〈
晶体管
〉
ISC5804AT2
低频应用
硅NPN外延型
描述
2SC5804是密封的超小型封装树脂
NPN硅外延晶体管，
它是专为低频应用。
既然是超薄扁平引线式封装，高密度
安装是可能的。
互补与2SC3052 。
1.21±0.1
0.2±0.05
1.21±0.1
0.81±0.1
0.2±0.05
概要
制图
Unit：½½
特征
●超薄扁平引线型封装。 T = 0.45毫米
●优秀的正向直流电流增益线性。
低集电极到发射极饱和电压
VCE （SAT） = 0.3V最大值（ @ IC =百毫安/ IB = 10毫安）
0.4
②
③
对于混合集成电路，小型机器的低频电压
扩大应用。
该
0.50±0.03
应用
尺寸公差的参考价值。
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
JEITA ：
等级
50
6
50
150
150
（*）
＋125
-55½＋
125
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
等效电路
VCBO
VEBO
V
首席执行官
IC
PC
Tj
TSTG
型号名称
项目的hFE
J
※包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
A
Ｌ
B
C
D
Ｆ
E
F
I
H
G
A½F running No.
电气特性（Ta = 25℃）
符号
集电极到发射极击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê
饱和电压
参数
V（ BR ）
首席执行官
I
CBO
I
EBO
的hFE
的hFE
VCE （ SAT ）
fT
COB
NF
G½J
制造个月
测试条件
I
C
= 100μA ，R
V
V
V
V
CB
EB
BE
极限
民
50
-
-
150
90
-
-
-
-
E
150½300
典型值
―
-
-
※
-
-
200
2.5
-
F
250½500
民
―
0.1
0.1
800
-
0.3
-
-
15
0.25±0.02
①
0.8
0.4
单位
典型值
V
μA
μA
-
-
v
兆赫
pF
dB
=∞
= 50V ，我
E
=0mA
= 6V ，我
C
=0mA
= 6V ，我
C
=1mA
= 6V ，我
C
=0.1mA
CE
CE
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
V
V
CE
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
※它显示在下面的表的hFE分类。
= 6V ，我
E
=-10mA
= 6V ，我
E
=0mA,f=1MHz
= 6V ，我
E
=-0.1mA,f=1kHz,RG=2kΩ
项
的hFE
CB
CE
G
400½800
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JAN
.2008
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