【ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120数据表2004年3月FN9】,IC型号ISL6116CBZA-T,ISL6116CBZA-T PDF资料,ISL6116CBZA-T经销商,ic,电子元器件-51电子网

ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120

数据表

2004年3月

FN9100.1

配电控制器

这家全功能的热插拔电源控制器

目标应用在+ 2.5V至+ 12V的范围内。该

ISL6115是+ 12V控制时， ISL6116为+ 5V时，

ISL6117为+ 3.3V和ISL6120为+ 2.5V控制

应用程序。每个人都有一个硬接线欠压（UV）

监测和报告阈值电平大约为80％的

的上述电压。

该ISL6115具有一个集成的电荷泵，允许

使用外部的N沟道的高达+ 16V轨控制

MOSFET ，而其他设备利用+ 12V的偏置

电压，以充分提高N沟道FET旁路。所有集成电路

功能可编程过流（ OC ）检测，电流

调节（ CR）与时间延迟闭锁和软启动。

目前的监管水平是由2个外部电阻设置;

ISET

设置在CR Vth时，另一种是低欧姆感

元件穿过其中的CR Vth的开发。在CR

持续时间由上CTIM引脚上的外部电容设置

这是被控20μA电流，一旦CR Vth的水平

被达到。如果在CTIM电容上的电压达到1.9V的

IC然后迅速拉低GATE输出锁存关闭

通过FET 。

这个家庭虽然专为高侧开关控制

的ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120也可以在低用

对于更高的电压控制端配置

势。

特点

热插拔单配电控制（ ISL6115

为+ 12V ， ISL6116为+ 5V ， ISL6117为+ 3.3V和ISL6120

为+ 2.5V ）

过电流故障隔离

可编程电流调节水平

可编程电流调节时间闭锁

轨至轨共模输入电压范围（ ISL6115 ）

内部电荷泵允许使用N沟道

MOSFET的+ 12V控制（ ISL6115 ）

欠压和过流锁存指标

可调节导通斜坡

保护过程中开启

两级过电流检测提供快速

应对不同故障条件

1μs的响应时间完全短路

无铅封装

磁带&卷轴与' -T'型号后缀包装

应用

配电控制

热插拔组件和电路

订购信息

产品型号

ISL6115CB

ISL6116CB

ISL6117CB

ISL6120CB

ISL6115CBZA

（注）

ISL6116CBZA

（注）

ISL6117CBZA

（注）

ISL6120CBZA

温度。

范围（° C）

0到85

包

8引脚SOIC

（无铅）

8引脚SOIC

（无铅）

8引脚SOIC

（无铅）

8引脚SOIC

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

M8.15

引脚

ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120 （ SOIC ）

顶视图

ISET

艾辛河

门

VSS

PWRON

PGOOD

CTIM

VDD

注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料

套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是既锡铅和兼容

无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL

分类，可达到或超过无铅峰值回流温度

IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120

应用一 - 高端控制器

负载

应用二 - 低边控制器

+ Vbus用

负载

ISL6115

ISL6116

ISL6117

ISL6120

PWRON

PGOOD

ISL6116/7/20

PWRON

+ V电源进行控制

+12V

12V REG

ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120

简化的框图

POR

PWRON

SET

SEN

REF

启用

12V

PGOOD

ISL611X

UV禁用

20A

CLIM

7.5K

1.86V

20A

升起

EDGE

脉冲

CTIM

门

10A

18V

落下

EDGE

延迟

启用

WOCLIM

18V

引脚说明

针＃

符号

ISET

艾辛河

门

功能

当前设置

电流检测

外部FET栅极驱动

针

芯片返回

芯片供应

限流时间

电容

电源良好指示器

12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的切换

负载电压或到一个专用的V

+ 12V电源。

此引脚与地之间连接一个电容。此电容器确定的时间延迟

之间的过流和芯片输出关断（电流限制超时）。持续时间

限流超时等于93kΩ乘C

TIM

表明，在ISEN针上的电压是令人满意的。 PGOOD是由一个开漏驱动

N沟道MOSFET和被拉低时，输出电压（ VISEN ）小于紫外

电平的特定集成电路。

PWRON用于控制和芯片复位。当PWRON引脚被驱动的芯片使能

高或者是开放的。后一个电流限制超时，该芯片是通过施加一个低电平信号复位

该引脚。该输入具有20μA上拉功能。

描述

通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。这

引脚用作电流限制编程引脚。

连接到检测电阻的更积极的末来测量过这个电压降

电阻器。

连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点的电容到地

设置开启舷梯。在开启该电容将被充电到V

的+ 5V （ ISL6115 ），并

（ ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120 ）由10μA电流源。

VSS

CTIM

PGOOD

PWRON

电源

ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120

绝对最大额定值

= 25°C

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至+ 16V

门。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

+8V

ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ， ISET 。。。。。。。 -0.3V到V

+ 0.3V

ESD分类。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5kV的

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

（ ° C / W）

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150℃

最大存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300℃

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

电源电压范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 12V

±15%

温度范围（T

）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 ° C至85°C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。（参见技术简介，＃ TB379.1的

详细信息。）

2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。

电气规格

参数

电流控制

ISET电流源

限流放大器的失调电压

栅极驱动器

= 12V ，T

= T

= 0 ° C至85°C ，除非另有说明

符号

测试条件

民

典型值

最大单位

ISET_ft

ISET_pt

Vio_ft

Vio_pt

= 15 ° C至55°C

ISET

- V

艾辛河

ISET

- V

ISEN ，

= 15 ° C至55°C

门

到10.8V

门

到10.8V

门

到= 6V

过电流

严重过流

18.5

-6

-2

21.5

GATE响应时间严重OC

GATE响应时间过流

栅极导通电流

GATE下拉电流

ISL6115欠压阈值

ISL6115高栅压

ISL6116欠压阈值

ISL6117欠压阈值

ISL6120欠压阈值

ISL6116 ，17个， 20门高压

BIAS

电源电流

POR阈值上升

POR阈值下降

POR阈值迟滞

PWRON上拉电压

PWRON上升阈值

PWRON滞后

PWRON上拉电流

电流调节期限

TIM

充电电流

TIM

FAULT上拉电流

电流限制超时阈值电压

pd_woc_amp

pd_oc_amp

门

OC_GATE_I_4V

WOC_GATE_I_4V

12V

UV_VTH

12VG

UV_VTH

8.4

0.5

9.2

100

600

0.8

9.6

+5V

4.35

2.6

1.85

8.4

8.1

0.3

3.2

1.7

170

11.6

1.5

4.5

2.8

1.9

栅极电压

+4.5V

4.0

2.4

1.8

栅极电压

-1.5V

VDD

DD_POR_L2H

DD_POR_H2L

DD_POR_HYS

PWRN_V

PWR_Vth

PWR_hys

PWRN_I

VDD低到高

VDD高至低

DD_POR_L2H -

DD_POR_H2L

PWRON管脚打开

8.7

0.6

2.0

250

7.8

7.5

0.1

2.7

1.4

130

TIM

_ichg0

TIM

± Vth的

CTIM

= 0V

CTIM电压

1.3

1.8

2.3

ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120

说明和操作

这个家庭的成员是单电源供电

对于一般的热插拔应用分发控制器

穿越+ 2.5V至+ 12V的电源电压范围。该ISL6115是

针对+ 12V开关应用而

ISL6116是针对+ 5V时， ISL6117为+ 3.3V和

ISL6120为+ 2.5V的应用。每个IC具有硬连线

欠压（ UV）阈值水平约低17 ％

比规定的电压。

这些IC具有高精度可编程

过流（ OC ）检测比较器，可编程

电流调节（ CR ），具有可编程时间延迟

锁断，而可编程软启动接通匝道全部搞定

用最少的外部无源元件。这些IC

还包括严重的过流保护立即关闭

断MOSFET开关应快速负载电流

瞬态诸如邻近完全短路引起的CR Vth的

超过150mV的编程水平。此外，该

IC具有紫外线指示器和OC锁定指示灯。该

在PGOOD功能的功能处于启用状态，一旦IC是

偏见，监测和报告上的任何紫外线条件

ISEN引脚。

在初始上电时，该IC可以隔离电压

通过保持外部N沟道从负载供电

MOSFET关断或直接将电源轨电压

负载为真正的热插拔功能。该PWRON管脚必须

被拉低该设备以隔离从电源

负载握住外部N沟道MOSFET关断。

随着高举或浮动的IC将在PWRON引脚

真正的热插拔模式。在这两种情况下的IC打开在软

启动模式保护电源轨的突然涌入

电流。

在导通时， N沟道的外部栅极电容器

MOSFET被指控10μA电流源产生

作为可编程斜坡（软启动导通）。内部

ISL6115电荷泵提供了12V的栅极驱动

电源开关驱动的门V

+ 5V ，对于其他

3芯片的栅极驱动电压被限制在芯片偏压

电压VDD 。

负载电流通过外部电流检测

电阻器。当检测电阻两端的电压超过

用户编程的CR电压阈值时，（见表1

对于R

ISET

编程电阻值与标称产生

电流调节阈值电压，V

）控制器进入

目前的监管模式。此时，所用的超时电容，

基于C

TIM

引脚被控20μA电流源和

控制器进入限流时间来锁存关断周期。该

的电流限制时间长度闩锁关闭持续时间由设定

一个外部电容器的值（见表2 CTIM

电容值和产生的标称电流限制超时

闩锁关闭持续时间），放置在离CTIM引脚（引脚6）

地面上。编程电流电平保持，直到该

OC事件传递或超时期满。如果前者

是的话那么N沟道MOSFET完全

和C-

TIM

电容器被放电。一旦CTIM要收费

1.87V ，信号的超时期限已过期

内部锁存器被设置从而使FET的栅极被迅速拉至

0V关闭N沟道MOSFET开关，隔离

错误的负载。

表1中。

ISET

电阻器

10k

4.99k

2.5k

750

注：标称Vth的= R

ISET

X 20μA 。

表2中。

TIM

电容

0.022F

0.047F

0.1F

标称电流限制期

2ms

4.4ms

9.3ms

标称OC VTH

200mV

100mV

50mV

15mV

注：标称超时周期= C

TIM

X 93kΩ 。

该IC响应一个严重的过电流负载（定义为一

检测电阻两端的电压>150mV在OC Vth的集

点），立即驱动N沟道MOSFET栅极

0V大约为10μs 。栅极电压随后缓慢上升

打开N沟道MOSFET的电流编程

监管水平;这是其中的超时时段的开始。

在紫外线条件下的PGOOD信号拉低时

通过一个电阻，以逻辑或VDD电源接高电平。这

脚是UV故障指示器。对于OC闭锁指示，

监控CTIM脚6该引脚将从1.9V迅速上升到

VDD一旦走出期满的时间。