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ISL6217A

数据表

2005年6月30日

FN9107.3

精密多相降压PWM

控制器的英特尔，移动电压

定位IMVP -IV 和IMVP- IV +

该ISL6217A多相降压PWM控制器IC ，与

集成半桥栅极驱动器，提供了一个精确

先进的奔腾IV调压系统

微处理器的笔记本电脑。两相

操作简化热管理问题和负载

英特尔最新的高性能处理器的需求。这

控制IC还具有两个输入电压前馈和

平均电流模式控制出色的动态

对此， “无损耗”电流检测用MOSFET

的RDS （ON）和由用户选择的开关频率

250kHz至每相1MHz的。

该ISL6217A包括一个6位数字 - 模拟转换器

（ DAC）的动态调整核心PWM输出

在16mV的步骤，并符合从0.700V到1.708V电压

英特尔IMVP -IV 和IMVP- IV + 移动VID

规范。该ISL6217A还具有逻辑输入选择

活跃的，深睡眠和工作深度睡眠模式。一

精密基准源，遥感技术和专利

架构，集成，处理器模式，补偿

“下垂” ，提供优异的静态和动态核心电压

调节。

为了提高轻负载效率高， ISL6217A可以

配置为单相PWM在运行活动，或深

操作更深的睡眠模式。此外，在深

更深的睡眠模式的ISL6217A会在二极管工作

仿真。

该IC控制器的另一个特征是所述的PGOOD显示器

电路保持为低电平，直到核心电压增加，在

其软启动过程中， “引导”的电压为在12 ％。

在VID变化这PGOOD信号被屏蔽。产量

过流，过压和欠压监控

和结果，在转换器闩锁关闭和PGOOD信号

正在举行低。

过压和欠压阈值是112 ％和

的VID ，深度或深度睡眠模式设定为84％，

分别。过电流保护功能， 32周期

过流关断。 PGOOD ，过压，欠压

并提供过电流监控保护的

微处理器和电源系统。该ISL6217A是IC

可在一个38引脚TSSOP封装。

特点

二极管仿真功能的深入，深层次的睡眠

模式提高了轻负载效率

IMVP -IV 和IMVP- IV + 兼容内核稳压器

单和/或两相电源转换

“无损耗”电流检测，以提高效率和

减少电路板面积

- 可选的离散精密电流检测电阻器

内部栅极驱动器和自举二极管

精密核心电压调节

- 0.8 ％的系统精度在整个温度范围

6位微处理器电压识别输入

可编程的“下垂”的核心电压摆率，以

符合IMVP -IV 和IMVP- IV + 规范

直接接口与系统逻辑（ STP_CPU ＃和

DPRSLPVR ）的深度和深度睡眠模式

手术

轻松可编程电压设定值初始“引导” ，

深度睡眠和深度睡眠模式

出色的动态响应

- 复合电压前馈和平均电流

模式控制

过压，欠压和过流保护

VID期间电源就绪输出与内部消隐和

模式改变

用户可编程的250kHz开关频率 -

每相1MHz的

无铅加退火有（符合RoHS ）

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6217A

订购信息

产品型号

ISL6217ACV

ISL6217ACV-T

ISL6217ACVZ

（注1 ）

ISL6217ACVZ-T

（注1 ）

ISL6217ACVZA

TEMP （℃）

-10到85

包

38 Ld的TSSOP

PKG 。

DWG 。＃

M38.173

引脚

ISL6217A （ 38 LD TSSOP ）

顶视图

VDD 1

DACOUT 2

DSV 3

FSET 4

PWRCH 5

EN 6

DRSEN 7

DSEN ＃ 8

VID0 9

VID1 10

VID2 11

VID3 12

VID4 13

VID5 14

PGOOD 15

EA + 16

COMP 17

FB 18

SOFT 19

ISL6217A

TSSOP

38 VBAT

37 ISEN1

36 PHASE1

35 UG1

34 BOOT1

33 VSSP1

32 LG1

31 VDDP

30 LG2

29 VSSP2

28 BOOT2

27 UG2

26 PHASE2

25 ISEN2

24 VSEN

23 DRSV

22 STV

21 OCSET

20 VSS

38 Ld的TSSOP卷带

-10到85

38 Ld的TSSOP

（无铅）

38 Ld的TSSOP卷带

（无铅）

-10到85

38 Ld的TSSOP

（无铅）

ISL6217ACVZA -T 38 Ld的TSSOP卷带

（无铅）

注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅

材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％

雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，

既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司

无铅产品分类MSL在无铅峰值回流

气温达到或超过的无铅要求

IPC / JEDEC J STD- 020 。

FN9107.3

2005年6月30日

ISL6217A

绝对电压额定值

电源电压（VDD）， VDDP 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3- + 7V

电池电压VBAT 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 25V

Boot1,2和UGATE1,2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 35V

Phase1,2和ISEN1,2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 30V

Boot1,2就Phase1,2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 6.5V

UGATE1,2 。。。。。。。。。。。。。。。（ Phase1,2 - 0.3V ）至（ Boot1,2 + 0.3V ）

所有其他引脚。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至（ VDD + 0.3V ）

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

（ ° C / W）

TSSOP封装（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

72°

最大工作结温。

. . . . . . . . . . . . . . 125°C

最大存储温度范围

。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

最大的铅温度（焊接10秒）

. . . . . . . . . . . . . 300°C

推荐工作条件

电源电压（VDD）， VDDP 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 5V ± 5 ％

环境温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 10 ° C至85°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 10 ° C至125°C

注意：压力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。

注意：

测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。

电气规格

参数

输入电源

工作条件： VDD = 5V ，T

= -10 ° C至85°C ，除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

EN = 3.3V ， DSEN ＃ = 0 ， DRSEN = 0 ， PWRCH = 0

输入电源电流， I（ VDD ）

EN = 0V

VDD上升

VDD下降

4.35

4.05

1.4

4.45

4.20

4.5

4.40

POR （上电复位）阈值

参考和DAC

系统精度

从编VID代码@ 1.356 ％的系统偏差

-0.8

0.7

1.708

0.70

0.8

0.3

DAC （ VID0 - VID5 ）输入低电压DAC编程输入低阈值电压

DAC （ VID0 - VID5 ）输入高

电压

最大输出电压

最小输出电压

通道信号发生器

频率FSW

调整范围

误差放大器器

DC增益

增益带宽积

压摆率

艾辛河

满量程输入电流

过流阈值

软启动电流

当前下垂

栅极驱动器

UGATE源电阻

UGATE源电流

500毫安源电流

VUGATE -PHASE = 2.5V

ROCSET = 124K

CL = 20pF的

RFset = 243K ，± 1 ％

通过设计保证

DAC编程输入高阈值电压

225

0.25

250

275

1.0

千赫

兆赫

100

4.0

兆赫

V / μs的

1.5

FN9107.3

2005年6月30日

ISL6217A

电气规格

参数

UGATE水槽电阻

UGATE灌电流

LGATE源电阻

LGATE源电流

LGATE水槽电阻

LGATE灌电流

自举二极管

正向电压

电源好班长

PGOOD检测电流

PGOOD拉低MOSFET

DS （ ON）

（参见图10）

欠压门限（ VSEN / VREF ）

PGOOD低输出电压

逻辑阈值

EN ， DSEN ＃， DRSEN低

EN ， DSEN ＃， DRSEN高

保护

过电压阈值（ VSEN / VREF ）

延迟时间

从LGATE延迟时间下降到

UGATE上升

从UGATE延迟时间下降到

LGATE上升

VDDP = 5V ，启动到PHASE = 5V ， UGATE - PHASE = 2.5V ，

LGATE = 2.5V

VDDP = 5V ，启动到PHASE = 5V ， UGATE - PHASE = 2.5V ，

LGATE = 2.5V

VSEN上升

112.0

VSEN上升

VSEN下降

IPGOOD = 4毫安

2.43

85.0

84.0

0.26

0.4

VDDP = 5V ，正向偏置电流≤10mA

0.58

0.68

0.76

500毫安灌电流

VUGATE -PHASE = 2.5V

500毫安源电流

VLGATE = 2.5V

500毫安灌电流

VLGATE = 2.5V

工作条件： VDD = 5V ，T

= -10 ° C至85°C ，除非另有说明

（续）

测试条件

民

典型值

0.5

最大

1.5

0.8

单位

FN9107.3

2005年6月30日

ISL6217A

功能引脚说明

VDD

- 该引脚用于连接的+ 5V到IC供应所有

必要的电力来操作的芯片。该IC开始

当该引脚上的电压超过了上限POR操作

阈值和关闭时，该引脚上滴上的电压

下面的下降POR阈值。

DACOUT

- 此引脚可以访问的输出

数位类比转换器。

DSV

- 该引脚上的电压为设定点

在操作过程中的深度睡眠模式的输出电压。

FSET

- 从这个引脚的电阻接地方案

开关频率。

PWRCH

- 该引脚选择电源通道的数量。一

该引脚上的逻辑高电平使2通道运行，

和一个低逻辑信号，实现了单信道操作。

EN -

该引脚被连接到系统的信号VR_ON和

提供启用/禁用功能的PWM控制器。

DRSEN -

该引脚连接至系统逻辑“ DPRSLPVR ”

并允许运行时逻辑的更深的睡眠模式

高检测到该引脚上。

DSEN ＃ -

该引脚连接至系统逻辑“ STP_CPU ＃”和

使操作深度休眠模式。深度睡眠是

当一个逻辑低电平信号，该引脚上检测到启用。

VID0 ， VID1 ， VID2 ， VID3 ， VID4 ， VID5 -

这些引脚用来

作为输入到6位数字 - 模拟转换器（DAC ）。 VID0

是最显著位和VID5是最显著位。

PGOOD -

该引脚被用作一个输入和一个输出，并

绑在VCCP和Vcc_mch PGOOD信号。在开始 -

向上时，该引脚被识别为一个输入，并防止进一步

回转的输出电压从“引导”电平，直到

从VCCP和Vcc_mch PGOOD启用高。后

启动时，此引脚用来表示一个开漏输出

对CORE输出电压的状态。该引脚被拉低

当系统输出的调节范围之外。

PGOOD包括上电延时定时器。

EA + -

该引脚被连接到的所述非倒相输入端

误差放大器和用于设置的“下垂”的电压。

COMP -

该引脚提供连接到误差放大器

输出。

FB -

该引脚被连接到错误的反相输入

放大器。

软

- 对VID变化，该引脚的方案摆率，

深度睡眠和深度睡眠模式的转换和软启动

经过初始化。该引脚通过一个连接到地

电容器，并以EA +通过外部“下垂”电阻。

VBAT

- 该引脚上的电压提供前馈电池

其中调整振荡器斜坡幅度信息。

ISEN1 ， ISEN2

- 这些引脚用作电流检测输入

从各个变换器信道相位节点。

PHASE1 ， PHASE2

- 这些引脚被连接到相

通道1和2 ，分别的节点。

UG1 ， UG2

- 这些引脚的栅极驱动输出至

高边MOSFET的通道1和2。

BOOT1 ， BOOT2

- 这些引脚被连接到

自举电容，为上层栅极驱动器，用于通道1

和2。

VSSP1 ， VSSP2

- 这些管脚连接到电源

地面信道1和2中，分别的。

LG1 ， LG2

- 这些引脚的栅极驱动器输出低

边MOSFET通道1和2。

VDDP

- 该引脚提供一个低ESR旁路连接

内部栅极驱动器的+ 5V电源。

VSEN

- 此引脚用于遥感

微处理器核心电压。

DRSV

- 该引脚上的电压为设定点

在操作过程中的深度睡眠模式的输出电压。

OCSET

- 从这个引脚的电阻到地设置

过电流保护阈值。从这个引脚的电流

应该是10μA和25μA （ 70kΩ之间 - 175kΩ

相当于）下拉电阻。

STV

- 该引脚上的电压设置初始启动或

“引导”电压。

VSS

- 此引脚提供了信号地的连接。

FN9107.3

2005年6月30日