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ISL12022M
实时时钟内嵌晶体，± 5ppm的精度
数据表
2008年12月18日
FN6668.4
低功耗RTC，带有电池供电
SRAM ，集成± 5ppm的温度
补偿和自动夏令
该ISL12022M装置是低功耗的实时时钟（RTC）
具有嵌入的温度传感器和晶体。设备
功能包括振荡器补偿，时钟/日历，
电源故障和低电量监测器，欠压指示，
一时间，周期或轮询报警，智能电池
备份开关，电池重新封装功能和128字节
电池备份SRAM的用户。该器件采用一个
包含实时时钟和一个20 Ld的SOIC封装模块
嵌入式的32.768kHz石英晶体。该校准
振荡器提供小于± 5ppm的漂移在-40 ° C至
+ 85 °C温度范围。
RTC的跟踪时间为小时独立的寄存器，
分钟和秒。日历寄存器赛道日
月，年和一周中的天，并通过精确
2099年，与闰年自动校正。
夏令时间调整是自动完成的，
使用由用户输入的参数。电源故障和电池
显示器提供了用户可选择的行程水平。时间戳
功能记录时间和切换的日期从V
DD
to
V
BAT
功率，并且还从V
BAT
到V
DD
力。
特点
嵌入式的32.768kHz石英晶体的封装
20 Ld的SOIC封装
（对于DFN版本，指的是
ISL12020M)
实时时钟/日历
- 跟踪时间以小时，分钟和秒
- 周，日，月和年的一天
片上振荡器温度补偿
- ± 5ppm的精度在-40 ° C至+ 85°C
10位数字温度传感器输出
-
±
2 ° C精度
用户可编程的日光节约时间
15个可选频率输出
1报警
- 可设置的秒，分，小时，星期几，
日或月
- 单事件或脉冲中断模式
自动备份到电池或超级电容器
- 操作到V
BAT
= 1.8V
- 1.0μA电池电源电流
电池状态监控器
- 2用户可编程的水平
- 七可选择的电压为每个级别
电池重新封装功能，延长电池的保质期
电源掉电状态监控
- 六个可选择的旅行级别，从2.295V到4.675V
振荡器失效检测
时间戳首V
DD
到V
BAT
和上次V
BAT
到V
DD
切换
128字节电池备份SRAM用户
I
2
C- BUS
- 400kHz的时钟频率
引脚
ISL12022M
（ 20 LD SOIC ）
顶视图
NC
NC
NC
NC
NC
GND
V
BAT
GND
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
NC
NC
NC
NC
GND
V
DD
IRQ /女
OUT
SCL
SDA
应用
电表
POS设备
医疗设备
打印机和复印机
- 数码相机
安全系统
自动贩卖机
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 | Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的注册商标。
I
2
C总线是由恩智浦半导体荷兰，法国BV拥有的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008.版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL12022M
订购信息
产品型号
（注）
ISL12022MIBZ*
部分
记号
ISL12022MIBZ
V
DD
范围
(V)
2.75.5
温度范围
(°C)
-40至+85
包
（无铅）
20 Ld的SOIC
M20.3
PKG 。
DWG 。 ＃
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容） 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
框图
SDA
SCL
SDA
卜FF器
SCL
卜FF器
I
2
C
接口
秒
控制
逻辑
注册
分钟
小时
星期几
水晶
振荡器
V
DD
V
旅
+
-
V
BAT
GND
开关
国内
供应
温度
传感器
频率
控制
RTC
分频器
日期
MONTH
POR
频率
OUT
YEAR
报警
控制
注册
用户
SRAM
IRQ /女
OUT
引脚说明
针
数
1, 2, 3, 4, 5, 9,
10, 16, 17,
18, 19, 20
7
6, 8, 15
11
12
13
14
符号
NC
描述
无连接。
不要连接到信号或电源电压。
V
BAT
GND
SDA
SCL
IRQ /女
OUT
V
DD
备用电源。
此输入提供一个备用电源电压的设备。 V
BAT
将电力提供给所述设备中
该事件是在V
DD
电源出现故障。该引脚应连接，如果不使用接地。
地面上。
串行数据。
SDA是用于串行数据传送进入和离开装置的双向引脚。它有一个漏极开路
输出可能是电线或运算与其它漏极开路或集电极开路输出。
串行时钟。
在SCL输入用于时钟的所有串行数据移入或移出器件。
中断输出/频率输出。
多功能引脚可以用作中断或频率输出引脚。该
功能是通过配置寄存器设置。输出是漏极开路，需要一个上拉电阻。
电源。
2
FN6668.4
2008年12月18日
ISL12022M
绝对最大额定值
在V电压
DD
, V
BAT
， SCL ， SDA和IRQ /女
OUT
引脚
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6.0V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3014 ） 。 。 。 。 .>3kV
机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>300V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
20引脚SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
无铅回流焊温度曲线（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2. ISL12022M振荡器初始精度可以回流焊连接后更改。变化的量将依赖于回流
温度和暴露的长度。一般的规则是仅使用一个回流循环，并保持温度和时间尽可能短。
±1ppm的顺序为± 3ppm的变化上可以用典型的回流温度曲线可以预期的。
直流工作特性 - RTC测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
符号
V
DD
V
BAT
I
DD1
参数
主电源
电池电源电压
V
DD
= 5V
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换不主动，女
OUT
V
DD
= 3V
未激活）
电源电流。 （我
2
C动态，温度
转换不主动，女
OUT
未激活）
V
DD
= 5V
条件
民
典型值
最大
（注10 ） （注6 ） （注10 ）
2.7
1.8
4.1
3.5
200
120
5.5
5.5
7
6
500
400
单位
V
V
A
A
A
A
3
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
笔记
I
DD2
I
DD3
V
DD
= 5V
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换活动，女
OUT
不
活动）
电池供电电流
V
DD
= 0V, V
BAT
= 3V ，T
A
= +25°C
V
DD
= 0V, V
BAT
= 3V
I
BAT
1.0
1.0
1.6
5.0
100
A
A
nA
A
A
mV
mV
V
mV
mV
4
4
I
BATLKG
I
LI
I
LO
V
BATM
V
PBM
V
旅
电池输入漏
在SCL输入漏电流
I / O漏电流在SDA
电池电量监测阈值
节电电平阈值监测
V
BAT
模式阈值
V
DD
= 5.5V, V
BAT
= 1.8V
V
IL
= 0V, V
IH
= V
DD
V
IL
= 0V, V
IH
= V
DD
-1.0
-1.0
-100
-100
2.0
2.2
30
50
V
DD
=
3.3V
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= V
BAT
= 3.3V
-5
-3
-3
±2
±0.1
±0.1
1.0
1.0
+100
+100
2.4
V
TRIPHYS
V
旅
迟滞
V
BATHYS
ΔFout
T
ΔFout
V
ΔFout
I
温度
V
BAT
迟滞
振荡器的稳定性与温度
振荡器的稳定性VS电压
振荡器初始精度
温度传感器精度
8
8
2
+5
+3
+3
PPM
PPM
PPM
°C
2
8
IRQ /女
OUT
（开漏输出）
V
OL
输出低电压
V
DD
= 5V ，我
OL
= 3毫安
V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 1毫安
0.4
0.4
V
V
3
FN6668.4
2008年12月18日
ISL12022M
掉电时序
符号
V
DDSR-
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，温度= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
参数
V
DD
消极的压摆率
条件
民
典型值
最大
（注10 ） （注6 ） （注10 ）
10
单位
V / ms的
笔记
7
I
2
C接口规范
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，温度= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有规定ED 。
符号
V
IL
V
IH
迟滞
V
OL
C
针
参数
SDA和SCL输入缓冲器低
电压
SDA和SCL输入缓冲器高
电压
SDA和SCL输入缓冲器
迟滞
SDA输出缓冲器的低电压，
下沉3毫安
SDA和SCL引脚电容
V
DD
= 5V ，我
OL
= 3毫安
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 5V, V
IN
= 0V,
V
OUT
= 0V
0
测试条件
民
（注10 ）
-0.3
0.7× V
DD
0.05 x
V
DD
0.02
0.4
10
典型值
（注6 ）
最大
（注10 ）单位
0.3× V
DD
V
DD
+ 0.3
V
V
V
V
pF
8, 9
8, 9
笔记
f
SCL
t
IN
t
AA
SCL频率
脉冲宽度抑制时间
SDA和SCL输入
SCL下降沿到SDA输出
数据有效
任何脉冲比窄
最大规格被抑制。
SCL下降沿穿越
Ⅴ的30％的
DD
直到SDA退出
的30％至V的70％
DD
窗口。
1300
400
50
900
千赫
ns
ns
t
BUF
时间总线必须是自由之前SDA渡V的70 ％
DD
一个新的传输开始
在一个停止条件，以
SDA渡V的70 ％
DD
下面的启动过程
条件。
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
测量V的30 ％
DD
道口。
测量V的70 ％
DD
道口。
SCL上升沿到SDA
下降沿。这两个路口
V 70 ％
DD
.
从SDA下降沿
穿越的V 30 ％
DD
为了SCL
下降沿交叉的70％
V
DD
.
从SDA退出30％至
V 70 ％
DD
窗口，以SCL
上升沿交叉的30 ％
V
DD.
从SCL下降沿
穿越的V 30 ％
DD
到SDA
在进入30％至70％的
V
DD
窗口。
ns
t
低
t
高
t
SU ： STA
1300
600
600
ns
ns
ns
t
高清： STA
START条件保持时间
600
ns
t
苏： DAT
输入数据建立时间
100
ns
t
高清： DAT
输入数据保持时间
20
900
ns
4
FN6668.4
2008年12月18日
ISL12022M
I
2
C接口规范
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，温度= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有规定ED 。
（续）
符号
t
苏： STO
参数
停止条件的建立时间
测试条件
从SCL上升沿
穿越的V 70 ％
DD
到SDA
上升沿交叉的30 ％
V
DD
.
从SDA上升沿
SCL下降沿。两
穿越的V 70 ％
DD
.
从SCL下降沿
穿越的V 30 ％
DD
直到
SDA进入30 ％至70％
V的
DD
窗口。
从30％到V的70％
DD.
从70％到V的30％
DD.
民
（注10 ）
600
典型值
（注6 ）
最大
（注10 ）单位
ns
笔记
t
高清： STO
停止条件保持时间
600
ns
t
DH
输出数据保持时间
0
ns
t
R
t
F
Cb
R
PU
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
20 + 0.1× Cb的
20 + 0.1× Cb的
10
1
300
300
400
ns
ns
pF
kΩ
8, 9
8, 9
8, 9
8, 9
电容式SDA或SCL总片上和片外的装载
SDA和SCL总线上拉电阻最大值由下式确定
片
t
R
和T
F
.
用于CB = 400pF时，最大的约
2kΩ~2.5kΩ.
用于CB = 40pF ，最大约为
15kΩ~20kΩ
注意事项：
3.温度转换是无效的低于V
BAT
= 2.7V 。设备操作不能保证在V
BAT
<1.8V.
4. IRQ /女
OUT
无效。
5. V
DD
＆ GT ; V
BAT
+V
BATHYS
6.指定在+ 25°C 。
7.为了确保适当的计时，在V
SR- DD
规范必须遵守。
8.限制应被视为典型的和不生产测试。
9.这是我
2
具体参数，未经测试，但是，它们是用来设置用于测试设备来验证条件
特定连接的阳离子。
10.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立
表征和不生产测试。
5
FN6668.4
2008年12月18日
ISL12022M
实时时钟内嵌晶体，± 5ppm的精度
数据表
2009年7月10日
FN6668.5
低功耗RTC，带有电池供电
SRAM ，集成± 5ppm的温度
补偿和自动夏令
该ISL12022M装置是低功耗的实时时钟（RTC）
具有嵌入的温度传感器和晶体。设备
功能包括振荡器补偿，时钟/日历，
电源故障和低电量监测器，欠压指示，
一时间，周期或轮询报警，智能电池
备份开关，电池重新封装功能和128字节
电池备份SRAM的用户。该器件采用一个
包含实时时钟和一个20 Ld的SOIC封装模块
嵌入式的32.768kHz石英晶体。该校准
振荡器提供小于± 5ppm的漂移在-40 ° C至
+ 85 °C温度范围。
RTC的跟踪时间为小时独立的寄存器，
分钟和秒。日历寄存器赛道日
月，年和一周中的天，并通过精确
2099年，与闰年自动校正。
夏令时间调整是自动完成的，
使用由用户输入的参数。电源故障和电池
显示器提供了用户可选择的行程水平。时间戳
功能记录时间和切换的日期从V
DD
to
V
BAT
功率，并且还从V
BAT
到V
DD
力。
特点
嵌入式的32.768kHz石英晶体的封装
20 Ld的SOIC封装
（对于DFN版本，指的是
ISL12020M)
实时时钟/日历
- 跟踪时间以小时，分钟和秒
- 周，日，月和年的一天
片上振荡器温度补偿
- ± 5ppm的精度在-40 ° C至+ 85°C
10位数字温度传感器输出
-
±
2 ° C精度
用户可编程的日光节约时间
15个可选频率输出
1报警
- 可设置的秒，分，小时，星期几，
日或月
- 单事件或脉冲中断模式
自动备份到电池或超级电容器
- 操作到V
BAT
= 1.8V
- 1.0μA电池电源电流
电池状态监控器
- 2用户可编程的水平
- 七可选择的电压为每个级别
电池重新封装功能，延长电池的保质期
电源掉电状态监控
- 六个可选择的旅行级别，从2.295V到4.675V
振荡器失效检测
时间戳首V
DD
到V
BAT
和上次V
BAT
到V
DD
切换
128字节电池备份SRAM用户
I
2
C- BUS
- 400kHz的时钟频率
无铅（符合RoHS ）
引脚
ISL12022M
（ 20 LD SOIC ）
顶视图
NC
NC
NC
NC
NC
GND
V
BAT
GND
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
NC
NC
NC
NC
GND
V
DD
IRQ /女
OUT
SCL
SDA
应用
电表
POS设备
医疗设备
打印机和复印机
- 数码相机
安全系统
自动贩卖机
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 | Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的注册商标。
I
2
C总线是由恩智浦半导体荷兰，法国BV拥有的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008年， 2009年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL12022M
订购信息
产品型号
（注）
ISL12022MIBZ*
部分
记号
ISL12022MIBZ
V
DD
范围
(V)
2.75.5
温度范围
(°C)
-40至+85
包
（无铅）
20 Ld的SOIC
M20.3
PKG 。
DWG 。 ＃
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容） 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
框图
SDA
SCL
SDA
卜FF器
SCL
卜FF器
I
2
C
接口
秒
控制
逻辑
注册
分钟
小时
星期几
水晶
振荡器
V
DD
V
旅
+
-
V
BAT
GND
开关
国内
供应
温度
传感器
频率
控制
RTC
分频器
日期
MONTH
POR
频率
OUT
YEAR
报警
控制
注册
用户
SRAM
IRQ /女
OUT
引脚说明
针
数
1, 2, 3, 4, 5, 9,
10, 16, 17,
18, 19, 20
7
6, 8, 15
11
12
13
14
符号
NC
描述
无连接。
不要连接到信号或电源电压。
V
BAT
GND
SDA
SCL
IRQ /女
OUT
V
DD
备用电源。
此输入提供一个备用电源电压的设备。 V
BAT
将电力提供给所述设备中
该事件是在V
DD
电源出现故障。该引脚应连接，如果不使用接地。
地面上。
串行数据。
SDA是用于串行数据传送进入和离开装置的双向引脚。它有一个漏极开路
输出可能是电线或运算与其它漏极开路或集电极开路输出。
串行时钟。
在SCL输入用于时钟的所有串行数据移入或移出器件。
中断输出/频率输出。
多功能引脚可以用作中断或频率输出引脚。该
功能是通过配置寄存器设置。输出是漏极开路，需要一个上拉电阻。
电源。
2
FN6668.5
2009年7月10日
ISL12022M
绝对最大额定值
在V电压
DD
, V
BAT
和IRQ /女
OUT
引脚
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6.0V
在SCL和SDA引脚电压
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3014 ） 。 。 。 。 .>3kV
机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>300V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
20引脚SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
无铅回流焊温度曲线（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2. ISL12022M振荡器初始精度可以回流焊连接后更改。变化的量将依赖于回流
温度和暴露的长度。一般的规则是仅使用一个回流循环，并保持温度和时间尽可能短。
±1ppm的顺序为± 3ppm的变化上可以用典型的回流温度曲线可以预期的。
直流工作特性 - RTC测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
符号
V
DD
V
BAT
I
DD1
参数
主电源
电池电源电压
（注11 ）
（注11 ）
条件
民
典型值
最大
（注10 ） （注6 ） （注10 ）
2.7
1.8
4.1
3.5
200
120
5.5
5.5
7
6
500
400
单位
V
V
A
A
A
A
3
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
笔记
V
DD
= 5V
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换不主动，女
OUT
V
DD
= 3V
未激活）
电源电流。 （我
2
C动态，温度
转换不主动，女
OUT
未激活）
V
DD
= 5V
I
DD2
I
DD3
V
DD
= 5V
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换活动，女
OUT
不
活动）
电池供电电流
V
DD
= 0V, V
BAT
= 3V ，T
A
= +25°C
V
DD
= 0V, V
BAT
= 3V
I
BAT
1.0
1.0
1.6
5.0
100
A
A
nA
A
A
mV
mV
V
mV
mV
4
4
I
BATLKG
I
LI
I
LO
V
BATM
V
PBM
V
旅
电池输入漏
在SCL输入漏电流
I / O漏电流在SDA
电池电量监测阈值
节电电平阈值监测
V
BAT
模式阈值
V
DD
= 5.5V, V
BAT
= 1.8V
V
IL
= 0V, V
IH
= V
DD
V
IL
= 0V, V
IH
= V
DD
-1.0
-1.0
-100
-100
（注11 ）
2.0
2.2
30
50
V
DD
=
3.3V
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= V
BAT
= 3.3V
-5
-3
-3
±2
±0.1
±0.1
1.0
1.0
+100
+100
2.4
V
TRIPHYS
V
旅
迟滞
V
BATHYS
ΔFout
T
ΔFout
V
ΔFout
I
温度
V
BAT
迟滞
振荡器的稳定性与温度
振荡器的稳定性VS电压
振荡器初始精度
温度传感器精度
8
8
2
+5
+3
+3
PPM
PPM
PPM
°C
2
8
IRQ /女
OUT
（开漏输出）
V
OL
输出低电压
V
DD
= 5V ，我
OL
= 3毫安
V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 1毫安
0.4
0.4
V
V
3
FN6668.5
2009年7月10日
ISL12022M
掉电时序
符号
V
DDSR-
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，温度= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
参数
V
DD
消极的压摆率
条件
民
典型值
最大
（注10 ） （注6 ） （注10 ）
10
单位
V / ms的
笔记
7
I
2
C接口规范
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，温度= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有规定ED 。
符号
V
IL
V
IH
迟滞
V
OL
C
针
参数
SDA和SCL输入缓冲器低
电压
SDA和SCL输入缓冲器高
电压
SDA和SCL输入缓冲器
迟滞
SDA输出缓冲器的低电压，
下沉3毫安
SDA和SCL引脚电容
V
DD
= 5V ，我
OL
= 3毫安
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 5V, V
IN
= 0V,
V
OUT
= 0V
0
测试条件
民
（注10 ）
-0.3
0.7× V
DD
0.05 x
V
DD
0.02
0.4
10
典型值
（注6 ）
最大
（注10 ）单位
0.3× V
DD
V
DD
+ 0.3
V
V
V
V
pF
8, 9
8, 9
笔记
f
SCL
t
IN
t
AA
SCL频率
脉冲宽度抑制时间
SDA和SCL输入
SCL下降沿到SDA输出
数据有效
任何脉冲比窄
最大规格被抑制。
SCL下降沿穿越
Ⅴ的30％的
DD
直到SDA退出
的30％至V的70％
DD
窗口。
1300
400
50
900
千赫
ns
ns
t
BUF
时间总线必须是自由之前SDA渡V的70 ％
DD
一个新的传输开始
在一个停止条件，以
SDA渡V的70 ％
DD
下面的启动过程
条件。
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
测量V的30 ％
DD
道口。
测量V的70 ％
DD
道口。
SCL上升沿到SDA
下降沿。这两个路口
V 70 ％
DD
.
从SDA下降沿
穿越的V 30 ％
DD
为了SCL
下降沿交叉的70％
V
DD
.
从SDA退出30％至
V 70 ％
DD
窗口，以SCL
上升沿交叉的30 ％
V
DD.
从SCL下降沿
穿越的V 30 ％
DD
到SDA
在进入30％至70％的
V
DD
窗口。
ns
t
低
t
高
t
SU ： STA
1300
600
600
ns
ns
ns
t
高清： STA
START条件保持时间
600
ns
t
苏： DAT
输入数据建立时间
100
ns
t
高清： DAT
输入数据保持时间
20
900
ns
4
FN6668.5
2009年7月10日
ISL12022M
I
2
C接口规范
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，温度= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有规定ED 。
（续）
符号
t
苏： STO
参数
停止条件的建立时间
测试条件
从SCL上升沿
穿越的V 70 ％
DD
到SDA
上升沿交叉的30 ％
V
DD
.
从SDA上升沿
SCL下降沿。两
穿越的V 70 ％
DD
.
从SCL下降沿
穿越的V 30 ％
DD
直到
SDA进入30 ％至70％
V的
DD
窗口。
从30％到V的70％
DD.
从70％到V的30％
DD.
民
（注10 ）
600
典型值
（注6 ）
最大
（注10 ）单位
ns
笔记
t
高清： STO
停止条件保持时间
600
ns
t
DH
输出数据保持时间
0
ns
t
R
t
F
Cb
R
PU
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
20 + 0.1× Cb的
20 + 0.1× Cb的
10
1
300
300
400
ns
ns
pF
kΩ
8, 9
8, 9
8, 9
8, 9
电容式SDA或SCL总片上和片外的装载
SDA和SCL总线上拉电阻最大值由下式确定
片
t
R
和T
F
.
用于CB = 400pF时，最大的约
2kΩ~2.5kΩ.
用于CB = 40pF ，最大约为
15kΩ~20kΩ
注意事项：
3.温度转换是无效的低于V
BAT
= 2.7V 。设备操作不能保证在V
BAT
<1.8V.
4. IRQ /女
OUT
无效。
5. V
DD
＆ GT ; V
BAT
+V
BATHYS
6.指定在+ 25°C 。
7.为了确保适当的计时，在V
SR- DD
规范必须遵守。
8.限制应被视为典型的和不生产测试。
9.这是我
2
具体参数，未经测试，但是，它们是用来设置用于测试设备来验证条件
特定连接的阳离子。
10.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立
表征和不生产测试。
11.最小V
DD
和/或V的
BAT
1V的维持SRAM中。该值是基于特征并没有经过测试。
5
FN6668.5
2009年7月10日
低功耗RTC，带有电池供电的SRAM ，
集成± 5ppm的温度补偿和
自动夏令
ISL12022M
该ISL12022M装置是低功耗的实时时钟
（ RTC），具有嵌入的温度传感器和
水晶。设备功能包括振荡器补偿，
时钟/日历，电源故障和低电量显示器，
欠压指示，一次性的，周期性的或轮询报警，
智能电池备份开关，电池重新封装
功能和128字节的电池备份SRAM的用户。
该器件采用20 Ld的SOIC封装模块，
包含RTC和嵌入式的32.768kHz石英晶
水晶。标定的振荡器提供小于
± 5ppm的漂移在-40 ° C至+ 85 ° C的温度
范围内。
RTC的跟踪时间为小时独立的寄存器，
分钟和秒。日历寄存器赛道日
月，年和一周中的天，并且准确
到2099年，具有自动闰年修正。
夏令时间调整是自动完成的，
使用由用户输入的参数。电源故障和
电池监控器提供用户可选择的行程水平。该
时间戳功能记录的时间和日期
从V切换
DD
到V
BAT
功率，并且还从V
BAT
到V
DD
力。
ISL12022M
特点
嵌入式的32.768kHz石英晶体的封装
20 Ld的SOIC封装（ DFN的版本，请参阅
ISL12020M)
日历
片上振荡器温度补偿
10位数字温度传感器输出
15个可选频率输出
中断报警或15个可选频率
输出
自动备份到电池或超级电容器
VDD和电池状态监测
电池重新封装功能，延长电池架
生活
电源掉电状态监控
时间戳电池切换
128字节电池备份SRAM用户
I
2
C- BUS
符合RoHS
相关文献*
（参见第30页）
见
AN1549
“解决电源问题的实时
时钟应用程序“
应用*
（参见第30页）
电表
POS设备
打印机和复印机
- 数码相机
典型应用电路
1 NC
2 NC
3 NC
4 NC
肖特基二极管
BAT54
电池
3.0V
C2
0.1F
5 NC
6 GND
NC 20
NC 19
NC 18
NC 17
NC 16
GND 15
3.3V
C1
0.1F
R1 R2 R3
10k 10k 10k
VDD
SCL MCU
接口
SDA
GND
IRQ / FOUT
性能曲线
F
OUT
频率误差（ PPM ）
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-40
-20
0
20
40
温度（℃）
60
80
V
DD
= 3.3V
V
BAT
= 5.5V
V
DD
= 2.7V
振荡器误差与温度
7 VBAT
VDD 14
8 GND IRQ / FOUT 13
9 NC
10 NC
SCL 12
SDA 11
ISL12022M
2010年6月4日
FN6668.7
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 | Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的注册商标。
I
2
C总线是由恩智浦半导体荷兰，法国BV拥有的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008年， 2009年， 2010年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL12022M
框图
SDA
SCL
SDA
卜FF器
SCL
卜FF器
I
2
C
接口
秒
控制
逻辑
注册
分钟
小时
星期几
水晶
振荡器
V
DD
V
旅
+
-
V
BAT
GND
开关
国内
供应
温度
传感器
频率
控制
POR
RTC
分频器
日期
MONTH
频率
OUT
报警
YEAR
控制
注册
用户
SRAM
IRQ /女
OUT
引脚配置
ISL12022M
（ 20 LD SOIC ）
顶视图
NC
NC
NC
NC
NC
GND
V
BAT
GND
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
NC
NC
NC
NC
GND
V
DD
IRQ /女
OUT
SCL
SDA
引脚说明
针
数
1, 2, 3, 4, 5,
9, 10, 16,
17, 18, 19,
20
7
符号
NC
描述
无连接。
不要连接到信号或电源电压。
V
BAT
备用电源。
此输入提供一个备用电源电压的设备。 VBAT供电，以
该设备在VDD电源发生故障时。该管脚可以连接到一个电池，一个
超级电容器或连接至地，如果不使用。看到电池监控器参数中的“ DC工作
第4页上的特点， RTC “表此引脚应连接，如果不使用接地。
串行数据。
SDA是用于将数据传输进和流出所述装置的一个双向引脚。它有一个
开漏输出，并且可以进行逻辑或运算与其它漏极开路或集电极开路输出。输入缓冲器
始终处于激活状态（未选通）在正常模式下。
漏极开路输出需要使用一个上拉电阻。输出电路控制的下降时间
与使用斜率控制下拉的输出信号的。该电路被设计为400kHz的
I
2
C接口速度。禁用当VBAT引脚的备用电源启动。
11
SDA
2
FN6668.7
2010年6月4日
ISL12022M
引脚说明
（续）
针
数
12
符号
SCL
描述
串行时钟。
在SCL输入用于时钟的所有串行数据移入或移出器件。输入缓冲器
该引脚上始终处于活动状态（没有门） 。它被禁用时，在V备用电源
BAT
针
被激活，以最大限度地降低功耗。
中断输出/频率输出
（默认32.768kHz的频率输出） 。这种双重功能引脚
可以作为一个中断或频率输出引脚。该IRQ / FOUT模式通过频率选择
所述控制/状态寄存器的出控制位。
中断模式。
该引脚提供一个中断信号
输出。该信号通知给报警已发生，并请求动作的主机处理器。它是一个
漏极开路低电平有效输出。
频率输出方式。
该引脚输出一个时钟信号，该信号是
相关的晶振频率。输出频率是用户可选择的，并通过我启用
2
C总线。
这是一个开漏输出。输出是漏极开路，需要一个上拉电阻。
电源。
芯片电源和接地引脚。该设备将与来自电源供电
VDD = 2.7V至5.5VDC 。一个0.1μF电容建议在V
DD
引脚接地。
13
IRQ /女
OUT
14
6, 8, 15
V
DD
GND
订购信息
产品型号
（注3）
ISL12022MIBZ （注2）
部分
记号
ISL12022MIBZ
V
DD
范围
(V)
2.75.5
2.75.5
温度范围
(°C)
-40至+85
-40至+85
包
（符合RoHS ）
20 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M20.3
ISL12022MIBZ -T （注1,2 ） ISL12022MIBZ
20 Ld的SOIC （卷带式） M20.3
1.请参考
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil的产品采用塑料包装特殊材料组，模塑料和100 ％雾锡板加
退火（ E3 ）终止完成。这些产品不含有铅，但他们都符合RoHS豁免7标准（铅在高熔点
临时焊料内部连接），并免除5 （铅压电元件） 。这些Intersil的符合RoHS标准
产品既锡铅和无铅焊接操作兼容。这些Intersil的符合RoHS标准的产品是MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备信息页
ISL12022M.
有关MSL更多信息，请
看到techbrief
TB363.
3
FN6668.7
2010年6月4日
ISL12022M
目录
典型应用电路................................. 1
性能曲线............................................ 1
框图................................................ ... 2
引脚说明................................................ 2
绝对最大额定值.............................. 5
热信息........................................ 5
电气规格.................................... 5
I
2
C接口规范.............................. 6
SDA ，SCL VS时序............................................. 8
符号表................................................ 8 .....
典型性能曲线............................. 9
概述......................................... 10
功能说明..................................... 11
电源控制操作.................................
正常模式（V
DD
），以电池备份模式（V
BAT
)...
电池备份模式（V
BAT
），以正常模式（V
DD
)...
掉电检测..................................
掉电检测........................................
电池电量监控器......................................
单事件和中断..............................
频率输出模式..................................
通用用户SRAM ............................
I
2
C接口........................................
振荡器补偿..................................
11
11
11
11
11
11
12
12
12
12
12
地址[ 07H到0Fh ] ................................. 15
中断控制寄存器（ INT ） ...................... 16
电源控制寄存器（ PWR_VDD ） ....... 17
电池电压跳闸电压寄存器（ PWR_VBAT ） ..... 17
最初的AT和DT设置寄存器（ ITRO ） .......... 17
注册ALPHA （阿尔法） ................................. 19
BETA注册（ BETA ） ................................... 19
最后的模拟微调寄存器（ FATR ） ............. 20
最后的数字微调寄存器（ FDTR ） ............. 20
报警寄存器（ 10H到15H） ......................... 20
时间戳VDD为电池寄存器（ TSV2B ） ......... 21
时间戳电池连接到VDD寄存器（ TSB2V ） ......... 21
DST控制寄存器（ DSTCR ） ....................... 22
TEMP寄存器（ TEMP ） ................................... 23
NPPM寄存器（ NPPM ） ................................. 23
XT0寄存器（ XT0 ） ....................................... 23
ALPHA热寄存器（ ALPHAH ） ......................... 24
用户注册（通过使用从机地址进行访问
1010111x) ................................................... 24
地址[从00h到7F ] ................................. 24
I
2
C接口......................................... 24
协议约定...................................... 24
器件寻址........................................... 25
写操作.............................................. 26
读操作............................................... 26
应用部分......................................... 26
电池备份详细信息...................................
布局的注意事项....................................
测量振荡器精度.........................
温度补偿操作..............
夏令时（ DST ）示例..............
26
26
27
27
28
实时时钟运行............................... 12
注册说明...................................... 12
实时时钟寄存器............................... 14
地址[ 00H到06H ] ................................... 14
控制和状态寄存器（ CSR） ................. 15
修订历史.............................................. 29
产品................................................. ......... 30
M20.3 ............................................................. 31
4
FN6668.7
2010年6月4日
ISL12022M
绝对最大额定值
在V电压
DD
, V
BAT
和IRQ /女
OUT
引脚
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6.0V
在SCL和SDA引脚电压
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD额定值
人体模型
（每MIL -STD- 883方法3014 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >3kV
机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>300V
带电器件模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2200V
闩锁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。二级A类，
在+ 85 °C的环境与A级闭锁传递
100mA或1.5 V的标准*
最大
输入
热信息
热电阻（典型值）
20引脚SOIC （注4,5）
θ
JA
（ ° C / W）
70
θ
JC
（ ° C / W）
35
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
无铅回流焊温度曲线（注6 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的
在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。
注意事项：
4.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB379了解详细信息。
5.对于
θ
JC
时，“外壳温度”位置是在包装的顶部和在销6和15之间的包的中心测量。
6. ISL12022M振荡器初始精度可以回流焊连接后更改。变化的量将取决于
在回流温度和暴露的长度。一般的规则是仅使用一个回流循环，并保持温度和
时间越短越好。 ±1ppm的顺序为± 3ppm的变化上可以用典型的回流温度曲线可以预期的。
直流工作特性RTC
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，除非另有
说。
黑体字限额适用于整个工作温度范围内，
-40 ° C至+ 85°C 。
条件
（注15 ）
（注15 ）
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
V
DD
= 5V
民
典型值
最大
（注7 ） （注8） （注7 ）单位
2.7
1.8
4.1
3.5
200
5.5
5.5
7
6
500
V
V
A
A
A
9
10, 11
10, 11
10, 11
符号
V
DD
V
BAT
I
DD1
参数
主电源
电池电源电压
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换不
主动，女
OUT
未激活）
电源电流。 （我
2
C动态，
温度转换不
主动，女
OUT
未激活）
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换活动，
F
OUT
未激活）
电池供电电流
笔记
I
DD2
I
DD3
V
DD
= 5V
120
400
A
10, 11
I
BAT
V
DD
= 0V, V
BAT
= 3V,
T
A
= +25°C
V
DD
= 0V, V
BAT
= 3V
V
DD
= 5.5V, V
BAT
= 1.8V
V
IL
= 0V, V
IH
= V
DD
V
IL
= 0V, V
IH
= V
DD
-1.0
-1.0
-100
-100
（注15 ）
2.0
1.0
1.0
±0.1
±0.1
1.6
5.0
100
1.0
1.0
+100
+100
A
A
nA
A
A
mV
mV
V
mV
mV
10
10
I
BATLKG
I
LI
I
LO
V
BATM
V
PBM
V
旅
电池输入漏
在SCL输入漏电流
I / O漏电流在SDA
电池电量监测阈值
节电电平阈值监测
V
BAT
模式阈值
2.2
30
50
2.4
V
TRIPHYS
V
旅
迟滞
V
BATHYS
V
BAT
迟滞
ΔFout
T
ΔFout
V
ΔFout
I
温度
振荡器的稳定性与温度
振荡器的稳定性VS电压
振荡器初始精度
温度传感器精度
V
DD
=
3.3V
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= V
BAT
= 3.3V
-5
-3
-3
13
13
6
6
13
+5
+3
+3
±2
PPM
PPM
PPM
°C
5
FN6668.7
2010年6月4日
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