH
VBAT
ISEN1
PHASE1
UG1
BOOT1
VSSP1
LG1
VR_ON
DPRSLPVR
STP_CPU #
EN
DRSEN
DSEN #
VID0
VID1
ISL6217
TSSOP
VDDP
LG2
VSSP2
BOOT2
UG2
PHASE2
ISEN2
VSEN
DRSV
STV
OCSET
VSS
VID
VID2
VID3
VID4
VID5
PWRGD
PGOOD
EA +
COMP
FB
+ VCC_CORE
图1 。
典型应用电路ISL6217多相PWM控制器
4
ISL6217
绝对电压额定值
电源电压VDD , VDDP .....................................- 0.3 + 7V
电池电压, VBAT .............................................. ...... + 30V
Boot1,2和UGATE1,2 ........................................... ....... + 35V
Phase1,2和ISEN1,2 ........................................... ........ + 30V
Boot1,2相对于Phase1,2 ................................. + 6.5V
UGATE1,2 ................... ( Phase1,2 - 0.3V )至( Boot1,2 + 0.3V )
1,2相电压.............. GND-
0.3V ( DC )到V
BOOT
+ 0.3V
........... GND - 5V ( <100ns脉宽, 10μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
所有其他pins ............................... -0.3V至( VDD + 0.3V )
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
( C / W )
TSSOP封装(注1 ) ............................................ .... 72 °
o
最大工作结温
..................125 C
o
o
最大存储温度范围
..........- 65 ℃至150℃
o
最大的铅温度(焊接10秒)
...............300 C
o
推荐工作条件
电源电压VDD , VDDP .................................... + 5V ± 5 %
电池电压, VBAT ........................................ + 5.6V至25V
环境温度....................................... -10 ° C至85°C
结温..................................... -10 ° C至125°C
注意:压力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和
该设备在这些或以上的本规范操作章节中所示的任何其他条件的操作不暗示。
注意:
1)
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
工作条件: VDD = 5V , TA = -10 ° C至85°C ,除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
电气规格
参数
输入电源
EN = 3.3V , DSEN # = 0 , DRSEN = 0 , PWRCH = 0
输入电源电流, I( VDD )
EN = 0V
VDD上升
VDD下降
参考和DAC
系统精度
DAC ( VID0 - VID5 )输入低
电压
DAC ( VID0 - VID5 )输入高
电压
最大输出电压
最小输出电压
通道信号发生器
频率FSW
调整范围
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
艾辛河
满量程输入电流
过流阈值
软启动电流
当前下垂
栅极驱动器
ROCSET = 124K
SOFT = 0V
ISEN = 32μA
CL = 20pF的
CL = 20pF的
RFset = 243K ,± 1 %
从编VID代码@ 1.356 %的系统偏差
DAC编程输入低阈值电压
DAC编程输入高阈值电压
-
-
4.35
4.05
1.4
1
4.45
4.20
-
-
4.5
4.40
mA
A
V
V
POR (上电复位)阈值
-0.8
-
0.7
-
-
-
-
-
1.708
0.70
0.8
0.3
-
-
-
%
V
V
V
V
225
0.25
250
-
275
1.0
千赫
兆赫
-
-
-
100
18
4.0
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
-
-
-
26.5
32
64
31
28
-
-
-
29.5
A
A
A
A
5
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