ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
数据表
2007年2月6日
FN9100.4
配电控制器
这家全功能的热插拔电源控制器
目标应用在+ 2.5V至+ 12V的范围内。该
ISL6115是+ 12V控制时， ISL6116为+ 5V时，
ISL6117为+ 3.3V和ISL6120为+ 2.5V控制
应用程序。每个人都有一个硬接线欠压（UV）
监测和报告阈值电平大约为80％的
的上述电压。
该ISL6115具有一个集成的电荷泵，允许
使用外部的N沟道的高达+ 16V轨控制
MOSFET ，而其他设备利用+ 12V的偏置
电压，以充分提高N沟道FET旁路。所有集成电路
功能可编程过流（ OC ）检测，电流
调节（ CR）与时间延迟锁存关断和软启动功能。
目前的监管水平是由2个外部电阻设置;
R
ISET
设置在CR Vth时，另一种是低欧姆感
元件的对面，而在CR Vth的开发。在CR
持续时间是由一个外部电容器上设置CTIM销，
这是被控20μA电流，一旦CR Vth的水平
被达到。如果在CTIM电容上的电压达到1.9V的
IC然后迅速拉低GATE输出锁存关闭
通过FET 。
这个家庭虽然专为高侧开关控制
ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120也可以在一个低侧使用
配置高得多的电压电位控制。
特点
热插拔单配电控制（ ISL6115
为+ 12V ， ISL6116为+ 5V ， ISL6117为+ 3.3V和ISL6120
为+ 2.5V ）
过电流故障隔离
可编程电流调节水平
可编程电流调节时间闭锁
轨至轨共模输入电压范围（ ISL6115 ）
内部电荷泵允许使用N沟道
MOSFET的+ 12V控制（ ISL6115 ）
欠压和过流锁存指标
可调节导通斜坡
保护过程中开启
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
1μs的响应时间完全短路
无铅加退火有（符合RoHS ）
磁带&卷轴与' -T'型号后缀包装
应用
配电控制
热插拔组件和电路
订购信息
部分
数
ISL6115CB*
ISL6116CB*
ISL6117CB*
ISL6120CB*
部分
记号
ISL61 15CB
ISL61 16CB
ISL61 17CB
ISL61 20CB
温度。
PKG 。
范围（° C）封装DWG 。 ＃
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
引脚
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
ISET
艾辛河
门
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
PWRON
PGOOD
CTIM
VDD
ISL6115CBZA * 6115 CBZ
（注）
ISL6116CBZA * 6116 CBZ
（注）
ISL6117CBZA * 6117 CBZ
（注）
ISL6120CBZA * 6120 CBZ
（注）
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2007 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
应用一 - 高端控制器
+
负载
-
应用二 - 低边控制器
+ Vbus用
负载
1
2
3
4
ISL6115
ISL6116
ISL6117
ISL6120
8
PWRON
7
6
OC
5
PGOOD
4
5
3
6
2
7
1
PWRON
8
ISL6116/7/20
+ V电源进行控制
+12V
12V REG
OC
2
2007年2月6日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
简化的框图
V
DD
+
-
+
I
SET
-
+
+
V
REF
-
I
SEN
启用
12V
PGOOD
UV
8V
-
POR
QN
Q
R
R
S
PWRON
ISL611X
UV禁用
OC
+
-
20A
CLIM
7.5K
+
-
+
1.86V
-
20A
升起
EDGE
脉冲
CTIM
门
10A
落下
EDGE
延迟
18V
启用
-
+
WOCLIM
V
SS
18V
V
DD
引脚说明
针＃
1
2
3
符号
ISET
艾辛河
门
功能
当前设置
电流检测
外部FET栅极驱动
针
芯片返回
芯片供应
限流时间
电容
电源良好指示器
12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的切换
负载电压或到一个专用的V
SS
+ 12V电源。
此引脚与地之间连接一个电容。此电容器确定的时间延迟
之间的过流和芯片输出关断（电流限制超时） 。持续时间
限流超时等于93kΩ乘C
TIM
.
表明，在ISEN针上的电压是令人满意的。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET和被拉低时，输出电压（ VISEN ）小于紫外
电平的特定集成电路。
PWRON用于控制和芯片复位。当PWRON引脚被驱动的芯片使能
高到最大为5V或保持打开。经过限流超时，该芯片是由一个复位
适用于该引脚低电平信号。该输入具有20μA上拉功能。
描述
通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。这
引脚用作电流限制编程引脚。
连接到检测电阻的更积极的末来测量过这个电压降
电阻器。
连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点的电容到地
设置开启舷梯。在开启该电容将被充电到V
DD
的+ 5V （ ISL6115 ），并
V
DD
（ ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120 ）由10μA电流源。
4
5
6
VSS
V
DD
CTIM
7
PGOOD
8
PWRON
电源
3
2007年2月6日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
绝对最大额定值
T
A
= +25°C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
门。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+8V
ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ， ISET 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5kV的
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V
±15%
温度范围（T
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。 （参见技术简介， ＃ TB379.1的
详细信息。 ）
2.所有电压都是相对于GND ，除非另有说明
3. G.N.T.通过设计和特性保证，但未经测试。
电气规格
参数
电流控制
ISET电流源
ISET电流源
限流放大器的失调电压
限流放大器的失调电压
栅极驱动器
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大单位
I
ISET_ft
I
ISET_pt
Vio_ft
Vio_pt
T
J
= + 15 ° C至+ 55°C
V
ISET
- V
艾辛河
V
ISET
- V
ISEN ，
T
J
= + 15 ° C至+ 55°C
18.5
19
-6
-2
20
20
0
0
21.5
21
6
2
μA
μA
mV
mV
GATE响应时间严重OC
GATE响应时间过流
栅极导通电流
GATE下拉电流
GATE下拉电流
(3)
ISL6115欠压阈值
ISL6115高栅压
ISL6116欠压阈值
ISL6117欠压阈值
ISL6120欠压阈值
ISL6116 ，17个， 20门高压
BIAS
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
V
DD
POR阈值迟滞
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I
门
OC_GATE_I_4V
WOC_GATE_I_4V
12V
UV_VTH
12VG
5V
UV_VTH
3V
UV_VTH
2V
UV_VTH
VG
V
门
到10.8V
V
门
到10.8V
V
门
到= 6V
过电流
严重过流
-
-
8.4
45
0.5
9.2
100
600
10
75
0.8
9.6
V
DD
+ 5V
4.35
2.6
1.85
V
DD
-
-
11.6
-
-
10
-
4.5
2.8
1.9
-
ns
ns
μA
mA
A
V
V
V
V
V
V
栅极电压
V
DD
+ 4.5V
4.0
2.4
1.8
栅极电压
V
DD
- 1.5V
I
VDD
V
DD_POR_L2H
V
DD_POR_H2L
V
DD_POR_HYS
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
VDD低到高
VDD高至低
V
DD_POR_L2H -
V
DD_POR_H2L
PWRON管脚打开
-
7.8
7.5
0.1
2.7
1.4
130
9
3
8.4
8.1
0.3
3.2
1.7
170
17
5
9
8.7
0.6
-
2.0
250
25
mA
V
V
V
V
V
mV
μA
4
2007年2月6日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
电气规格
参数
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明
符号
测试条件
（续）
民
典型值
最大单位
电流调节时间/ POWER GOOD
C
TIM
充电电流
C
TIM
断层的上拉电流（注3 ）
电流限制超时阈值电压
电源良好下拉电流
C
TIM
± Vth的
PG_Ipd
CTIM电压
V
OUT
= 0.5V
C
TIM
_ichg0
V
CTIM
= 0V
16
-
1.3
-
20
20
1.8
8
23
-
2.3
-
μA
mA
V
mA
说明和操作
这个家庭的成员是单电源供电
对于一般的热插拔应用分发控制器
穿越+ 2.5V至+ 12V的电源电压范围。该ISL6115是
针对+ 12V开关应用而
ISL6116是针对+ 5V时， ISL6117为+ 3.3V和
ISL6120为+ 2.5V的应用。每个IC具有硬连线
欠压（ UV）阈值水平约低17 ％
比规定的电压。
这些IC具有高精度可编程
过流（ OC ）检测比较器，可编程
电流调节（ CR ），具有可编程时间延迟锁存
断，可编程软启动接通匝道都设置了
最少的外部无源组件。该芯片还
包括严重的过流保护立即关闭
MOSFET开关应快速负载电流瞬变，如
一个近乎完全短路引起的CR Vth的超过
由150mV的编程水平。此外，该IC具有一个紫外
指示灯和一个OC锁存指标。的功能
PGOOD功能被启用，一旦IC偏置，监视
和报告的ISEN脚的紫外线条件。
在初始上电时，该IC可以隔离电压
通过保持外部N沟道从负载供电
MOSFET关断或直接将电源轨电压
负载为真正的热插拔功能。该PWRON管脚必须
被拉低该设备以隔离从电源
负载握住外部N沟道MOSFET关断。
随着高举或浮动的IC将在PWRON引脚
真正的热插拔模式。在这两种情况下的IC打开在一个软
启动模式保护电源轨的突然涌入
电流。
在导通时， N沟道的外部栅极电容器
MOSFET被指控10μA电流源产生
作为可编程斜坡（软启动导通） 。内部
ISL6115电荷泵提供了12V的栅极驱动
电源开关驱动的门V
DD
+ 5V ，对于其他
3芯片的栅极驱动电压被限制在芯片偏压
电压VDD 。
负载电流通过外部电流检测
电阻器。当检测电阻两端的电压超过
用户编程的CR电压阈值时， （见
表1对于R
ISET
编程电阻值，并导致
额定电流调节阈值电压，V
CR
）的
控制器进入其目前的监管模式。此时，该
超时电容，基于C
TIM
引脚被控20μA电流
源和所述控制器进入限流时间来闩
冷静期。的电流限制时间的长度闩锁关
持续时间是由一个单一的外部电容的值设置（见
表2） CTIM电容值，并导致名义
当前有限时间来闩锁关闭持续时间放置在离
CTIM引脚（引脚6 ）接地。编程电流水平
持有，直到业主立案法团事件传递或超时时段
过期。如果是前者的情况下，则N沟道
MOSFET完全而C
TIM
电容
出院。一旦CTIM充电至1.87V ，这表明了
超时时间已过期的内部锁存器设置，从而
FET栅极被迅速拉至0V关闭N沟道
MOSFET开关，隔离故障负荷。
表1中。
R
ISET
电阻器
10kΩ
4.99kΩ
2.5kΩ
750Ω
注：标称Vth的= R
ISET
X 20μA 。
表2中。
C
TIM
电容
0.022μF
0.047μF
0.1μF
标称电流限制期
2ms
4.4ms
9.3ms
标称OC VTH
200mV
100mV
50mV
15mV
注：标称超时周期= C
TIM
X 93kΩ 。
该IC响应一个严重的过电流负载（定义为一
检测电阻两端的电压>150mV在OC Vth的集
点） ，立即驱动N沟道MOSFET栅极
0V大约为10μs 。栅极电压随后缓慢上升
打开N沟道MOSFET的电流编程
监管水平;这是其中的超时时段的开始。
在紫外线条件下的PGOOD信号拉低时
通过一个电阻，以逻辑或VDD电源接高电平。这
脚是UV故障指示器。对于OC闭锁指示，
监控CTIM脚6该引脚将从1.9V迅速上升到
VDD一旦走出期满的时间。
相关的文本波形见图12至16 。
该IC是由低电平后的OC闭锁关断状态复位
上的PWRON销和由PWRON销接通
被驱动为高电平。
5
2007年2月6日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
数据表
2004年3月
FN9100.1
配电控制器
这家全功能的热插拔电源控制器
目标应用在+ 2.5V至+ 12V的范围内。该
ISL6115是+ 12V控制时， ISL6116为+ 5V时，
ISL6117为+ 3.3V和ISL6120为+ 2.5V控制
应用程序。每个人都有一个硬接线欠压（UV）
监测和报告阈值电平大约为80％的
的上述电压。
该ISL6115具有一个集成的电荷泵，允许
使用外部的N沟道的高达+ 16V轨控制
MOSFET ，而其他设备利用+ 12V的偏置
电压，以充分提高N沟道FET旁路。所有集成电路
功能可编程过流（ OC ）检测，电流
调节（ CR）与时间延迟闭锁和软启动。
目前的监管水平是由2个外部电阻设置;
R
ISET
设置在CR Vth时，另一种是低欧姆感
元件穿过其中的CR Vth的开发。在CR
持续时间由上CTIM引脚上的外部电容设置
这是被控20μA电流，一旦CR Vth的水平
被达到。如果在CTIM电容上的电压达到1.9V的
IC然后迅速拉低GATE输出锁存关闭
通过FET 。
这个家庭虽然专为高侧开关控制
的ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120也可以在低用
对于更高的电压控制端配置
势。
特点
热插拔单配电控制（ ISL6115
为+ 12V ， ISL6116为+ 5V ， ISL6117为+ 3.3V和ISL6120
为+ 2.5V ）
过电流故障隔离
可编程电流调节水平
可编程电流调节时间闭锁
轨至轨共模输入电压范围（ ISL6115 ）
内部电荷泵允许使用N沟道
MOSFET的+ 12V控制（ ISL6115 ）
欠压和过流锁存指标
可调节导通斜坡
保护过程中开启
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
1μs的响应时间完全短路
无铅封装
磁带&卷轴与' -T'型号后缀包装
应用
配电控制
热插拔组件和电路
订购信息
产品型号
ISL6115CB
ISL6116CB
ISL6117CB
ISL6120CB
ISL6115CBZA
（注）
ISL6116CBZA
（注）
ISL6117CBZA
（注）
ISL6120CBZA
温度。
范围（° C）
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
（无铅）
8引脚SOIC
（无铅）
8引脚SOIC
（无铅）
8引脚SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
引脚
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120 （ SOIC ）
顶视图
ISET
艾辛河
门
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
PWRON
PGOOD
CTIM
VDD
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
应用一 - 高端控制器
+
负载
-
应用二 - 低边控制器
+ Vbus用
负载
1
2
3
4
ISL6115
ISL6116
ISL6117
ISL6120
8
PWRON
7
6
OC
5
4
3
2
1
PGOOD
ISL6116/7/20
PWRON
5
6
7
8
+ V电源进行控制
+12V
12V REG
OC
2
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
简化的框图
V
DD
+
-
POR
8V
QN
Q
R
R
S
PWRON
+
I
SET
-
+
+
-
I
SEN
V
REF
启用
UV
-
12V
PGOOD
ISL611X
UV禁用
OC
+
-
20A
CLIM
7.5K
+
-
1.86V
20A
升起
EDGE
脉冲
V
DD
CTIM
+
-
门
10A
18V
落下
EDGE
延迟
启用
-
+
WOCLIM
V
SS
18V
引脚说明
针＃
1
2
3
符号
ISET
艾辛河
门
功能
当前设置
电流检测
外部FET栅极驱动
针
芯片返回
芯片供应
限流时间
电容
电源良好指示器
12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的切换
负载电压或到一个专用的V
SS
+ 12V电源。
此引脚与地之间连接一个电容。此电容器确定的时间延迟
之间的过流和芯片输出关断（电流限制超时） 。持续时间
限流超时等于93kΩ乘C
TIM
.
表明，在ISEN针上的电压是令人满意的。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET和被拉低时，输出电压（ VISEN ）小于紫外
电平的特定集成电路。
PWRON用于控制和芯片复位。当PWRON引脚被驱动的芯片使能
高或者是开放的。后一个电流限制超时，该芯片是通过施加一个低电平信号复位
该引脚。该输入具有20μA上拉功能。
描述
通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。这
引脚用作电流限制编程引脚。
连接到检测电阻的更积极的末来测量过这个电压降
电阻器。
连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点的电容到地
设置开启舷梯。在开启该电容将被充电到V
DD
的+ 5V （ ISL6115 ），并
V
DD
（ ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120 ）由10μA电流源。
4
5
6
VSS
V
DD
CTIM
7
PGOOD
8
PWRON
电源
3
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
门。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+8V
ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ， ISET 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5kV的
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V
±15%
温度范围（T
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。 （参见技术简介， ＃ TB379.1的
详细信息。 ）
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气规格
参数
电流控制
ISET电流源
ISET电流源
限流放大器的失调电压
限流放大器的失调电压
栅极驱动器
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至85°C ，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大单位
I
ISET_ft
I
ISET_pt
Vio_ft
Vio_pt
T
J
= 15 ° C至55°C
V
ISET
- V
艾辛河
V
ISET
- V
ISEN ，
T
J
= 15 ° C至55°C
V
门
到10.8V
V
门
到10.8V
V
门
到= 6V
过电流
严重过流
18.5
19
-6
-2
20
20
0
0
21.5
21
6
2
A
A
mV
mV
GATE响应时间严重OC
GATE响应时间过流
栅极导通电流
GATE下拉电流
GATE下拉电流
ISL6115欠压阈值
ISL6115高栅压
ISL6116欠压阈值
ISL6117欠压阈值
ISL6120欠压阈值
ISL6116 ，17个， 20门高压
BIAS
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
V
DD
POR阈值迟滞
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
电流调节期限
C
TIM
充电电流
C
TIM
FAULT上拉电流
电流限制超时阈值电压
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I
门
OC_GATE_I_4V
WOC_GATE_I_4V
12V
UV_VTH
12VG
5V
UV_VTH
3V
UV_VTH
2V
UV_VTH
VG
-
-
8.4
45
0.5
9.2
100
600
10
75
0.8
9.6
V
DD
+5V
4.35
2.6
1.85
V
DD
3
8.4
8.1
0.3
3.2
1.7
170
17
-
-
11.6
ns
ns
A
mA
1.5
10
-
4.5
2.8
1.9
-
A
V
V
V
V
V
V
栅极电压
V
DD
+4.5V
4.0
2.4
1.8
栅极电压
V
DD
-1.5V
-
I
VDD
V
DD_POR_L2H
V
DD_POR_H2L
V
DD_POR_HYS
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
VDD低到高
VDD高至低
V
DD_POR_L2H -
V
DD_POR_H2L
PWRON管脚打开
5
9
8.7
0.6
-
2.0
250
25
mA
V
V
V
V
V
mV
A
7.8
7.5
0.1
2.7
1.4
130
9
C
TIM
_ichg0
C
TIM
± Vth的
V
CTIM
= 0V
CTIM电压
16
16
1.3
20
20
1.8
23
23
2.3
A
mA
V
4
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
说明和操作
这个家庭的成员是单电源供电
对于一般的热插拔应用分发控制器
穿越+ 2.5V至+ 12V的电源电压范围。该ISL6115是
针对+ 12V开关应用而
ISL6116是针对+ 5V时， ISL6117为+ 3.3V和
ISL6120为+ 2.5V的应用。每个IC具有硬连线
欠压（ UV）阈值水平约低17 ％
比规定的电压。
这些IC具有高精度可编程
过流（ OC ）检测比较器，可编程
电流调节（ CR ），具有可编程时间延迟
锁断，而可编程软启动接通匝道全部搞定
用最少的外部无源元件。这些IC
还包括严重的过流保护立即关闭
断MOSFET开关应快速负载电流
瞬态诸如邻近完全短路引起的CR Vth的
超过150mV的编程水平。此外，该
IC具有紫外线指示器和OC锁定指示灯。该
在PGOOD功能的功能处于启用状态，一旦IC是
偏见，监测和报告上的任何紫外线条件
ISEN引脚。
在初始上电时，该IC可以隔离电压
通过保持外部N沟道从负载供电
MOSFET关断或直接将电源轨电压
负载为真正的热插拔功能。该PWRON管脚必须
被拉低该设备以隔离从电源
负载握住外部N沟道MOSFET关断。
随着高举或浮动的IC将在PWRON引脚
真正的热插拔模式。在这两种情况下的IC打开在软
启动模式保护电源轨的突然涌入
电流。
在导通时， N沟道的外部栅极电容器
MOSFET被指控10μA电流源产生
作为可编程斜坡（软启动导通） 。内部
ISL6115电荷泵提供了12V的栅极驱动
电源开关驱动的门V
DD
+ 5V ，对于其他
3芯片的栅极驱动电压被限制在芯片偏压
电压VDD 。
负载电流通过外部电流检测
电阻器。当检测电阻两端的电压超过
用户编程的CR电压阈值时， （见表1
对于R
ISET
编程电阻值与标称产生
电流调节阈值电压，V
CR
）控制器进入
目前的监管模式。此时，所用的超时电容，
基于C
TIM
引脚被控20μA电流源和
控制器进入限流时间来锁存关断周期。该
的电流限制时间长度闩锁关闭持续时间由设定
一个外部电容器的值（见表2 CTIM
电容值和产生的标称电流限制超时
闩锁关闭持续时间），放置在离CTIM引脚（引脚6）
地面上。编程电流电平保持，直到该
OC事件传递或超时期满。如果前者
是的话那么N沟道MOSFET完全
和C-
TIM
电容器被放电。一旦CTIM要收费
1.87V ，信号的超时期限已过期
内部锁存器被设置从而使FET的栅极被迅速拉至
0V关闭N沟道MOSFET开关，隔离
错误的负载。
表1中。
R
ISET
电阻器
10k
4.99k
2.5k
750
注：标称Vth的= R
ISET
X 20μA 。
表2中。
C
TIM
电容
0.022F
0.047F
0.1F
标称电流限制期
2ms
4.4ms
9.3ms
标称OC VTH
200mV
100mV
50mV
15mV
注：标称超时周期= C
TIM
X 93kΩ 。
该IC响应一个严重的过电流负载（定义为一
检测电阻两端的电压>150mV在OC Vth的集
点） ，立即驱动N沟道MOSFET栅极
0V大约为10μs 。栅极电压随后缓慢上升
打开N沟道MOSFET的电流编程
监管水平;这是其中的超时时段的开始。
在紫外线条件下的PGOOD信号拉低时
通过一个电阻，以逻辑或VDD电源接高电平。这
脚是UV故障指示器。对于OC闭锁指示，
监控CTIM脚6该引脚将从1.9V迅速上升到
VDD一旦走出期满的时间。
相关的文本波形见图12至16 。
该IC是由低电平后的OC闭锁关断状态复位
上的PWRON销和由PWRON销接通
被驱动为高电平。
应用注意事项
在软启动，并与所述超时延迟时间
IC在电流限制模式下， V
GS
外部N沟道
MOSFET被降低的驱动MOSFET开关成（线性
区）高R
DS （ ON）
状态。罢工CR之间的平衡
限和定时要求，以避免周期时
外部N沟道MOSFET可能被损坏或摧毁
由于过度的内部功耗。参阅
MOSFET SOA
在制造商的数据表。
当驱动特别大的容性负载更长的软
开始时间，以防止在充电时和一个电流调节
短CR时间可能会提供应用解决方案相对最好的
到可靠性和场效应管的MTF 。
的R物理布局
SENSE
电阻器
是关键的，以避免
可能性虚假过流事件。理想情况下，跟踪
在R的路由
SENSE
电阻器和所述IC是直接
5
配电控制器
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ，
ISL6120
这家全功能的热插拔电源控制器
目标应用在+ 2.5V至+ 12V的范围内。该
ISL6115是+ 12V控制时， ISL6116为+ 5V时，
ISL6117为+ 3.3V和ISL6120为+ 2.5V控制
应用程序。每个人都有一个硬接线欠压（UV）
监测和报告近阈值电平
80％以上的上述电压。
该ISL6115具有一个集成的电荷泵，允许
使用外部的N沟道的高达+ 16V轨控制
的MOSFET ，而另一个器件利用的+ 12V电源
偏置电压，以充分提高N沟道FET旁路。
所有IC具有可编程的过流（ OC ）
检测，电流调节（ CR）与时间延迟
闭锁和软起动。
目前的监管水平由2外部设置
电阻器;
ISET
设置在CR Vth时，另一种是低
欧姆传感元件的对面，而在CR Vth为
开发的。在CR的持续时间是由外部设定
电容上的CTIM引脚，这是被控
20μA电流，一旦CR Vth的水平为止。如果
电压对CTIM电容达到1.9V的IC则
迅速拉低GATE输出锁存关闭
通过FET 。
这个家庭虽然专为高侧开关
控制ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120也可以是
在低端配置的用于控制多
更高的电压。
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
特点
热插拔单配电控制
（ ISL6115为+ 12V ， ISL6116为+ 5V ， ISL6117为
+ 3.3V和ISL6120为+ 2.5V ）
过电流故障隔离
可编程电流调节水平
可编程电流调节时间
闭锁
轨到轨共模输入电压范围
(ISL6115)
内部电荷泵允许使用N沟道
MOSFET的+ 12V控制（ ISL6115 ）
欠压和过流锁存指标
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
1μs的响应时间完全短路
无铅可（符合RoHS ）
应用
配电控制
热插拔组件和电路
应用Circuits-高端
调节器
+
负载
-
应用二 - 低端
调节器
+ Vbus用
负载
1
2
3
4
8
ISL6115
ISL6116
ISL6117
ISL6120
PWRON
7
6
OC
5
4
3
2
1
PGOOD
ISL6116
ISL6117
ISL6120
5
6
7
8
PWRON
+ V电源进行控制
+12V
12V REG
OC
2010年4月29日
FN9100.7
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2008年， 2010年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
简化的框图
V
DD
+
I
SET
-
+
+
-
I
SEN
UV
-
+
-
POR
8V
QN
R
Q
S
PWRON
V
REF
启用
12V
PGOOD
20A
CLIM
+
-
-
+
WOCLIM
启用
20A
升起
EDGE
脉冲
V
DD
7.5k
+
-
1.86V
+
-
ISL61xx
UV禁用
OC
门
10A
18V
落下
EDGE
延迟
CTIM
V
SS
18V
引脚配置
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
ISET
艾辛河
门
VSS
1
2
3
4
8 PWRON
7 PGOOD
6 CTIM
5 VDD
订购信息
部分
数
ISL6115CB （注1 ）
ISL6115CBZA （注1,2 ）
ISL6116CBZA （注1,2 ）
ISL6117CBZA （注1,2 ）
ISL6120CBZA （注1,2 ）
ISL6115EVAL1Z
注意事项：
1.请参考
TB347
对卷筒规格的详细信息。添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作） 。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
3.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备信息页
ISL6115.
有关MSL更多信息，请参阅
techbrief
TB363.
部分
记号
ISL61 15CB
6115 CBZ
6116 CBZ
6117 CBZ
6120 CBZ
评估平台
温度。
范围（° C）
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
2
FN9100.7
2010年4月29日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
引脚说明
针＃符号
1
2
3
ISET
艾辛河
门
功能
当前设置
电流检测
外部FET的栅极
驱动引脚
芯片返回
芯片供应
限流时间
电容
12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的
切换负载电压或到一个专用的V
SS
+ 12V电源。
此引脚与地之间连接一个电容。此电容器确定的时间延迟
之间的过流和芯片输出关断（电流限制超时） 。该
限流超时时间等于93kΩ乘C
TIM
.
描述
通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。
此引脚用作电流限制编程引脚。
连接到检测电阻的更积极的末来测量过这个电压降
电阻器。
连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点到电容器
地面设置开启舷梯。在开启该电容将被充电到V
DD
+5V
（ ISL6115 ）和到V
DD
（ ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120 ）由10μA电流源。
4
5
6
VSS
VDD
CTIM
7
PGOOD
电源良好指示器指示在ISEN引脚上的电压是令人满意的。 PGOOD是一个开放的驱动
漏N沟道MOSFET和被拉低时，输出电压（ VISEN ）小于
紫外级的特定集成电路。
POWER- ON
PWRON用于控制和芯片复位。该芯片使能时， PWRON引脚
驱动为高，以最大为5V或保持打开。不开车此输入>5V 。经过
电流限制超时，该芯片是由施加到该引脚为低电平信号复位。该输入
具有20μA的上拉功能。
8
PWRON
3
FN9100.7
2010年4月29日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
绝对最大额定值
T
A
= +25°C
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
门。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ，
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 8V
ISET 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5kV的
热信息
热电阻（典型，注4 ）
θ
JA
（ ° C / W）
8 Ld的SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
最高结温（塑料封装） 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
V
DD
电源电压范围（ ISL6115 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±15 ％
V
DD
电源电压范围（ ISL6116 ， 17 ， 20 ） 。 。 + 12V ± 25 ％
温度范围（T
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 85°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的
在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。
注意事项：
4.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB379了解详细信息。
5.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气规格
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。温度限制
特征值，不是生产测试。
黑体字限额适用于
工作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
符号
测试条件
民
（注7 ）
典型值
最大
（注7 ）单位
参数
电流控制
ISET电流源
ISET电流源
限流放大器的失调电压
限流放大器的失调电压
栅极驱动器
GATE响应时间严重OC
GATE响应时间过流
栅极导通电流
GATE下拉电流
栅极下拉电流（注6 ）
ISL6115欠压阈值
ISL6115高栅压
ISL6116欠压阈值
ISL6117欠压阈值
ISL6120欠压阈值
ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120门
高压
BIAS
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
V
DD
POR阈值迟滞
最大PWRON上拉电压
I
ISET_ft
I
ISET_pt
Vio_ft
Vio_pt
T
J
= + 15 ° C至+ 55°C
V
ISET
- V
艾辛河
V
ISET
- V
ISEN ，
T
J
= + 15 ° C至
+55°C
18.5
19
-6
-2
20
20
0
0
21.5
21
6
2
A
A
mV
mV
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I
门
OC_GATE_I_4V
V
门
到10.8V
V
门
到10.8V
V
门
到= 6V
过电流
-
-
8.4
45
0.5
9.2
100
600
10
75
0.8
9.6
-
-
11.6
-
-
10
-
4.5
2.8
1.9
-
ns
ns
A
mA
A
V
V
V
V
V
V
WOC_GATE_I_4V严重过流
12V
UV_VTH
12VG
5V
UV_VTH
3V
UV_VTH
2V
UV_VTH
VG
栅极电压
栅极电压
V
DD
+ 4.5V
V
DD
+ 5V
4.0
2.4
1.8
V
DD
- 1.5V
4.35
2.6
1.85
V
DD
I
VDD
V
DD_POR_L2H
V
DD_POR_H2L
V
DD_POR_HYS
PWRN_PUV
VDD低到高
VDD高至低
V
DD_POR_L2H -
V
DD_POR_H2L
最大外部上拉
电压
-
7.8
7.5
0.1
-
3
8.4
8.1
0.3
5
5
9
8.7
0.6
-
mA
V
V
V
V
4
FN9100.7
2010年4月29日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
电气规格
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。温度限制
特征值，不是生产测试。
黑体字限额适用于
工作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。 （续）
符号
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
测试条件
PWRON管脚打开
民
（注7 ）
2.7
1.4
130
9
典型值
3.2
1.7
170
17
最大
（注7 ）单位
-
2.0
250
25
V
V
mV
A
参数
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
电流调节时间/ POWER GOOD
C
TIM
充电电流
C
TIM
断层的上拉电流（注6 ）
电流限制超时阈值
电压
电源良好下拉电流
注意事项：
6.限制设立的特性，不生产测试。
7.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。
C
TIM
± Vth的
PG_Ipd
CTIM电压
V
OUT
= 0.5V
C
TIM
_ichg0
V
CTIM
= 0V
16
-
1.3
-
20
20
1.8
8
23
-
2.3
-
A
mA
V
mA
说明和操作
该IC系列的成员是单电源供电
对于通用热插拔控制器分配
穿越+ 2.5V应用到+ 12V的电源电压范围。
该ISL6115是针对+ 12V开关
应用程序，而ISL6116是针对+ 5V ，
该ISL6117为+ 3.3V和ISL6120为+ 2.5V
应用程序。每个IC具有硬连线欠压
（ UV）阈值电平比大约低17 ％
说明电压。
这些IC具有高精度可编程
电流调节（ CR ）级可编程时间
延迟闩锁断，可编程软启动
turnHon坡道所有组具有最小的外部
无源组件。该芯片还包括严重的OC
保护立即关闭MOSFET
开关应快速负载电流瞬变，如
与完全短路引起的CR Vth的超过
由150mV的编程水平。此外，该集成电路
有紫外线指示器和OC锁存指标。该
在PGOOD功能的功能，一旦启用
该IC是有偏差的，监测和报告任何UV
状况对ISEN针。
在初始上电时，该IC可以分离出
电压源与负载通过保持外部
N沟道MOSFET关断或应用电源轨
直接电压给负载真正热插拔功能。
该PWRON管脚必须拉低器件
通过保持隔离来自负载的电源
外部N沟道MOSFET关断。与PWRON引脚
高举或浮动IC将是真正的热插拔
模式。在这两种情况下的IC打开在一个软启动
模式保护电源轨的突然涌入
电流。
在导通时， N-外部栅极电容器
沟道MOSFET被控10μA电流
源产生一个可编程的斜坡（软启动
导通） 。内部ISL6115电荷泵电源
对于12V电源开关驱动栅极驱动器
门V
DD
+ 5V，对于其它三个集成电路栅
驱动电压被限制到芯片的偏置电压VDD。
负载电流通过外部电流
检流电阻。当通过检测电压
电阻超过用户编程的CR电压
阈值（见表1的R
ISET
程序设计
电阻值，并产生额定电流
调节阈值电压，V
CR
）控制器
进入其当前的调节模式。此时，该
超时电容， CTIM引脚被指控
20μA电流源和控制器进入
电流极限的时间来闩锁关断周期。的长度
电流极限的时间来闩锁关闭持续时间由设定
一个外部电容器的值（见表2），用于
C
TIM
电容值和产生的额定电流
有限超时闩锁关闭持续时间放置在离
CTIM引脚（引脚6 ）接地。编程电流
电平保持，直到业主立案法团事件经过或
超时时间到期。如果是前者的情况下，则
N沟道MOSFET完全而C
TIM
电容器被放电。一旦启用C
TIM
收费为1.87V
信令超时时间已过期，一个
内部锁存器被设置从而使FET的栅极是迅速
拉到0V关断N沟道MOSFET
开关，隔离故障负荷。
5
FN9100.7
2010年4月29日
Intersil的信号路径产品
提供每高性能解决方案
链路信号链。
Intersil的信号路径产品正在创造建立在艺术产品组合的状态
最新的技术。我们提供广泛的通用模拟构建块系列
定位于精密信号链设计。
精密运算放大器
（第32页）
精密运算放大器具有全能组合
卓越的性能：
新的超低噪声，低失真运算放大器在
5V和40V
新的5V和40V低漂移，高精度运算放大器
功率与良好的平衡
性能
单电源供电，轨到轨输入/输出
开关/多路复用器
（第11页）
高达± 20V
低R
ON
低电容
低电荷注入
过电压
保护
AMP
高速运算放大器
（第30页）
轨对轨电压反馈放大器
电流反馈放大器
压摆率提高了电压反馈
放大器器
高性能电压反馈
放大器器
差分线路驱动器/接收器
固定增益运算放大器
信号
传感器
AMP
MUX
ADC
DCP
精密仪器
放大器器
（第37页）
低功耗的大型组合，仪表
安培：
微功率5V仪表放大器
下降到60μA
高增益的各种选项低
能力
优秀的低功耗，传感器模块
优秀的低功耗，电流感应或
监测
精密数据
转换器
（第26页）
24-Bit
∑
12位SAR
高速数据
转换器
（第22页）
全面的产品组合：
8-16位， 40-500MSPS
2
Intersil的信号路径产品
2012
www.intersil.com
Intersil公司的解决方案，
过程控制
活动源
以桥式传感器
低噪声VREF
5V, 7V, 10V
传感器
校准
VREF
DCP
温度
传感器
接口
RS-232
RS-485
R4
R3
R2
精密放大器
VREF
数字
电位器
压力
溢流
传感器
力或
应变
传感器
当前
振动
1至N输入
到多路
仪表放大器
桥
传感器在
R1
增益/衰减
SELECT
低噪声VREF
VREF
ΔV = 100mV的
换能器
+15V
N沟道
MUX
IN +凛
多声道
ADC输入端
2.5V
微控制器
RTC
V = 1V
+/-5V
+/-10V
0V至30V
m
DAQ输入
HI-509
差异比较4:1
MUX
IN-
OUT +
传感器
赔偿金
FB +
OUT-
FB-的Rfb
电流分流器检测
VOCM
VREF
DC调节
24-bit
低噪音
∑
ADC
2.5V
- 15V
电压
监控&
看门狗
传感器
模块
DCP
主要产品
产品类型
产品型号
40V
ISL28127 / 227 ， ISL28117 /四百十七分之二百十七，
ISL28107 /四百○七分之二百○七， ISL28108 / 408分之208 ，
ISL28118 / 218 ， ISL28110 / 210
低漂移5V
ISL28134 ， ISL28133 / 433分之233 ， ISL28148 / 248 ，
ISL28136 / 236 ， EL8176
双电源供电的非易失性256抽头
ISL223x3 （我
2
C） ， ISL224x4 （ SPI ）
单电源的非挥发性128抽头
ISL223X6 （我
2
C） ， ISL224X6 （ SPI ）
低功耗，集成的解决方案
EL8172/73
40V精密，低噪声仪表放大器，
集成解决方案
ISL28617
超低功耗5V ，自定义（滚你
自己的）
ISL28194
低成本5V自定义（滚你自己）
ISL28230
电压参考
低噪音
ISL21009 ， ISL21090 ， ISL21400
低成本
ISL21070 ， ISL21080 ， ISL60002 ， ISL21010
HI- 509A ， HI- 546 ， DG408 ， DG409
RS-232
ISL4221E ， ISL3232E ， ISL4243E
RS-485
ISL317xE ， ISL315xE ， ISL3249xE
作为传感器的活动源
准确的电压源数据
转变
直接传感器接口
在驱动器缓冲放大器前
低温度系数
低漂移
低功耗
过电压保护
闭锁免费
低漏
高ESD保护
小包装
过电压保护
系统电源与监督
看门狗和上电复位
板载512位EEPROM存储
64位工厂编程的唯一ID
IRQ ，频率输出
最低噪音/高精确度，低成本
完整解决方案
EASY TO USE
业界领先的低噪音高达
4000SPS
集成PGA确保测量
准确性
具有成本效益的高性能
解
高性价比的多通道
监测
缓冲输入，减少电路板空间，
解决方案的成本
低功耗，低成本
低噪音
低功耗
高CMRR
低漂移
精密放大器
数字电位器
仪表放大器器
开关/多路复用器
接口
RTCS
ISL12024 ， ISL12025 ， ISL12026
24位Σ-Δ型ADC
ISL26132 ， ISL26134
模拟 - 数字转换器
ISL26102 ， ISL26104
10日， 12位SAR型ADC
ISL263xx多声道家庭
125ksps采样率， 250ksps的
4
Intersil的信号路径产品
2012
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-
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主要特性/优点
宽工作电压范围
单电源或双电源
低失调漂移&
传感器补偿
非易失性设置
数字硬性电阻或电压
第一DCP内存高达运营
125°C
适用于工业应用
传感器前端
系统与控制
独立的控制器
远程监控
数据记录仪
系统监视器
低成本的负荷，压力/温度
传感
精密电子秤，动态称重，
压力传感，安全监视器
温压，过流/振动
传感器
多通道模块和系统
Intersil公司的解决方案，
电子秤
VREF
负载
CELL
液晶显示
显示/
打印机
MCU
接口
RS232/485
MUX
AMP
ADC
电压
监事
& MGT系统
直流 - 直流
LDO
主要产品
产品类型
产品型号
低噪声5V
ISL28190 ， ISL28191
40V
ISL28117 /四百一十七分之二百十七， ISL28118 / 218
精密放大器
低漂移，高精度， 5V
ISL28133 ， EL8176 ， ISL28134 ，
ISL28133/233/433,
ISL28136/236
低成本运算放大器
ISL28113/213/413
ISL28114/214/414
ISL28130/230/430
低功耗仪表放大器5V
EL8170 ， EL8172 / 72 ， ISL28274
仪表放大器器
40V精密，低噪声
仪表放大器
ISL28617
低噪声基准
ISL21009 ， ISL21090
低成本参考
ISL21070 ， ISL21080 ， ISL60002
RS-232
ISL4221E ， ISL3232E
RS-485
ISL317XE ， ISL315XE
ISL43741
ISL84052
ISL84582
24位Σ-Δ型ADC
ISL26132 ， ISL26134
模拟 - 数字转换器
ISL26102 ， ISL26104
桥前端
低功耗
用于在电子秤
应变仪检测放大器
主要特性/优点
低失调
低漂移
高CMRR / PSRR
基准电压缓冲电路
应变计感测放大器
低功耗
作为传感器的活动源
精确的电压源进行数据转换
系统之间的串行通信
slave和master
称重传感器与传感器信号复用
和信号调节放大器，允许非常
准确的ADC来负载单元之间共享
低价位计数器/贸易/商业/零售
秤
精密秤，计数秤，贸易
秤，动态称重，压力传感，
安全监控
电压参考
低噪音
低功耗
IEC61000 ESD
小包装
增强的V
OD
(ISL315XE)
低R
ON
对于低信号损失和更高的精度
通常差分连接，以保持较低的噪音
小型
最低噪音/高精确度，低成本
完整解决方案
EASY TO USE
业界领先的低噪音高达4000SPS
集成PGA确保测量精度
具有成本效益的高性能解决方案
接口
开关/多路复用器
Intersil的信号路径产品
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5
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