ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
数据表
2006年7月17日
FN6230.0
高速18V CMOS比较器
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143集成电路是
高速，宽输入共模范围比较。
他们提供的三态窗口比较器在高
电压CMOS工艺（ 18V ） 。每个比较器都有双
接收门限，简历
A
和CV
B
，建立
最低1 -V
IH
和最大0 -V族
IL
电压电平。这些
设备可以接受输入从一些逻辑系列，
如TTL ， ECL ， CMOS ， LVCMOS ， LVDS和CML 。两
输出的每个比较器位提供测试控制器
限定一个比较器的输入成三种状态。两
输出位用一个单独的用户供应工作，建立
V
OH
, V
OL
水平与系统控制器的兼容性
逻辑电平。
快速传播延迟（ 9.5ns典型为± 50mV的过冲）
使这个家庭有高速数字测试兼容
系统。在18V范围使比较器输入
工作在宽输入电压范围。每输入两个引用
启用和输入电压与三态数字化
高达波动至13V的共模。操作
这些装置的频率通常为65MHz的。
高压CMOS工艺，使这些器件非常适合
大电压摆幅的应用，如专用测试
电压与闪存器件或功率等级相关
监督应用程序和可避免需要测试总线
隔离继电器（多个） 。
特点
18V I / O范围
65MHz的操作
9.5ns典型传播延迟
可编程输入阈值
用户定义的比较器输出电平
共模范围包括负的Rails
小脚印QFN封装
掉电电流<10μA
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
刻录在ATE
低成本ATE
快速监控电源控制
仪表
订购信息
部分
数
部分
温度。
打标范围大（ ° C）
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
包
16 Ld的QFN
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
L16.4X4A
ISL55141IRZ * 55141IRZ
（见注）
ISL55141IVZ * 55141IVZ
（见注）
ISL55142IRZ * 55142IRZ
（见注）
ISL55142IVZ * 55142IVZ
（见注）
ISL55143IRZ * 55143IRZ
（见注）
功能框图
双电平比较器 - 接收机
V
OH
Q
AX
V
OL
V
EE
V
OH
Q
BX
V
OL
V
EE
x表示1 ， 2或4个通道的ISL55141 ， ISL55142和ISL55143 ，
分别
CV
BX
V
CC
CV
AX
V
INPx
V
CC
14 Ld的TSSOP M14.173
（无铅）
20 Ld的QFN
（无铅）
L20.5x5
20 Ld的TSSOP M20.173
（无铅）
36 Ld的TQFN
（无铅）
L36.6X6
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
引脚配置
ISL55141单一的设备
（ 4X4 QFN ）
ISL55142单一的设备
（ 5X5 QFN ）
顶视图
V
EE
NC
NC
PD
NC
顶视图
V
INP0
CV
B0
17
CV
B1
16
15 V
INP1
14 CVA1
13 V
CC
12 V
EE
11 NC
6
Q
A0
7
Q
B0
8
Q
A1
9
Q
B1
10
NC
20 CV
B1
19 V
INP1
18 CV
A1
17 NC
16 V
CC
15 V
EE
14 NC
13 NC
12 Q
B1
11 Q
A1
CV
A0
19
16
NC
NC
Q
A
Q
B
1
2
3
4
5
V
OL
15
14
13
12 NC
11 CV
B
10 V
INP
9
CV
A
PD
V
EE
V
CC
V
OH
V
OL
20
1
2
3
4
5
18
6
V
OH
7
V
EE
8
V
CC
ISL55141 （ TSSOP ）
ISL55142 （ TSSOP ）
顶视图
V
EE
NC
NC
Q
A
Q
B
V
OL
V
OH
1
2
3
4
5
6
7
14 PD
13 NC
12 CV
B
11 V
INP
10 CV
A
9 V
CC
8 V
EE
CV
B0
V
INP0
CV
A0
PD
V
EE
V
CC
V
OH
V
OL
Q
A0
ISL55143 QUAD设备
（ 6X6 TQFN ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
顶视图
Q
B0
10
顶视图
V
CC
V
CC
V
EE
V
EE
NC
NC
NC
NC
29
PD
28
27 CV
B0
26 V
INP0
25 CV
A0
24 CV
B1
23 V
INP1
22 CV
A1
21 CV
B2
20 V
INP2
19 CV
A2
10
V
OH
11
V
OL
12
V
OH
13
V
OL
14
V
EE
15
V
CC
16
CV
A3
17
V
INP3
18
CV
B3
36
NC
Q
A0
Q
B0
Q
A1
Q
B1
Q
A2
Q
B2
Q
A3
Q
B3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
35
34
33
32
31
30
2
FN6230.0
2006年7月17日
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
引脚说明
针
V
EE
Q
AX
Q
BX
V
OL
V
OH
VCC
CV
AX
V
INPx
CV
BX
PD
NC
负电源输入
通道A ，简历
AX
参考驱动。比较器的输出。
通道B ， CV
BX
参考驱动。比较器的输出。
比较器输出逻辑低电平电源。无缓冲模拟输入设置所有Q
AX
, Q
BX
“低”电平。
比较器输出逻辑高电平供应。无缓冲模拟输入设置所有Q
AX
, Q
BX
“高”电压电平。
正电源输入。
通道比较器的参考模拟输入。
窗口比较器的输入。常见的两种渠道Ax和Bx的通道。
通道B的比较基准的模拟输入。
掉电逻辑输入（连接到V
EE
如果不用于掉电） 。
无内部连接。
功能
表1.简历
A
-Q
A
和CV
B
-Q
B
基本比较器
真值表
输入
V
INPx
<CV
AX
<CV
AX
>CV
AX
>CV
AX
<CV
BX
>CV
BX
<CV
BX
>CV
BX
Q
AX
0
0
1
1
输出*
Q
BX
0
1
0
1
*当Q
AX
/Q
BX
= 1 ，输出是连接到V
OH
*当Q
AX
/Q
BX
= 0时，输出连接到V
OL
3
FN6230.0
2006年7月17日
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
绝对最大额定值
V
CC
到V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至19V
输入电压
PD ， CV
AX
，简历
BX
, V
INPx
, V
OH
, V
OL
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
EE
-0.5V ）到（Ⅴ
CC
+0.5V)
输出电压
Q
AX
, Q
BX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
OL
-0.5V ）到（Ⅴ
OH
+0.5V)
热信息
热电阻（典型，注意事项1， 2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
16 Ld的QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
14 Ld的TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
20 Ld的QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
20 Ld的TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
36 Ld的QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.设备温度密切相关的数据速率，驱动程序加载和整体销活动。查看功耗注意事项更多
信息。
推荐工作条件
参数
设备电源
比较器输出高铁
比较器输出低电平铁
共模输入电压范围
环境温度
结温
符号
V
CC
-V
EE
V
OH
V
OL
V
CM
T
A
T
J
民
10
V
EE
+1
V
EE
+0.5
V
EE
-40
27
典型值
15
最大
18
V
CC
-0.5
V
EE
+6
V
CC
-5
+85
+125
单位
V
V
V
V
°C
°C
pO
电气规格
参数
DC特性
输入失调电压
输入偏置电流
掉电电流
掉电时间（注5 ）
上电时间（注5 ）
时序特性
传播延迟
上升时间（注5 ）
下降时间（注5 ）
传播延迟失配
最大工作频率
最小脉冲宽度
比较器输入
输入电流
输入电容（注
5)
测试条件： V
CC
= 12V, V
EE
= -3V, V
OH
= 5V, V
OL
= 0V ， PD = V
EE
, C
负载
= 15pF的
,
T
A
= 25 ° C，除非
另有规定ED 。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
OS
I
BIAS
I
PD
t
PD
t
PU
CV
AX
=简历
BX
= 1.5V
V
INPx
- 简历
（A / B ）×
= ±5V
PD = V
CC
-50
10
8
10
15
50
25
25
mV
nA
A
s
s
t
pd
t
r
t
f
Δt
pd
F
MAXR
t
WIDR
I
IN
C
IN
V
INPx
= V
CC
或V
EE
对称性50 ％
4.0
9.5
1.4
1.5
0.5
65
7.7
15
ns
ns
ns
2
ns
兆赫
ns
-100
0
2.5
100
nA
pF
4
FN6230.0
2006年7月17日
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
电气规格
参数
数字输出Q
AX
, Q
BX
输出电阻
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
电源供应器，静态条件
正电源直流电流/比较器
负电源电流/比较器
总功耗/比较器
I
CC
I
EE
P
没有输入数据
没有输入数据
在40MHz的输入数据
-12.5
+8.25
-8.25
670
12.5
mA
mA
mW
Routr
V
OH
V
OL
V
OH
= 5V ，我
来源
= 1毫安
V
OL
= 0V时，我
SINK
= 1毫安
18
4.9
0.00
27
4.95
0.05
37
5.0
0.1
Ω
V
V
测试条件： V
CC
= 12V, V
EE
= -3V, V
OH
= 5V, V
OL
= 0V ， PD = V
EE
, C
负载
= 15pF的
,
T
A
= 25 ° C，除非
另有规定ED 。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
每个比较器的总功耗可以近似用下式计算：
P = （V
CC
-V
EE
） * 8.25mW + 90pF * （V
CC
-V
EE
） ^ 2 * F +
L
*(V
CC
-V
EE
)^2*f
其中，f是工作频率和C
L
是负载电容。
因为ISL55142具有两个比较器，所述功率耗散会两次P从上述等式计算的。该ISL55143会
四倍P.
注意事项：
3.实验室鉴定，室温，时序参数匹配的激励/负载，通道至通道偏移< 500PS ，最大1ns的设计
4.注意关于我
CC
测量输入可以在最大模式的速率接近140毫安（单比较）
5.未经100％测试
测试电路和波形
数据= 1
数据= 0
400mV
0V
t
PDLH
50%
t
R
t
PDHL
V
OH
(≈V
H
)
Q
AX
, Q
BX
50%
V
OL
(≈V
L
)
t
F
V
INPx
图1比较器的传输延迟和过渡时间测量点
CV
A
2.4V
V
INP
+
-
V
CC
Q
A
虽然在CV之间没有电气的区别
A
和CV
B
输入，如果一个定义简历
A
作为是高
阈值和CV
B
作为低阈值时，它变成
更容易理解的双阈值的利用
比较器。本质上，这使的资格
传入信号为三态。在该情况下，图示的
三种状态是有效的低<0.4V ，无无人区（间
0.4和2.4V ） ，有效高>2.4V 。表2给出了
Q
A
/Q
B
真值表将用于在真实世界中。
表2.问
A
/Q
B
真值表
V
INP
<0.4V
>0.4和<2.4V
>2.4V
Q
A
0
0
1
Q
B
0
1
1
评论
有效0
无效
有效1
CV
B
0.4V
+
-
V
EE
Q
B
图2.三态窗口比较器基本原理
5
FN6230.0
2006年7月17日
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
数据表
2011年3月1日
FN6230.2
高速18V CMOS比较器
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143集成电路是
高速，宽输入共模范围比较。
他们提供的三态窗口比较器在高
电压CMOS工艺（ 18V ） 。每个比较器都有双
接收门限，简历
A
和CV
B
，建立
最低1 -V
IH
和最大0 -V族
IL
电压电平。这些
设备可以接受输入从一些逻辑系列，
如TTL ， ECL ， CMOS ， LVCMOS ， LVDS和CML 。两
输出的每个比较器位提供测试控制器
限定一个比较器的输入成三种状态。两
输出位用一个单独的用户供应工作，建立
V
OH
, V
OL
水平与系统控制器的兼容性
逻辑电平。
快速传播延迟（ 9.5ns典型为± 50mV的过冲）
使这个家庭有高速数字测试兼容
系统。在18V范围使比较器输入
工作在宽输入电压范围。每输入两个引用
启用和输入电压与三态数字化
高达波动至13V的共模。操作
这些装置的频率通常为65MHz的。
高压CMOS工艺，使这些器件非常适合
大电压摆幅的应用，如专用测试
电压与闪存器件或功率等级相关
监督应用程序和可避免需要测试总线
隔离继电器（多个） 。
特点
18V I / O范围
65MHz的操作
9.5ns典型传播延迟
可编程输入阈值
用户定义比较OutputLlevels
共模范围包括负的Rails
小脚印QFN封装
掉电电流<10μA
无铅（符合RoHS ）
应用
刻录在ATE
低成本ATE
快速监控电源控制
仪表
订购信息
部分
数
部分
温度。
（注1 ， 2 ， 3 ）标记范围（° C）
ISL55141IRZ 55 141IRZ
ISL55141IVZ 55141 IVZ
ISL55142IRZ 55142 IRZ
ISL55142IVZ 55142 IVZ
ISL55143IRZ 55143 IRZ
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
包
（无铅）
16 Ld的QFN
PKG 。
DWG 。 ＃
L16.4X4A
功能框图
双电平比较器 - 接收机
V
OH
Q
AX
V
OL
V
EE
V
OH
Q
BX
V
OL
V
EE
注：X表示1 ， 2或4个通道的ISL55141 ， ISL55142和
分别ISL55143 ，
CV
BX
V
CC
CV
AX
V
INPx
V
CC
14 Ld的TSSOP M14.173
20 Ld的QFN
L20.5x5
20 Ld的TSSOP M20.173
36 Ld的TQFN
L36.6X6
注意事项：
1.新增“ * -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅
TB347
详细信息
卷筒规格。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊
无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料，
和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，
这是符合RoHS标准，既锡铅和兼容
无铅焊接操作） 。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
3.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备
信息页
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143 。
了解更多
MSL上的信息，请参阅techbrief TB363 。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 |版权Intersil公司美洲2008年， 2011年版权所有
Intersil公司（设计）是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
引脚配置
ISL55141单一的设备
（ 16 LD 4X4 QFN ）
ISL55142单一的设备
（ 20 LD 5X5 QFN ）
顶视图
V
EE
NC
NC
PD
NC
顶视图
V
INP0
CV
B0
17
CV
B1
16
15 V
INP1
14 CVA1
13 V
CC
12 V
EE
11 NC
6
Q
A0
7
Q
B0
8
Q
A1
9
Q
B1
10
NC
20 CV
B1
19 V
INP1
18 CV
A1
17 NC
16 V
CC
15 V
EE
14 NC
13 NC
12 Q
B1
11 Q
A1
CV
A0
19
16
NC
NC
Q
A
Q
B
1
2
3
4
5
V
OL
15
14
13
12 NC
11 CV
B
10 V
INP
9
CV
A
PD
V
EE
V
CC
V
OH
V
OL
20
1
2
3
4
5
18
6
V
OH
7
V
EE
8
V
CC
ISL55142
（ 20 LD TSSOP ）
ISL55141
（ 14 LD TSSOP ）
顶视图
顶视图
V
EE
NC
NC
Q
A
Q
B
V
OL
V
OH
1
2
3
4
5
6
7
14 PD
13 NC
12 CV
B
11 V
INP
10 CV
A
9 V
CC
8 V
EE
CV
B0
V
INP0
CV
A0
PD
V
EE
V
CC
V
OH
V
OL
Q
A0
ISL55143 QUAD设备
（ 36 LD6X6 TQFN ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Q
B0
10
顶视图
V
CC
V
CC
V
EE
V
EE
NC
NC
NC
NC
29
PD
28
27 CV
B0
26 V
INP0
25 CV
A0
24 CV
B1
23 V
INP1
22 CV
A1
21 CV
B2
20 V
INP2
19 CV
A2
10
V
OH
11
V
OL
12
V
OH
13
V
OL
14
V
EE
15
V
CC
16
CV
A3
17
V
INP3
18
CV
B3
36
NC
Q
A0
Q
B0
Q
A1
Q
B1
Q
A2
Q
B2
Q
A3
Q
B3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
35
34
33
32
31
30
2
FN6230.2
2011年3月1日
ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
引脚说明
针
V
EE
Q
AX
Q
BX
V
OL
V
OH
VCC
CV
AX
V
INPx
CV
BX
PD
NC
负电源输入
通道A ，简历
AX
参考驱动。比较器的输出。
通道B ， CV
BX
参考驱动。比较器的输出。
比较器输出逻辑低电平电源。无缓冲模拟输入设置所有Q
AX
, Q
BX
“低”电平。
比较器输出逻辑高电平供应。无缓冲模拟输入设置所有Q
AX
, Q
BX
“高”电压电平。
正电源输入。
通道比较器的参考模拟输入。
窗口比较器的输入。常见的两种渠道Ax和Bx的通道。
通道B的比较基准的模拟输入。
掉电逻辑输入（连接到V
EE
如果不用于掉电） 。
无内部连接。
功能
表1.简历
A
-Q
A
和CV
B
-Q
B
基本比较器
真值表
输入
V
INPx
<CV
AX
<CV
AX
>CV
AX
>CV
AX
<CV
BX
>CV
BX
<CV
BX
>CV
BX
Q
AX
0
0
1
1
输出*
Q
BX
0
1
0
1
*当Q
AX
/Q
BX
= 1 ，输出是连接到V
OH
*当Q
AX
/Q
BX
= 0时，输出连接到V
OL
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ISL55141 ， ISL55142 ， ISL55143
绝对最大额定值
V
CC
到V
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至19V
输入电压
PD ， CV
AX
，简历
BX
, V
INPx
, V
OH
, V
OL
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
EE
-0.5V ）到（Ⅴ
CC
+0.5V)
输出电压
Q
AX
, Q
BX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
OL
-0.5V ）到（Ⅴ
OH
+0.5V)
热信息
热电阻（典型，注8 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
16 Ld的QFN封装（注6,7） 。 。 。 。 。
40
3
14 Ld的TSSOP封装（注4,5） 。 。
100
31
20 Ld的QFN封装（注6,7） 。 。 。 。 。
31
1.4
20 Ld的TSSOP封装（注4,5） 。 。
76
25
36 Ld的TQFN封装（注6,7） 。 。 。 。
29
0.75
最高结温（塑料Plackage ） 。 。
150°
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
4.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
5.对于
θ
JC
，在“临时情况”位置采取包顶部中心。
6.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
7.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
8.设备温度密切相关的数据速率，驱动程序加载和整体销活动。查看“功耗注意事项”的第6页
更多的信息。
推荐工作条件
参数
设备电源
比较器输出高铁
比较器输出低电平铁
共模输入电压范围
环境温度
结温
符号
V
CC
-V
EE
V
OH
V
OL
V
CM
T
A
T
J
民
10
V
EE
+1
V
EE
+0.5
V
EE
-40
27
典型值
15
最大
18
V
CC
-0.5
V
EE
+6
V
CC
-5
+85
+125
单位
V
V
V
V
°C
°C
电气规格
测试条件： V
CC
= 12V, V
EE
= -3V, V
OH
= 5V, V
OL
= 0V ， PD = V
EE
, C
负载
= 15pF的
,
T
A
= 25 ° C，除非
另有规定ED 。
符号
测试条件
民
（注13 ）
典型值
最大
（注13 ）
单位
参数
DC特性
输入失调电压
输入偏置电流
掉电电流
掉电时间（注11 ）
开机时间（注11 ）
时序特性
传播延迟
上升时间（注11 ）
下降时间（注11 ）
传播延迟失配
最大工作频率
最小脉冲宽度
比较器输入
输入电流
V
OS
I
BIAS
I
PD
t
PD
t
PU
CV
AX
=简历
BX
= 1.5V
V
INPx
- 简历
（A / B ）×
= ±5V
PD = V
CC
-50
10
8
10
15
50
25
25
mV
nA
A
s
s
t
pd
t
r
t
f
Δt
pd
F
MAXR
t
WIDR
对称性50 ％
4.0
9.5
1.4
1.5
0.5
65
7.7
15
ns
ns
ns
2
ns
兆赫
ns
I
IN
V
INPx
= V
CC
或V
EE
-100
0
100
nA
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电气规格
测试条件： V
CC
= 12V, V
EE
= -3V, V
OH
= 5V, V
OL
= 0V ， PD = V
EE
, C
负载
= 15pF的
,
T
A
= 25 ° C，除非
另有规定ED 。
（续）
符号
C
IN
测试条件
民
（注13 ）
典型值
2.5
最大
（注13 ）
单位
pF
参数
输入电容（注11 ）
数字输出Q
AX
, Q
BX
输出电阻
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
Routr
V
OH
V
OL
V
OH
= 5V ，我
来源
= 1毫安
V
OL
= 0V时，我
SINK
= 1毫安
18
4.9
0.00
27
4.95
0.05
37
5.0
0.1
Ω
V
V
电源供应器，静态条件
正电源直流电流/比较器
负电源电流/比较器
总功耗/比较器
注意事项：
9.实验室鉴定，室温，时序参数匹配的激励/负载，通道至通道偏移< 500PS ，最大1ns的设计
10.注意关于我
CC
测量输入可以在最大模式的速率接近140毫安（单比较）
11.限制应被视为典型的和不生产测试。
每个比较器12的总功率耗散可以从下面进行近似计算：
P = （V
CC
-V
EE
） * 8.25mW + 90pF * （V
CC
-V
EE
） ^ 2 * F +
L
*(V
CC
-V
EE
）^ 2 * f，其中f为工作频率和C
L
是负载电容。
因为ISL55142具有两个比较器，所述功率耗散将两次的P从这个等式计算。该ISL55143是
四次P.
13.合规性，以数据表的限制是有保证的一种或多种方法：生产测试，表征和/或设计。
I
CC
I
EE
没有输入数据
没有输入数据
-12.5
+8.25
-8.25
670
12.5
mA
mA
mW
P（注12 ）在40MHz的输入数据
测试电路和波形
数据= 1
数据= 0
400mV
0V
t
PDLH
50%
t
R
t
PDHL
V
OH
(≈V
H
)
Q
AX
, Q
BX
50%
V
OL
(≈V
L
)
t
F
V
INPx
图1比较器的传输延迟和过渡时间测量点
CV
A
2.4V
V
INP
+
-
V
CC
Q
A
虽然在CV之间没有电气的区别
A
和CV
B
输入，如果一个定义简历
A
作为是高
阈值和CV
B
作为低阈值时，它变成
更容易理解的双阈值的利用
比较器。本质上，这使的资格
传入信号为三态。在图2中，三个
状态是有效的低<0.4V ，无无人区（ 0.4之间
和2.4V ） ，有效高>2.4V 。表2示出了如何在Q
A
/Q
B
真值表将用于在真实世界中。
表2.问
A
/Q
B
真值表
V
INP
<0.4V
>0.4和<2.4V
>2.4V
Q
A
0
0
1
Q
B
0
1
1
评论
有效0
无效
有效1
CV
B
0.4V
+
-
V
EE
Q
B
图2.三态窗口比较器基本原理
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