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ISL6207

数据表

2005年7月25日

FN9075.7

高电压同步整流降压

MOSFET驱动器

该ISL6207是高频，双MOSFET驱动器，

优化驱动两个N沟道功率MOSFET的

移动同步整流降压转换器拓扑结构

计算应用。该驱动程序，结合了Intersil公司

多相降压PWM控制器，如ISL6223 ， ISL6215 ，

和ISL6216 ，形成一个完整的单级核心电压

为先进的移动微处理器稳压器解决方案。

该ISL6207拥有4A典型的灌电流下门

驱动程序。在4A典型输出电流为能够保持

在PHASE节点上升沿到下MOSFET的栅极

防止因高dv / dt的直通功率损耗

PHASE节点的。工作电压相匹配的30V

MOSFET的击穿电压通常在移动中使用

电脑电源。

该ISL6207还具有三态PWM输入的，

与大多数的Intersil的PWM多相一起工作

控制器，可以防止在输出一个负脉冲

电压时，输出被关闭。此功能

消除了肖特基二极管，这通常出现在一个

用于保护所述微处理器电源系统

微处理器，从反相输出电压的损坏。

该ISL6207具有高效开关电源的容量

MOSFET的工作频率高达2MHz 。每个驱动器能够

驱动3000pF的负载用15ns的传播延迟和

超过10ns的过渡时间少。该产品实现

具有内部自举自举在上部栅

肖特基二极管，降低实施成本，复杂性

并且允许使用更高的性能的，具有成本效益

N沟道MOSFET 。自适应贯通保护

整合，以防止两个MOSFET的导通

同时。

特点

驱动两个N沟道MOSFET

自适应贯通保护

30V工作电压

0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力

支持高开关频率

- 快速输出上升时间

- 短传播延迟

三态PWM输入用于电源级停机

内部自举肖特基二极管

QFN封装：

- 符合JEDEC PUB95 MO- 220

QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形

- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高

PCB的效率，并具有更薄的外形

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

核心电压供应为英特尔和AMD

移动

微处理器

高频超薄型DC-DC转换器

大电流低输出电压的DC- DC转换器

高输入电压DC- DC转换器

相关文献

技术简介TB363 “准则处理和

处理湿度敏感表面贴装器件

（ SMD的） “

技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计

表面贴装准则QFN封装“

订购信息

产品编号

ISL6207CB

ISL6207CBZ （注）

ISL6207CBZA （注）

ISL6207CR

ISL6207CRZ （注）

ISL6207CRZA （注）

ISL6207HBZ （注）

ISL6207HRZ （注）

温度。

范围（° C）

-10到85

-10-100

包

8引脚SOIC

8引脚SOIC （无铅）

8引脚3x3 QFN封装

PKG 。

DWG 。＃

M8.15

L8.3x3

引脚配置

ISL6207 （ SOIC - 8 ）

顶视图

UGATE 1

BOOT 2

PWM 3

GND 4

8相

7 EN

6 VCC

5 LGATE

BOOT 1

PWM 2

GND

LGATE

6 EN

5 VCC

ISL6207 （ QFN ）

顶视图

相

UGATE

8引脚3x3 QFN封装（无铅） L8.3x3

8 Ld的SOIC （无铅）

8 Ld的3x3 QFN封装（无铅）

M8.15

L8.3x3

添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。

注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅

材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾

锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容

既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅

产品分类MSL在无铅峰值回流温度下

达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

英特尔是英特尔公司的注册商标。

AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。

ISL6207

ISL6207框图

VCC

10K

PWM

10K

控制

逻辑

拍摄开启

通过

保护

VCC

BOOT

UGATE

相

LGATE

GND

散热焊盘（ FOR QFN封装）

典型应用 - 两相转换器使用ISL6207栅驱动器

BAT

+5V

VCC

VSEN

PGOOD

PWM1

PWM2

COMP

PWM

DRIVE

ISL6207

BOOT

UGATE

相

LGATE

CORE

主

控制

VID

ISEN1

ISEN2

+5V

BAT

VCC

DACOUT

GND

PWM

DRIVE

ISL6207

BOOT

UGATE

相

LGATE

FN9075.7

2005年7月25日

ISL6207

绝对最大额定值

电源电压（V

）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至7V

输入电压（V

, V

PWM

）。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

+ 0.3V

BOOT电压（V

BOOT

）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至36V

引导到相电压（V

BOOT -PHASE

）。。。。。。。。。。。 -0.3V至7V

相电压

。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V （ DC ）到V

BOOT

+ 0.3V

。。。。。。。。。 GND - 5V （ <100ns脉宽， 10μJ ）到V

BOOT

+ 0.3V

UGATE电压。。。。。。。。。。 V

相

- 0.3V （ DC ）到V

BOOT

+ 0.3V

. . . . . . .V

相

- 4V （ <200ns脉宽， 20μJ ）到V

BOOT

+ 0.3V

LGATE电压。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V （ DC ）到V

VCC

+ 0.3V

。。。。。。。。。。。 GND - 2V （ <100ns脉宽， 4μJ ）到V

VCC

+ 0.3V

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至125°C

热信息

热电阻（典型值）

（ ° C / W）

SOIC封装（注2 ）。。。。。。。。。。。。

110

不适用

QFN封装（注3,4）。。。。。。。。。。

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150℃

最大存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300℃

（ SOIC - 只会提示）

推荐工作条件

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 10℃ 100℃的

最大工作结温。。。。。。。。。。。。。。 125°C

电源电压，V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V ±10%

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

1.相电压能够承受-7V时， BOOT引脚是GND的。

测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介TB379 。

4.对于

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

电气规格

参数

VCC电源电流

偏置电源电流

自举二极管

正向电压

PWM输入

输入电流

推荐工作条件，除非另有说明。

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

VCC

EN =低

PWM引脚悬空，V

VCC

= 5V

5.0

VCC

= 5V ，正向偏置电流= 2毫安

0.45

0.60

0.65

PWM

= 5V

PWM

= 0V

3.3

250

-250

300

1.7

PWM三态上升阈值

PWM三态下降阈值

三态关机释抑时间

EN输入

EN低阈值

EN高门槛

开关时间

UGATE上升时间（注5 ）

LGATE上升时间（注5 ）

UGATE下降时间（注5 ）

LGATE下降时间（注5 ）

UGATE关断传播延迟

LGATE关断传播延迟

的Rugate

RLGATE

富盖特

FLGATE

pdlUGATE

pdlLGATE

VCC

= 5V

VCC

= 5V

VCC

= 5V ，温度= 25°C

1.0

2.0

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载

FN9075.7

2005年7月25日

ISL6207

电气规格

参数

UGATE导通传播延迟

LGATE导通传播延迟

产量

上驱动源电阻

UGATE

500毫安源电流

-10 ° C至85°C

上部驱动源电流（注5 ）

上驱动吸收电阻

UGATE

UGATE -PHASE

= 2.5V

500毫安灌电流

-10 ° C至85°C

上部驱动吸收电流（注5 ）

降低驱动源电阻

UGATE

LGATE

UGATE -PHASE

= 2.5V

500毫安源电流

-10 ° C至85°C

较低的驱动源电流（注5 ）

降低驱动吸收电阻

LGATE

= 2.5V

500毫安灌电流

-10 ° C至85°C

较低的驱动器吸收电流（注5 ）

注意：

5.通过特性保证，而不是100 ％生产测试。

LGATE

= 2.5V

1.0

2.0

1.0

2.0

1.0

2.0

0.4

4.0

2.5

2.2

2.5

2.2

2.5

2.2

1.0

0.8

推荐工作条件，除非另有说明。

（续）

符号

PDHUGATE

PDHLGATE

测试条件

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载

民

典型值

最大

单位

功能引脚说明

UGATE （引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装）

该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接

高侧功率N沟道MOSFET的栅极。

VCC （引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN ）

VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高

优质的旁路电容此引脚与GND 。

EN （引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN ）

EN为使能输入引脚。该引脚连接到高电平，

启用和LOW禁用，该IC 。当禁止时，该IC

消耗小于1μA的偏置电流。

BOOT （引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN ）

BOOT是浮动自举电源引脚上闸

驾驶。连接该引脚之间的自举电容

在PHASE引脚。自举电容提供充电

打开上部MOSFET 。见自举二极管和

下的说明指导电容器部

选择合适的电容值。

PHASE （引脚8 SOIC - 8 ， 7脚为QFN ）

连接PHASE引脚的上MOSFET的源极

和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个

返回为上层栅极驱动器的路径。

PWM （引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN ）

PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM

信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了

根据说明进行进一步的三态PWM输入部分

详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。在

此外，放置一个500kΩ的电阻从这个引脚到地。这

在所有初创允许适当的三态运行

条件。

描述

手术

专为速度， ISL6207双MOSFET驱动器

从同时控制高侧和低侧N沟道场效应晶体管

1外部提供的PWM信号。

在PWM的上升沿启动关断下

MOSFET （见时序图）。经过短暂的传播

延迟[T

pdlLGATE

] ，下门开始下降。典型的秋天

次[T

FLGATE

]是在电气规格提供

部分。自适应直通电路监测LGATE

电压，并确定在上闸门的延迟时间

PDHUGATE

]的基础上， LGATE电压降如何迅速

低于1V 。这可以防止两个下部和上部的MOSFET

同时导通，或穿通。一旦这个

延迟周期结束时，上部栅极驱动器开始上升

的Rugate

] ，以及较高MOSFET导通。

FN9075.7

2005年7月25日

GND （引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN ）

GND为接地引脚。所有的信号都参考这个节点。

LGATE （引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN ）

LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅

低侧功率N沟道MOSFET 。

ISL6207

PWM

PDHUGATE

pdlUGATE

的Rugate

富盖特

UGATE

LGATE

FLGATE

pdlLGATE

PDHLGATE

RLGATE

图1.时序图

PWM的一个下降沿表示关断上的

MOSFET和导通的下MOSFET的。短

传播延迟[T

pdlUGATE

]之前遇到的

上闸开始下降[T

富盖特

] 。再次，自适应拍摄开启

通过电路决定下门延迟时间

PDHLGATE

上MOSFET的栅极 - 源极电压

监视，并且下门被允许上升，之后

上MOSFET的栅极 - 源极电压

下面滴

1V.

该

下门，然后上升[T

RLGATE

] ，把在下部

MOSFET。

此驱动程序用于大型降压转换器优化

比，例如在一台移动计算机的核心电压用于

调节器。较低的MOSFET通常是规模大得多。

此驱动程序用于大型降压转换器优化

相比，因为较低的上部MOSFET

的MOSFET中的开关导通为更长的时间

期。因此，下部栅极驱动器的尺寸大得多的

为满足这种应用要求。导通电阻0.4Ω

和4A灌电流能力使低栅极驱动器

吸收通过注入到下部栅极电流

漏极至栅极下的MOSFET的电容器，并防止

通过拍摄所造成的高dv / dt的相位节点。

叶的PWM处于高阻抗（未确定）状态;

因此，一个500kΩ的电阻器必须是的地方，从的PWM引脚的

到GND 。

自适应贯通保护

两位车手结合自适应贯通保护

为防止高端和低端MOSFET的导通

同时，缩短了输入电源。这是

确保落闸已完成关闭1

之前的另一个MOSFET被允许打开。

关断过程中的下MOSFET的，所述LGATE电压是

监视，直到它到达一个1V的阈值，在该时间的

UGATE释放上升。自适应贯通线路

监控过程中的上MOSFET的栅极 - 源极电压

UGATE关断。一旦上部MOSFET的栅 - 源

电压低于1V的阈值时，是LGATE

允许上升。

内置自举二极管

该驱动器具有内置自举肖特基二极管。

简单地增加一个外部电容两端的BOOT和

PHASE引脚完成自举电路。

自举电容必须有一个最大的电压

等级高于最大电池电压加上5V 。该

自举电容器可以在以下各项中选择

公式：

门

BOOT

≥

-----------------------

BOOT

三态PWM输入

的ISL6207和其他Intersil的驱动程序的一个独特功能是

增加了一个关闭窗口的PWM输入的。如果

PWM信号进入并保持在关闭窗口内

一组释抑时间，输出驱动器被禁用，

这两个MOSFET的栅极被拉低并保持低电平。关闭

状态时，PWM信号以外的移动被去除

关闭窗口。否则，将PWM的上升沿和下降沿

在电气特性概述门槛

确定当被启用的下部和上部栅极。

在启动期间，脉宽调制应该是在三态位置

(1/2 V

）。然而，不断上升的V

中，活性跟踪

为PWM元件是不活跃状态，直至V

> 1.2V ，这

其中Q

门

是必需的栅极电荷量，以充分

充上MOSFET的栅极。该

BOOT

期限

德网络定义为在上部驱动的轨道允许的下垂。

作为一个例子，假设一个上MOSFET的栅极

电荷Q

门

， 25NC在5V和还承担下垂

在一个PWM周期的驱动电压为200mV 。人们会发现

至少0.125μF的自举电容是必需的。

FN9075.7

2005年7月25日