ISL33001 , ISL33002 , ISL33003
绝对最大额定值
(所有电压参考GND)
V
CC1
, V
CC2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至+ 7V
SDA_IN , SCL_IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到+ (V
CC1
+ 0.3)V
SDA_OUT , SCL_OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到+ (V
CC2
+ 0.3)V
ENABLE ,准备好了, ACC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到+ (V
CC1
+ 0.3)V
最大吸收电流( SDA和SCL引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
最大吸收电流(就绪引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7毫安
闭锁每JESD78测试, 2级, A级。 。 。 。 。 。 。 85°C
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。请参阅“ ESD保护”第5页
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
8 Ld的TDFN封装(注5,6) 。 。 。
47
4
( 0.50毫米间距)
8 Ld的TDFN封装(注5,6) 。 。 。
48
6
( 0.65mm节距)
8引脚MSOP封装(注4,7) 。 。 。
151
50
8 Ld的SOIC封装(注4,7) 。 。 。 。
120
56
最大存储温度范围。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersi.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
热信息
工作条件
温度范围,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
V
CC1
和V
CC2
电源电压范围。 。 。 。 。 + 2.3V至+ 5.5V
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的
在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。
注意事项:
4.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB7379的细节。
5.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板与部件“直接连接”
功能。参见技术简介TB379 。
6.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
7.对于
θ
JC
,在“临时情况”位置采取包顶部中心。
电气规格
V
EN
= V
CC1
, V
CC1
= + 2.3V至+ 5.5V ,V
CC2
= + 2.3V至+ 5.5V ,除非另有说明(注8) 。
黑体字限额适用于整个工作温度范围内,
-40 ° C至+ 85°C 。
条件
温度
民
( ° C) (注9 )
典型值
最大
(注9 )单位
参数
电源
V
CC1
供应范围
V
CC2
供应范围
从供电电流
V
CC1
从供电电流
V
CC2
V
CC1
关机
电源电流
符号
V
CC1
V
CC2
I
CC1
ISL33002和ISL33003
V
CC1
= 5.5V ; ISL33001只(注11 )
V
CC1
= V
CC2
= 5.5V ; ISL33002和
ISL33003 (注11 )
I
CC2
I
SHDN1
V
CC2
= V
CC
= 5.5V ; ISL33002和
ISL33003 (注11 )
V
CC1
= 5.5V, V
EN
= GND ;只有ISL33001
V
CC1
= V
CC2
= 5.5V, V
EN
= GND ;
只有ISL33003
I
SHDN2
V
CC1
= V
CC2
= 5.5V, V
EN
= GND ,
只有ISL33003
满
满
满
满
满
满
满
满
2.3
2.3
-
-
-
-
-
-
-
-
2.1
2.0
0.22
0.5
0.05
0.06
5.5
5.5
4.0
3.0
0.6
-
-
-
V
V
mA
mA
mA
A
A
A
V
CC2
关机
电源电流
启动电路
预充电电路
电压
ENABLE高门槛
电压
实现低阈值
电压
使能引脚输入
当前
V
PRE
V
EN_H
V
EN_L
I
EN
SDA和SCL引脚浮
满
+25
+25
0.8
-
1
0.5*V
CC
0.5*V
CC
0.1
1.2
0.7*V
CC
-
1
V
V
V
A
0.3*V
CC
-1
实现从0V到V
CC1;
ISL33001和
ISL33003
满
4
FN7560.2
二零一零年九月三十日