ISL6115A
数据表
2009年2月25日
FN6855.0
12V电源分配控制器
这个全功能的热插拔电源控制器目标+ 12V
应用程序。凭借其集成电荷泵的ISL6115A
具有较高的（ 6.5V VS 5V ），比它的姐妹一部分栅极驱动的
ISL6115使得这部分的直接效益
改善置换。
该IC具有可编程的过流（ OC ）检测，
电流调节（ CR）与时间延迟锁存关断和软
开始。
目前的监管水平是由2个外部电阻设置;
R
ISET
设置在CR Vth时，另一种是低欧姆感
元件的对面，而在CR Vth的开发。在CR
持续时间是由一个外部电容器上设置CTIM销，
这是被控20μA电流，一旦CR Vth的水平
被达到。如果在CTIM电容达到电压
1.9V的IC然后迅速拉低GATE输出锁存
关导通FET 。
特点
为+ 12V热插拔单配电控制
过电流故障隔离
可编程电流调节水平
可编程电流调节时间闭锁
轨到轨共模输入电压范围
增强的内部电荷泵驱动N沟道
MOSFET栅极至6.5V以上的IC偏置。
欠压和过流锁存指标
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
1μs的响应时间完全短路
无铅（符合RoHS ）
订购信息
部分
数
ISL6115AIBZ
ISL6115AIBZ-T*
ISL6115ACBZ
部分
温度。
包pkg 。
打标范围大（ ° C） （无铅） DWG 。 ＃
6115A IBZ
6115A IBZ
6115A CBZ
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
应用
配电控制
热插拔组件和电路
ISL6115ACBZ -T * 6115A CBZ
引脚
ISL6115A
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
ISET
艾辛河
门
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
PWRON
PGOOD
CTIM
VDD
ISL6115AEVAL1Z评估平台
*请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，
这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容
焊接操作） 。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
应用Circuits-高端控制器
+
负载
-
1
2
3
4
8
ISL6115A
PWRON
7
6
OC
5
PGOOD
+ V电源进行控制
+12V
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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版权所有 Intersil公司美洲2009.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6115A
引脚说明
针＃符号
1
2
3
4
5
6
ISET
艾辛河
门
VSS
VDD
CTIM
功能
当前设置
电流检测
外部FET栅极驱动
针
芯片返回
芯片供应
限流时间
电容
电源良好指示器
12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的切换负载
电压或到一个专用的V
SS
+ 12V电源。
此引脚与地之间连接一个电容。此电容决定之间的时间延迟
过流事件和芯片输出关断（电流限制超时） 。限流时间
超时等于93kΩ乘C
TIM
.
表明，在ISEN针上的电压是令人满意的。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET和被拉低时，输出电压（ VISEN ）小于紫外线水平
特定的IC 。
PWRON用于控制和芯片复位。当PWRON引脚驱动为高电平，芯片启用
到最大为5V或保持打开。不开车此输入>5V 。后一个电流限制超时，该芯片
由施加到该引脚为低电平信号复位。该输入具有20μA的上拉功能。
描述
通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。该引脚
作为限流编程引脚。
连接到检测电阻的更积极的末来测量电阻两端的电压降。
连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点到地台电容器
接通斜坡。在开启该电容将被充电到V
DD
+ 6.5V用14μA的电流源。
7
PGOOD
8
PWRON上电
3
FN6855.0
2009年2月25日
ISL6115A
绝对最大额定值
T
A
= +25°C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
门。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 8V
ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ， ISET 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
8 LD SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±15 ％
温度范围（T
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
3.限制应被视为典型的和不生产测试。
电气规格
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
=全温度范围内，除非另有说明。
与MIN和/或最大极限参数100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。温度
限额设立的特性，不生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大单位
参数
电流控制
ISET电流源
ISET电流源
限流放大器的失调电压
限流放大器的失调电压
栅极驱动器
GATE响应时间严重OC
GATE响应时间过流
栅极导通电流
GATE下拉电流
栅极下拉电流（注3 ）
欠压阈值
门高压
BIAS
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
V
DD
POR阈值迟滞
最大PWRON上拉电压
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
I
ISET_ft
I
ISET_pt
Vio_ft
Vio_pt
T
J
= + 15 ° C至+ 55°C
V
ISET
- V
艾辛河
V
ISET
- V
ISEN ，
T
J
= + 15 ° C至+ 55°C
17
19
-4.5
-2
20
20
0
0
22
21
4.5
2
A
A
mV
mV
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I
门
OC_GATE_I_4V
WOC_GATE_I_4V
12V
UV_VTH
12VG
V
门
到10.8V
V
门
到10.8V
V
门
到= 6V
过电流
严重过流
-
-
10.8
45
-
8.9
100
600
14
82
0.8
9.6
-
-
16.7
124
-
10.2
-
ns
ns
A
mA
A
V
V
栅极电压
V
DD
+ 5.7V V
DD
+ 6.5V
I
VDD
V
DD_POR_L2H
V
DD_POR_H2L
V
DD_POR_HYS
PWRN_PUV
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
VDD低到高
VDD高至低
V
DD_POR_L2H -
V
DD_POR_H2L
最大外部上拉电压
PWRON管脚打开
-
7
6.9
0.1
-
2.5
1.1
125
12.6
3
8.4
8.1
0.3
5
3.2
1.7
170
17
3.9
9
8.7
0.5
-
-
2.35
250
24
mA
V
V
V
V
V
V
mV
A
电流调节时间/ POWER GOOD
C
TIM
充电电流
C
TIM
断层的上拉电流（注3 ）
电流限制超时阈值电压
电源良好下拉电流
C
TIM
± Vth的
PG_Ipd
CTIM电压
V
OUT
= 0.5V
C
TIM
_ichg0
V
CTIM
= 0V
17.2
-
1.6
-
20.5
20
1.8
8
25
-
2.1
-
A
mA
V
mA
4
FN6855.0
2009年2月25日
ISL6115A
说明和操作
该ISL6115A是针对+ 12V单电源供电
对于通用热插拔开关配电控制
应用程序。
该芯片具有高度精确的可编程电流
调节（ CR ）级可编程时间延迟
闩锁断，可编程软启动开启坡道所有设置
用最少的外部无源元件。这也
包括严重的过流保护立即关闭
MOSFET的开关应快速负载电流瞬变等
作为一个完全短路引起的CR Vth的超过
由150mV的编程水平。此外，它有一个紫外
指示灯和一个OC锁存指标。的功能
PGOOD功能被启用，一旦IC偏置，监视
和报告的ISEN脚的紫外线条件。
在初始上电时，该IC可以隔离电压
通过保持外部N沟道从负载供电
MOSFET关断或直接将电源轨电压
负载为真正的热插拔功能。该PWRON管脚必须
被拉低该设备以隔离从电源
负载握住外部N沟道MOSFET关断。
随着高举或浮动的IC将在PWRON引脚
真正的热插拔模式。在这两种情况下的IC打开在一个
软启动保护模式，从突然涌入的电源轨
电流。
在导通时， N沟道的外部栅极电容器
MOSFET被指控11μA电流源产生
作为可编程斜坡（软启动导通） 。内部
ISL6115A电荷泵提供了12V的栅极驱动
电源开关驱动的门V
DD
+ 6.5V 。负载电流
通过外部电流检测电阻通过。当
检测电阻两端的电压超过用户
编程的CR电压阈值时， （见表1对
R
ISET
编程电阻值与标称产生
电流调节阈值电压，V
CR
）控制器
进入其当前的调节模式。此时，所用的超时
电容， CTIM引脚负责一个20μA电流源
并且，控制器进入电流限制时间闩锁关闭
期。的电流限制时间的长度闩锁关闭持续时间
由单个外部电容的值设置（见表2）
对于C
TIM
电容值以及由此产生的标称电流限制
超时锁存关断时间放在离CTIM引脚（引脚6 ）
到地面。编程电流电平保持，直到
业主立案法团事件传递或超时期满。如果
前者是这种情况，那么N沟道MOSFET完全
增强以及C
TIM
电容器被放电。一旦启用C
TIM
收费 1.8V的信号的超时时间已
过期，内部锁存器被设置从而使FET门
快速拉升至0V，关闭N沟道MOSFET
开关，隔离故障负荷。
表1。R
ISET
编程电阻值
R
ISET
电阻器
10kΩ
4.99kΩ
2.5kΩ
1.25kΩ
注：标称Vth的= R
ISET
X 20μA 。
表2.
TIM
电容值
C
TIM
电容
0.022F
0.047F
0.1F
标称电流限制期
2ms
4.4ms
9.3ms
标称CR VTH
200mV
100mV
50mV
25mV
注：标称超时周期= C
TIM
X 93kΩ 。
该IC响应一个严重的过电流负载（定义为一
检测电阻两端的电压>150mV在OC Vth的集
点） ，立即驱动N沟道MOSFET栅极
0V大约为10μs 。栅极电压随后缓慢上升
打开N沟道MOSFET的电流编程
监管水平;这是在超时时段的开始。
在紫外线条件下， PGOOD信号拉低时
通过一个电阻连接到所述逻辑或VDD电源相连。这
脚是UV故障指示器。对于OC锁存关断指示，
监控CTIM脚6 ，该引脚将电压从1.8V迅速上升到
VDD一旦超时时间到期。
请参阅图2至图13为图和相关波形
为文本。
该IC是由低电平后的OC闭锁关断状态复位
上的PWRON销和由PWRON销接通
被驱动为高电平。
应用注意事项
设计应用中， CR Vth设定非常低
（为25mV以下） ，有一个双重的风险的考虑。
有易患噪声影响的绝对
CR Vth的值。这可以用一个100pF的处理
接R电容
SET
电阻器。
由于过电流的共模限制
比较，在ISET引脚上的电压必须为20mV
上面的IC地上无论是最初（从我
SET
*R
SET
）或
前C
TIM
达到超时（从栅极电荷向上） 。如果
这种情况不会发生，该IC可能会错误地报告
过流故障在启动时不存在过错。电路
高负载电容，最初低负载电流
很容易受到这种类型的异常行为。
不要信号也没有拉的PWRON输入到> 5V 。
该引脚上超过6V会引起内部电荷泵
发生故障。
在软启动，并与所述超时延迟时间
IC在电流限制模式下， V
GS
外部N沟道
MOSFET被降低的驱动MOSFET开关成（线性
5
FN6855.0
2009年2月25日
QQ：2881677436 复制
