ISL54227
绝对最大额定值
VDD到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 6.5V
VDD到的COMx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10.5V
的COMx到霉素。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8.6V
输入电压
D +，D- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6.5V
COM + ， COM- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V至6.5V
OE ， LP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 6.5V
连续电流（ COM- / D-， COM + / D + ） 。 。 。 。 。 。 。 ± 40毫安
峰值电流（ COM- / D-， COM + / D + ）
（ 1毫秒脉冲，占空比为10％ ，最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ±100
ESD额定值：
人体模型（每JESD22 - A114 -F测试） 。 。 。 。 >2kV
机器型号（每JESD22 - A115 -A测试） 。 。 。 。 。 。 >150V
带电器件模型（每JESD22 - C101 -D测试） 。 >2kV
闩锁（根据JEDEC测试; II类A级） 。 。 。 。在+ 85°C
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
10 Ld的μTQFN包装（注6,9） 。
210
165
10 Ld的TDFN封装（注7,8） 。 。
58
22
最高结温（塑料封装） 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
正常工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑控制输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
模拟信号范围，V
DD
= 2.7V至5.25V
.
.
.
.
-40 ° C至+ 85°C
。 2.7V至5.25V
。 。 。 0V至5.25V
。 。 。 。 0V至3.6V
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的
在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。
注意事项：
6.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB379了解详细信息。
7.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板与部件“直接连接”
功能。参见技术简介TB379 。
8.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
9。
θ
JC
，在“临时情况”位置采取包顶部中心。
电气规格 - 2.7V至5.25V电源
测试条件： V
DD
= + 3.3V ， GND = 0V ，V
LP
= GND ，V
OEH
= 1.4V,
V
OEL
= 0.5V ， （注10 ） ，除非另有说明。
黑体字限额适用于整个工作温度范围内，
-40 ° C至+ 85°C 。
参数
测试条件
温度
民
最大
（ ° C） （注11,12）典型值（注11,12）单位
模拟开关特性
导通电阻，R
ON
（高速）
V
DD
= 2.7V ， OE = 1.4V ，我
Dx
= 17毫安，
V
COM +
或V
COM-
= 0V至400mV的
（参见图2 ，注15）
25
满
25
满
25
满
+25
满
25
满
25
满
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-20
-
-9
-12
-
-
-
3.5
-
0.2
-
0.26
-
6.8
-
1
30
-
-
-
-
-
5
7
0.45
0.55
1
1.2
17
22
20
-
9
12
11
22
1
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nA
nA
A
A
A
A
A
r
ON
之间的匹配
V
DD
= 2.7V ， OE = 1.4V ，我
Dx
= 17毫安，
渠道，
Δr
ON
（高速）V
COM +
或V
COM-
=电压的最大值
ON
,
（注14 ， 15 ）
r
ON
平整度，R
平（ON）的
（高速）
导通电阻，R
ON
V
DD
= 2.7V ， OE = 1.4V ，我
Dx
= 17毫安，
V
COM +
或V
COM-
= 0V至400mV的，
（注13 ， 15 ）
V
DD
= 3.3V ， OE = 1.4V ，我
COMX
= 17毫安，
V
COM +
或V
COM-
= 3.3V
（参见图2 ，注15）
V
DD
= 5.25V ， OE = 0V ，V
Dx
= 0.3V, 3.3V,
V
COMX
= 3.3V, 0.3V
断漏电流，
I
霉素（OFF）的
漏电电流，I
DX （ON）的
V
DD
= 5.25V ， OE = 5.25V ，V
Dx
= 0.3V,
3.3V, V
COMX
= 0.3V, 3.3V
关闭电源泄漏电流，
I
COM +
, I
COM-
V
DD
= 0V, V
COM +
= 5.25V,
V
COM-
= 5.25V ， OE = 0V
电源OFF逻辑电流，I
OE
V
DD
= 0V ， OE = 5.25V
关闭电源D + / D-目前，
I
D+
, I
D-
V
DD
= 0V ， OE = V
DD
, V
D+
= V
D-
= 5.25V
4
FN7593.0
2010年7月2日
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