ISL6206
数据表
2002年5月
FN9071.1
高电压同步整流降压
MOSFET驱动器
该ISL6206是一个高电压，高频率，双
MOSFET驱动器，专门设计用于驱动两个N沟道
功率MOSFET的同步整流降压转换器
拓扑移动计算应用。该驱动程序
结合了Intersil的多相降压PWM控制器
形成一个完整的单级核 - 电压调节器
解决方案先进的移动微处理器。
该ISL6206具有三态PWM输入的是，工作
连同任何Intersil的多相PWM控制器，将
防止在输出电压中的负瞬态时
输出被关闭。这个特性消除了
肖特基二极管通常出现在微处理器
用于保护所述微处理器从电力系统
反相输出电压的损坏。
在ISL6206输出驱动器具有的能力，以
高效开关电源的MOSFET工作频率可达
为2MHz 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载用的
15ns的传播延迟和20ns的过渡时间。这
产品实行引导在上闸，
降低实施复杂度和允许使用的
更高的性能，高性价比， N沟道MOSFET 。
自适应贯通保护集成，以防止
这两个MOSFET同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
30V工作电压
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为15ns
三态输入的输出级关闭
内部自举肖特基二极管
应用
核心电压供应为英特尔和AMD移动
微处理器
高频超薄型DC-DC转换器
大电流低输出电压的DC- DC转换器
高输入电压DC- DC转换器
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
引脚
ISL6206CB （ SOIC ）
顶视图
UGATE
1
2
3
4
8
7
6
5
相
NC
VCC
LGATE
订购信息
产品型号
ISL6206CB
ISL6206CB-T
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-10到85
包
8 Ld的SOIC
PKG 。号
BOOT
M8.15
PWM
GND
8 Ld的SOIC卷带
ti
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
ISL6206
框图
ISL6206
VCC
BOOT
UGATE
VCC
10K
PWM
10K
拍摄开启
通过
保护
相
控制
逻辑
VCC
LGATE
GND
典型应用 - 两相转换器使用ISL6206栅驱动器
V
BAT
+5V
+5V
+5V
VCC
FB
VCC
VSEN
PWM1
PGOOD
PWM2
NC
主
控制
LGATE
PWM
DRIVE
ISL6206
相
COMP
BOOT
UGATE
+V
CORE
VID
ISEN1
ISEN2
+5V
VCC
FS
DACOUT
GND
PWM
DRIVE
ISL6206
NC
相
V
BAT
BOOT
UGATE
LGATE
2
ISL6206
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
BOOT电压（V
BOOT
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至36V
相电压（V
相
） （注1 ） 。 。 。 V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至125
o
C
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10
o
C至85
o
C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125
o
C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.相电压能够承受-7V时， BOOT引脚接地短路的。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
PWM输入
输入电流
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
三态关机释抑时间
开关时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流（注3 ）
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流（注3 ）
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流（注3 ）
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流（注3 ）
注意：
3.通过设计保证，未经测试。
R
UGATE
I
UGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
LGATE
I
LGATE
R
LGATE
I
LGATE
500毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
3.1
700
1.5
1.1
3.1
700
1.5
1.1
5.0
-
2.6
-
5.0
-
2.6
-
mA
A
mA
A
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
-
-
-
-
-
-
20
20
15
15
15
15
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ，温度= 25
°
C
-
-
-
3.3
-
250
-250
-
-
300
-
-
1.7
-
-
A
A
V
V
ns
I
VCC
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
-
30
-
A
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
3
ISL6206
功能引脚说明
UGATE （引脚1 ）
上栅极驱动输出。连接到高压侧的栅极
N沟道功率MOSFET 。
PHASE （引脚8 ）
该引脚连接到上层MOSFET和源
漏较低的MOSFET 。该引脚提供返回路径
对于上部的栅极驱动器。
BOOT （引脚2 ）
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电，以
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
描述
手术
该ISL6206双MOSFET驱动器同时控制高侧和
从一个外部提供的PWM低侧N沟道场效应晶体管
信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET （见时序图） 。经过短暂的传播
延迟[T
pdlLGATE
] ，下门开始下降。典型的秋天
次[T
FLGATE
]是在电气规格提供
部分。自适应直通电路监测
LGATE电压，并确定在上闸门的延迟时间
[t
PDHUGATE
]的基础上如何快速的电压LGATE
低于1V 。这可以防止两个下部和上部
从同时或拍摄开启MOSFET的导通
通过。一旦这个延迟周期是完成上部栅极
驱动器开始上升[T
的Rugate
]和上MOSFET关
ON 。
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[T
pdlUGATE
]之前遇到的
上闸开始下降[T
富盖特
] 。再次，自适应
直通电路决定下门延迟时间，
t
PDHLGATE
。上MOSFET的栅极电压被监控
和下闸门允许上部MOSFET后上升
栅极 - 源极电压低于1V。下门，然后
上升[T
RLGATE
] ，将在下部的MOSFET 。
PWM （引脚3 ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到任何Intersil的PWM输出
多相控制器。
GND （引脚4 ）
接地引脚。所有的信号都参考这个节点。
LGATE （引脚5 ）
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧栅极
N沟道功率MOSFET 。
VCC （引脚6 ）
该引脚连接到+ 5V偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。
NC （引脚7 ）
无连接。将该引脚悬空。
时序图
PWM
t
PDHUGATE
t
pdlUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
FLGATE
t
pdlLGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
4
ISL6206
三态PWM输入
的ISL6206和其他Intersil的驱动程序的一个独特功能是
增加了一个关闭窗口的PWM输入的。如果
PWM信号进入并保持在关闭窗口内
一组释抑时间，输出驱动器被禁用，
这两个MOSFET的栅极被拉低并保持低电平。关闭
状态时，PWM信号以外的移动被去除
关闭窗口。否则，将PWM的上升沿和下降沿
在电气特性概述门槛
确定当被启用的下部和上部栅极。
功耗
封装功耗的主要功能
开关频率和所选择的总的栅极电荷
的MOSFET。计算驱动程序中的功耗
一个期望的应用是为了确保安全运行的关键。
超过最大允许功耗水平
将推动IC超出建议的最大
125工作结温
o
C.最大
允许IC功耗的SO- 8封装
大约800mW的。在设计驱动成
应用，建议下面的计算
来进行，以确保在所期望的安全操作
频率为选定的MOSFET。功率耗散
由驾驶员被近似为：
P
=
f
sw
(
1.5V
U
Q
+
V
L
Q
)
+
I
DDQ
V
U
L
CC
自适应贯通保护
两位车手结合自适应贯通保护
为防止高端和低端MOSFET的导通
同时，缩短了输入电源。这是
通过确保栅极驱动器已完成关闭1
MOSFET的前其他MOSFET的栅极电压是
允许上升。
关断过程中的下MOSFET的，所述LGATE电压是
监视，直到它到达一个1V的阈值，在该时间的
UGATE释放上升。自适应贯通线路
监视UGATE中上MOSFET的栅极电压
关断。一旦上部MOSFET的栅极 - 源极电压具有
降至低于1V的阈值时， LGATE允许
上升。
其中f
sw
是PWM信号的开关频率。 V
U
和V
L
表示上部和下部栅极轨电压。 Q
U
和Q
L
在上部和下部栅极电荷由下式确定
MOSFET的选择和添加到任何外接电容
栅极引脚。在我
DDQ
V
CC
产品的静态功耗
驾驶员的并且是可忽略不计
自举二极管和电容
该驱动器具有内部自举肖特基二极管。
简单地增加一个外部电容两端的BOOT和
PHASE引脚完成自举电路。
自举电容必须有一个最大的电压
等级高于最大电池电压加上5V 。该
自举电容器可以在以下各项中选择
公式：
Q
门
C
BOOT
≥
-----------------------
-
V
BOOT
其中Q
门
是必需的栅极电荷量，以充分
充上MOSFET的栅极。该
V
BOOT
期限
德网络定义为在上部驱动的轨道允许的下垂。
作为一个例子，假设一个上MOSFET的栅极
电荷Q
门
， 25NC在5V和还承担下垂
在一个PWM周期的驱动电压为200mV 。人们会发现
至少0.125μF的自举电容是必需的。
下一个较大的标准值电容0.22μF 。一
质量好的陶瓷电容建议。
5
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