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ISL1208
I
2
C
实时时钟/日历
数据表
2008年9月12日
FN8085.8
低功耗RTC,带有电池供电
SRAM
该ISL1208器件具有低功耗的实时时钟
时序和晶体补偿,时钟/日历,电源故障
指标,定期或轮询报警,智能电池备份
开关和电池备份SRAM的用户。
该振荡器采用外接,低成本的32.768kHz晶体。
实时时钟跟踪时间为独立的寄存器
小时,分钟和秒。该装置具有日历
登记日期,月,年和星期几。该
日历是通过2099精确,具有自动闰年
校正。
特点
实时时钟/日历
- 跟踪时间以小时,分钟和秒
- 周,日,月和年的一天
15个可选频率输出
单报警
- 可设置的秒,分,小时,星期几,
日或月
- 单事件或脉冲中断模式
自动备份到电池或超级电容器
电源故障检测
片上振荡器补偿
引脚
ISL1208
( 8引脚MSOP , SOIC )
顶视图
X1
X2
VBAT
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
IRQ / FOUT
SCL
SDA
2个字节电池备份SRAM用户
I
2
C接口
- 400kHz的数据传输速率
400nA电池供电电流
相同的引脚排列如ST M41Txx和Maxim的DS13xx设备
小型封装选项
- 8引脚MSOP和SOIC封装
- 8 Ld的TDFN封装
无铅可(符合RoHS )
ISL1208
( 8 LD TDFN )
顶视图
X1
X2
VBAT
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
IRQ / FOUT
SCL
SDA
应用
电表
暖通设备
音频/视频组件
机顶盒/电视
调制解调器
网络路由器,集线器,交换机,网桥
蜂窝基础设施设备
固定宽带无线设备
寻呼机/ PDA
POS设备
测试仪表/夹具
办公自动化(复印机,传真机)
家电
计算机产品
其他工业/医疗/汽车
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004-2006年2008年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL1208
.
订购信息
产品型号
ISL1208IU8
ISL1208IU8-TK*
ISL1208IU8Z (注)
ISL1208IU8Z-TK*
(注)
ISL1208IB8
ISL1208IB8-TK*
ISL1208IB8Z
(注)
ISL1208IB8Z-TK*
(注)
ISL1208IRT8Z
(注)
ISL1208IRT8Z-TK*
(注)
最热
AGS
AGS
ANW
ANW
V
DD
范围
(V)
2.75.5
2.75.5
2.75.5
2.75.5
TEMP 。 RANGE
(°C)
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
8引脚MSOP
8引脚MSOP和胶带
REEL
8引脚MSOP (无铅)
8引脚MSOP
磁带和卷轴
(无铅)
8 Ld的SOIC
PKG 。 DWG 。 #
M8.118
M8.118
M8.118
M8.118
1208 I
1208 I
1208 ZI
1208 ZI
08TZ
08TZ
2.75.5
2.75.5
2.75.5
2.75.5
2.75.5
2.75.5
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
MDP0027
8 Ld的SOIC卷带式MDP0027
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC
带andReel (无铅)
8 Ld的TDFN
(无铅)
MDP0027
MDP0027
L8.3x3A
8 Ld的TDFN
L8.3x3A
磁带和卷轴(无铅)
*请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
框图
SDA
SCL
SDA
卜FF器
SCL
卜FF器
RTC
控制
逻辑
分钟
小时
星期几
X1
X2
V
DD
水晶
振荡器
RTC
分频器
日期
MONTH
POR
V
开关
V
BAT
国内
供应
频率
OUT
YEAR
报警
控制
注册
用户
SRAM
IRQ /
F
OUT
I
2
C
接口
2
FN8085.8
2008年9月12日
ISL1208
引脚说明
数符号
1
2
3
4
5
6
7
8
X1
X2
VBAT
GND
SDA
SCL
描述
X1引脚是一个反相放大器的输入端和被设计为连接到一个外部32.768kHz的石英中的一个销
水晶。 X 1也可直接驱动一个32.768kHz的源。
X2脚是一个反相放大器的输出端和被设计为连接到一个外部32.768kHz的石英中的一个销
水晶。
此输入提供一个备用电源电压的设备。 V
BAT
将电力提供给装置中的事件,该V
DD
供应
失败。该引脚应连接,如果不使用接地。
串行数据(SDA )是用于串行数据传送进入和离开设备的双向引脚。它有一个漏极开路输出,
可能是电线或运算与其它漏极开路或集电极开路输出。
串行时钟( SCL )输入用于时钟的所有串行数据移入或移出器件。
IRQ / FOUT中断输出/频率输出是一个多功能引脚可以用作中断或频率输出引脚。该功能
通过配置寄存器设置。
VDD
电源
3
FN8085.8
2008年9月12日
ISL1208
绝对最大额定值
在V电压
DD
, V
BAT
, SCL , SDA和IRQ引脚(注3 )
(相对于GND ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在X1和X2引脚电压
(相对于GND ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至V
DD
+ 0.5 (V
DD
模式)
-0.5V到V
BAT
+ 0.5 (V
BAT
模式)
闭锁(注4 ) ................ II级, B级@ + 85°C
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
MSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
128
不适用
TDFN封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
53.7
2.8
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
3. V
DD
和SDA引脚不应受到负电压,而V
BAT
针偏压,否则闭锁可导致。见
应用部分。
4.采用JEDEC的二级脉冲条件和失败的标准。 B级的异常使用一个负脉冲限制在-0.5V 。
直流工作特性 - RTC
温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
符号
V
DD
V
BAT
I
DD1
参数
主电源
电池电源电压
电源电流
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
I
DD2
I
DD3
I
BAT
I
LI
I
LO
V
V
TRIPHYS
V
BATHYS
IRQ /女
OUT
V
OL
输出低电压
V
DD
= 5V
I
OL
= 3毫安
V
DD
= 2.7V
I
OL
= 1毫安
0.4
0.4
V
V
电源电流随着我
2
C动态
电源电流(低功耗模式)
电池供电电流
在SCL输入漏电流
I / O漏电流在SDA
V
BAT
模式阈值
V
迟滞
V
BAT
迟滞
1.6
10
15
V
DD
= 5V
V
DD
= 5V , LPMODE = 1
V
BAT
= 3V
5, 6
5
5
5, 6
条件
笔记
(注9 )
2.7
1.8
2
1.2
40
1.4
400
100
100
2.2
30
50
2.6
75
100
典型值
(注8)
最大
(注9 )
5.5
5.5
6
4
120
5
950
单位
V
V
A
A
A
A
nA
nA
nA
V
mV
mV
掉电时序
温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
符号
V
SR- DD
参数
V
DD
负SLEWRATE
条件
笔记
7
(注9 )
典型值
(注8)
最大
(注9 )
10
单位
V / ms的
串行接口规格
符号
参数
在推荐的工作条件,除非另有规定。
测试条件
笔记
典型值
最大
(注9 ) (注8) (注9 )
单位
串行接口SPECS
V
IL
SDA和SCL输入缓冲器低
电压
-0.3
0.3 x
V
DD
V
4
FN8085.8
2008年9月12日
ISL1208
串行接口规格
符号
V
IH
迟滞
V
OL
C
f
SCL
t
IN
t
AA
t
BUF
参数
SDA和SCL输入缓冲器高
电压
SDA和SCL输入缓冲器
迟滞
SDA输出缓冲器的低电压,
下沉3毫安
SDA和SCL引脚电容
SCL频率
脉冲宽度抑制时间
SDA和SCL输入
SCL下降沿到SDA输出
数据有效
任何脉冲宽度小于最大规格为
抑制。
SCL下降沿穿越V的30 %
DD
直到
SDA退出30%70 %的V
DD
窗口。
1300
T
A
= + 25 ° C,F = 1MHz时, V
DD
= 5V, V
IN
= 0V,
V
OUT
= 0V
10, 11
在推荐的工作条件,除非另有规定。
(续)
测试条件
笔记
典型值
最大
(注9 ) (注8) (注9 )
0.7 x
V
DD
0.05 x
V
DD
0
0.4
10
400
50
900
V
DD
+
0.3
单位
V
V
V
pF
千赫
ns
ns
ns
时间总线必须是自由之前SDA渡V的70 %
DD
一个停止时
一个新的传输开始
状况, SDA渡V的70 %
DD
在随后的启动条件。
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
START条件保持时间
输入数据建立时间
测量V的30 %
DD
道口。
测量V的70 %
DD
道口。
SCL上升沿到SDA下降沿。两
穿越的V 70 %
DD
.
从SDA下降沿穿越V的30 %
DD
到SCL下降沿交叉V的70 %
DD
.
从SDA退出30%至70 %的V
DD
窗口,以SCL上升沿穿越的30%
V
DD
从SCL下降沿穿越V的30 %
DD
到的SDA进入30%至V的70%
DD
窗口。
从SCL上升沿穿越V的70 %
DD
,
到SDA上升沿穿越V的30 %
DD
.
从SDA上升沿到SCL下降沿。
两个过路的V 70 %
DD
.
从SCL下降沿穿越V的30 %
DD
,
直到SDA进入30%70 %的V
DD
窗口。
从30%到V的70%
DD
从70%到V的30%
DD
10, 11
10, 11
10, 11
10, 11
t
t
t
SU : STA
t
高清: STA
t
苏: DAT
1300
600
600
600
100
ns
ns
ns
ns
ns
t
高清: DAT
输入数据保持时间
20
900
ns
t
苏: STO
t
高清: STO
t
DH
停止条件的建立时间
停止条件保持时间
输出数据保持时间
600
600
0
ns
ns
ns
t
R
t
F
Cb
RPU
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
20 +
0.1× Cb的
20 +
0.1× Cb的
10
1
300
300
400
ns
ns
pF
电容式SDA或SCL总片上和片外的装载
SDA和SCL总线上拉
电阻器的片外
最大为t确定
R
和T
F
.
用于CB = 400pF时,最大约为2kΩ的到 2.5kΩ 。
用于CB = 40pF ,最大约为15kΩ的到 20kΩ的
注意事项:
5. IRQ和F
OUT
无效。
6. LPMODE = 0 (默认值) 。
7.为了确保适当的计时,在V
SR- DD
规范必须遵守。
8.典型值是T = + 25 ° C和3.3V电源电压。
9.参数与MIN和/或最大极限100%经过测试,在+ 25 ° C,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
10.参数不是100 %测试。
11.这是我
2
具体参数,未经测试,但是,它们是用来设置用于测试设备来验证规范条件。
5
FN8085.8
2008年9月12日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL1208IRT8Z
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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联系人:李
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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RENESAS/INTERSIL
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