IS93C46A IS93C56A IS93C66A
ISSI
2002
1024 / 2048 / 4096位串行电
可擦除PROM
十一月
特点
行业标准的Microwire接口
- 非易失性数据存储
低电压工作：
VCC = 2.5V至5.5V
- 全TTL兼容的输入和输出
- 自动增量为有效的数据转储
用户配置的内存组织
- 通过16位或8位
硬件和软件写保护
- 默认是禁止写入的电状态
- 软件设置为写使能/禁用
增强的低电压CMOS ê
2
舞会
技术
多功能，易于使用的界面
- 自定时编程周期
- 自动擦除前写
- 编程状态指示灯
- Word和芯片擦除
- 停止SK随时以节省功耗
可靠耐用
- 40年的数据保存后， 1M的写周期
- 1百万次写周期
- 无限的读周期
- 施密特触发器输入
工业和汽车温度级
描述
该IS93C46A / 56A / 66A是一种低成本的1kb /的2kb /
4KB非易失性， ISSI
串行EEPROM 。这是
使用增强的CMOS设计制造和
流程。该IS93C46A / 56A / 66A包含加电
有效的读/写存储器，以及机构组织
任128/256/512字节8比特或64/128/256
字的16位。当ORG引脚
连接到VCC或悬空， X16是
选择;当它被连接到地， X8是
选择。该IS93C46A / 56A / 66A完全
向后IS93C46 /六十六分之五十六兼容。
指令集控制的操作
设备，包括读，写，和模式启用
功能。该数据输出引脚（ DOUT）表示
该装置的自定时非期间状态
挥发性编程周期。自定时写
周期包括自动擦除前写
能力。为了防止意外的写入，
WRITE指令被接受只在
芯片是在写使能的状态。数据被写入
每一次写指令的字节X8或X16
单词选择。如果片选（ CS ）被带到
高刚写周期开始后，在
DOUT引脚就会指示的Ready / Busy状态
写活动。
功能框图
DUMMY
位
读/写
安培
指令
DECODE ，
控制，
和
时钟
GENERATION
地址
注册
地址
解码器
EEPROM
ARRAY
128/256/512x16
64/128/256/x8
数据
注册
D
IN
指令
注册
D
OUT
CS
SK
写
启用
高压
发电机
2002集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS93C46A
IS93C56A
IS93C66A
ISSI
8引脚SOIC JEDEC的“GR ”
ORG
GND
D
OUT
D
IN
销刀豆网络gurations
8引脚DIP ， 8引脚TSSOP
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
NC
ORG
GND
8引脚SOIC JEDEC的“G”
NC
VCC
CS
SK
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
（旋转）
引脚说明
CS
SK
D
IN
D
OUT
ORG
NC
VCC
GND
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
组织选择
没有连接
动力
地
指令用的逻辑一个起始位开始为“1”或
HIGH 。以下这是操作码（2位） ，
地址字段（6 ，7，8 ，或9位） ，和数据，如果
适当的。时钟信号可以在保持稳定
任何时候暂停该设备在其最后的状态。
这使得
时钟速度的灵活性以及
最大功率保护。
读（ READ ）
READ指令是输出的唯一指令
在D的串行数据
OUT
引脚。读出指令之后和
地址已被解码时，数据被从转
选中的存储寄存器为串行移位寄存器。 （请
注意，一个逻辑“0”位之前的实际8位或16位
输出数据串。 ） D上的输出
OUT
期间的变化
低到高的SK的过渡（参见图3） 。
应用
该IS93C46A / 56A / 66A是许多高非常受欢迎
批量应用需要低功耗，低
密度存储。使用这种设备的应用
包括工业控制，网络和众多的
其他消费电子产品。
低电压读
该IS93C46A / 56A / 66A的设计，以确保
数据读取操作是可靠的低压环境
求。他们提供准确的操作与VCC AS低
为2.5V 。
耐力和数据保留
该IS93C46A / 56A / 66A是专门为应用程序重新
quiring高达1M的编程周期（ WRITE ， WRALL ，
ERASE和ERAL ） 。它提供了40年的安全数据
保持无动力1M编程执行后
明周期。
自动递增读操作
中的存储器传输操作应用的兴趣，
该IS93C46A / 56A / 66A被设计为输出一
的存储器内容以响应一个连续的数据流
单个读操作的指令。利用该功能，
系统发出一个读指令指定开始位置
地址。一旦8或16位寻址的寄存器有
已同步输出，在数据连续较高地址
位置被输出。该地址将环绕continu-
ously在CS为高电平，直到片选（ CS ）的控制引脚
拉低。这允许对单个指令数据转储
以用最少的开销固件来执行。
设备操作
该IS93C46A / 56A / 66A是由一组控制
这是主频，在连续的DIN引脚说明。
每个低到高的时钟（SK）的过渡之前，该
CS引脚必须已经提升到高，
嚣值必须稳定在低或高。每
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IS93C56A
IS93C66A
ISSI
写入所有（ WRALL ）
写使能（ WEN ）
写使能（ WEN ）指令必须执行
之前的任何器件编程（写， WRALL ，
擦除和ERAL ）可以做到的。当VCC应用，
该器件在写禁用状态。该
那么设备仍然处于写禁止状态，直到文
指令被执行。此后，将装置保持
启用直到WDS指令被执行，或者直到Vcc的
被除去。 （参见图4 ） （注：芯片选择必须的
保持低电平，直到Vcc的达到它的操作价值。 ）
写所有（ WRALL ）指令程序的所有寄存器
与指令中所指定的数据模式。如同
WRITE指令， CS的下降沿必须发生
启动自定时编程周期。如果CS是那么
250 ns的最短等待（T之后变为高电平
CS
），则
D
OUT
引脚指示芯片的READY / BUSY状态（见
图6）。
写禁止（ WDS ）
写禁止（ WDS ）指令禁止所有的编程
的能力。这可以防止邮轮业咨询委员会对整个设备
数据牙科修改，直到闻指令
执行。 （当VCC应用，这部分力量在该
写禁用状态。 ）来保护数据，一个WDS指令
每个编程完成时应该执行
操作。
写（ WRITE）
WRITE指令包括8位或16位数据成为
写入指定的寄存器中。经过最后一个数据位
已经施加到D
IN
和之前的下一个上升沿
SK的，必须将CS拉低。 CS的下降沿
启动自定时编程周期。
如果CS变为高电平， 250 ns的最短等待后，
（ 5V工作）， CS下降沿（T后
CS
) D
OUT
将
表明在芯片的就绪/忙状态。合乎逻辑的
“0”表示编程仍在进行中，逻辑“1”的
装置所选择的寄存器已被写入，而
部准备其它的指令（参见图5） 。
（注： CS高，D的组合
IN
高，
SK时钟的上升沿，复位就绪/
BUSY标志。因此，要访问就绪/忙
标志控制信号的这种组合应当是
避免使用。 ）在写指令可以被执行，
该设备必须可写（见文） 。
清除寄存器（ ERASE ）
擦除指令输入后， CS必须带
低。 CS的下降沿启动自定时内部
编程周期。最低后使CS高
t
CS
，会造成
OUT
来指示该读/ BUSY状态
芯片：一个逻辑“0”表示编程仍在进行中;
一个逻辑“1”表示在擦除周期完成，并且
部准备其它的指令（参见图8） 。
清除所有（ ERAL ）
整片擦除提供了易于编程。删除
整个芯片包括设置在整个内存中的所有位
阵列到一个逻辑“1” （见图9） 。
指令集 - IS93C46A
8位组织
（ ORG = GND）
地址
(1)
输入数据
(A
6
-A
0
)
11xxxxx
(A
6
-A
0
)
01xxxxx
00xxxxx
(A
6
-A
0
)
10xxxxx
—
—
(D
7
-D
0
)
(D
7
-D
0
)
—
—
—
(3)
(3)
指令
读
文
（写使能）
写
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
01
00
00
11
00
16位组织
（ ORG = VCC）
地址
(1)
输入数据
(A
5
-A
0
)
11xxxx
(A
5
-A
0
)
01xxxx
00xxxx
(A
5
-A
0
)
10xxxx
—
—
(D
15
-D
0
)
(D
15
-D
0
)
—
—
—
(2)
(2)
WRALL
（写所有寄存器）
WDS
（写禁止）
抹去
ERAL （
清除所有寄存器）
注意事项：
1， X =无关位。
2.如果输入数据不是16位准确地，最后的16位将作为输入数据。
3.如果输入数据不是8位究竟，最后8位将作为输入数据。
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IS93C46A
IS93C56A
IS93C66A
ISSI
指令集 - IS93C56A
8位组织
（ ORG = GND）
地址
(1)
输入数据
X （A
7
-A
0
)
11xxxxxxx
X （A
7
-A
0
)
01xxxxxxx
00xxxxxxx
X （A
7
-A
0
)
10xxxxxxx
—
—
(D
7
-D
0
)
(D
7
-D
0
)
—
—
—
(3)
(3)
指令
读
文
（写使能）
写
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
01
00
00
11
00
16位组织
（ ORG = VCC）
地址
(1)
输入数据
X （A
6
-A
0
)
11xxxxxx
X （A
6
-A
0
)
01xxxxxx
00xxxxxx
X （A
6
-A
0
)
10xxxxxx
—
—
(D
15
-D
0
)
(D
15
-D
0
)
—
—
—
(2)
(2)
WRALL
（写所有寄存器）
WDS
（写禁止）
抹去
ERAL （
清除所有寄存器）
注意事项：
1， X =无关位。
2.如果输入数据不是16位准确地，最后的16位将作为输入数据。
3.如果输入数据不是8位究竟，最后8位将作为输入数据。
指令集 - IS93C66A
8位组织
（ ORG = GND）
地址
(1)
输入数据
(A
8
-A
0
)
11xxxxxxx
(A
8
-A
0
)
01xxxxxxx
00xxxxxxx
(A
8
-A
0
)
10xxxxxxx
—
—
(D
7
-D
0
)
(D
7
-D
0
)
—
—
—
(3)
(3)
指令
读
文
（写使能）
写
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
01
00
00
11
00
16位组织
（ ORG = VCC）
地址
(1)
输入数据
(A
7
-A
0
)
11xxxxxx
(A
7
-A
0
)
01xxxxxx
00xxxxxx
(A
7
-A
0
)
10xxxxxx
—
—
(D
15
-D
0
)
(D
15
-D
0
)
—
—
—
(2)
(2)
WRALL
（写所有寄存器）
WDS
（写禁止）
抹去
ERAL （
清除所有寄存器）
注意事项：
1， X =无关位。
2.如果输入数据不是16位准确地，最后的16位将作为输入数据。
3.如果输入数据不是8位究竟，最后8位将作为输入数据。
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ISSI
价值
-0.3到+6.5
-40至+85
-40到+125
-65到+150
单位
V
°C
°C
°C
绝对最大额定值
(1)
符号
V
GND
T
BIAS
T
BIAS
T
英镑
参数
电压相对于GND
高温下偏置（工业）
高温下偏置（汽车）
储存温度
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
工作范围
范围
产业
汽车
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.5V至5.5V
2.7V至5.5V或4.5V至5.5V
电容
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
5
单位
pF
pF
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IS93C56A
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ISSI
2006年5月
2K比特/ 4K位串行电
可擦除PROM
特点
行业标准的Microwire接口
- 非易失性数据存储
- 宽电压工作：
VCC = 1.8V至5.5V
- 自动增量为有效的数据转储
用户配置的内存组织
- 通过16位或8位
硬件和软件写保护
- 默认是禁止写入的电状态
- 软件设置为写使能/禁用
增强的低电压CMOS ê
2
舞会
技术
多功能，易于使用的界面
- 自定时编程周期
- 自动擦除前写
- 编程状态指示灯
- Word和芯片擦除
- 片选使积蓄力量
可靠耐用
- 40年的数据保存后， 1M的写周期
- 1百万次写周期
- 无限的读周期
- 施密特触发器输入
工业和汽车温度级
无铅可
描述
该IS93C56A / 66A是2KB / 4KB非易失性，
ISSI
串行EEPROM 。他们使用的是制造
增强的CMOS设计和工艺。该
IS93C56A / 66A包含低功耗读/写
内存无论是256/512字节和组织
的8位或16位的128/256的话。当
ORG引脚连接到VCC或悬空，
X16选择;当它被连接到地，
x8的选择。该IS93C56A / 66A完全
向后IS93C56 / 66兼容。
指令集定义的操作
设备，包括读，写，和模式启用
功能。为了防止意外的数据
修改，所有的擦除和写入指令
只有接受，而这些设备是可写的。
选定X8字节或x16字可以被修改
有一次写或擦除指令。
此外，这两个指令写入所有或
删除所有可以编程整个数组。一旦
设备开始其自定时程序的过程，
数据输出引脚（ DOUT）可以指示READY /
忙
通过提高芯片选择（ CS ）的状态。自我
定时写周期包括一个自动使用擦除
之前写的能力。该可输出设备
使用任何数量的连续字节/字
单READ指令。
功能框图
DUMMY
位
读/写
安培
指令
DECODE ，
控制，
和
时钟
GENERATION
地址
注册
地址
解码器
EEPROM
ARRAY
256/512x8
128/256x16
数据
注册
D
IN
指令
注册
D
OUT
CS
SK
写
启用
高压
发电机
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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ISSI
8引脚SOIC JEDEC的“GR ”
销刀豆网络gurations
8引脚DIP ， 8引脚TSSOP
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
引脚说明
CS
SK
D
IN
D
OUT
ORG
NC
VCC
GND
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
组织选择
没有连接
动力
地
指令用的逻辑一个起始位开始为“1”或
HIGH 。以下这是操作码（2位） ，
地址字段（8位或9位） ，和数据，如果适当的话。该
时钟信号可以在任何时候保持稳定
暂停装置在其最后的状态，让时钟 -
速度的灵活性。当总线完成
通信， CS会被拉低。该装置
然后会进入待机模式，如果没有内部
程序正在进行中。
读（ READ ）
READ指令是输出的唯一指令
在D的串行数据
OUT
引脚。读出指令之后和
地址已被解码时，数据被从转
选中的存储寄存器为串行移位寄存器。 （请
注意，一个逻辑“0”位之前的实际8位或16位
输出数据串。 ） D上的输出
OUT
期间的变化
低到高的SK的过渡（参见图3） 。
应用
该IS93C56A / 66A在许多很受欢迎
应用需要低功耗，低密
存储。使用这些设备包括应用程序
工业控制，网络和许多其他
消费类电子产品。
低电压读
该IS93C56A / 66A的设计，以确保数据的读取
操作是可靠的低压环境。他们
提供准确的Vcc操作低至1.8V 。
耐力和数据保留
该IS93C56A / 66A被设计用于需要应用
高达100万次的编程（写， WRALL ， ERASE
艾莱依） 。它们提供40年安全数据保留
没有1M编程周期执行后的力量。
自动递增读操作
中的存储器传输操作应用的兴趣，
该IS93C56A / 66A被设计为输出一连续
的存储器内容以响应一个读操作流
操作指令。利用这一功能时，系统
断言的读出指令指定起始位置AD-
装扮。一旦8位或16位寻址的寄存器有
已同步输出，在数据连续较高地址
位置被输出。该地址将环绕continu-
ously在CS为高电平，直到片选（ CS ）的控制引脚
拉低。这允许对单个指令数据转储
以用最少的开销固件来执行。
设备操作
该IS93C56A / 66A是由一组控制
这是主频，在连续的DIN引脚说明。
每个低到高的时钟（SK）的过渡之前，该
CS引脚必须已经提升到高，
嚣值必须稳定在低或高。每
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IS93C56A
IS93C66A
ISSI
写入所有（ WRALL ）
写使能（ WEN ）
写使能（ WEN ）指令必须执行
之前的任何器件编程（写， WRALL ，
擦除和ERAL ）可以做到的。当VCC应用，
该器件在写禁用状态。该
那么设备仍然处于写禁止状态，直到文
指令被执行。此后，将装置保持
启用直到WDS指令被执行，或者直到Vcc的
被除去。 （参见图4 ） （注：芯片选择必须的
保持低电平，直到Vcc的达到它的操作价值。 ）
写所有（ WRALL ）指令程序的所有寄存器
与指令中所指定的数据模式。作为与
WRITE指令， CS的下降沿必须发生
启动自定时编程周期。如果CS是那么
200 ns的最短等待（T之后变为高电平
CS
） ，则D
OUT
引脚指示芯片的READY / BUSY状态（见
图6）。 Vcc的需要为高于4.5V为WRALL到
正常工作。
写禁止（ WDS ）
写禁止（ WDS ）指令禁止所有的编程
的能力。这可以防止邮轮业咨询委员会对整个设备
数据牙科修改，直到闻指令
执行。 （当VCC应用，这部分力量在该
写禁用状态。 ）来保护数据，一个WDS指令
每个编程完成时应该执行
操作。
写（ WRITE）
WRITE指令包括8位或16位数据成为
写入指定的寄存器中。经过最后一个数据位
已经施加到D
IN
和之前的下一个上升沿
SK的，必须将CS拉低。如果该设备处于写
启用后， CS的话下降沿启动自
定时编程周期（见文） 。
如果CS变为高电平，为200 ns最小的等待之后（ 5V
操作）的CS的下降沿（吨后
CS
) D
OUT
将
表明在芯片的就绪/忙状态。逻辑“0”的
是指编程仍在进行中;逻辑“1 ”的意思
所选择的寄存器已被写入，且部分是
准备其它的指令（参见图5） 。就绪/
忙
一） CS输入变：如果状态将不可用
自定时编程周期结束后高，
t
WP
;或b ）同时CS为高电平时， Din为高电平，并
SK变为高电平，从而清除状态标志。
清除寄存器（ ERASE ）
擦除指令输入后， CS必须带
低。 CS的下降沿启动自定时内部
编程周期。最低后使CS高
t
CS
，会造成
OUT
来指示该读/ BUSY状态
芯片：一个逻辑“0”表示编程仍在进行中;
一个逻辑“1”表示在擦除周期完成，并且
部准备其它的指令（参见图8） 。
清除所有（ ERAL ）
整片擦除提供了易于编程。删除
整个芯片包括设置在整个内存中的所有位
阵列到一个逻辑“1” （见图9） 。 Vcc的需要是
高于4.5V的ERALL才能正常工作。
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IS93C56A
IS93C66A
ISSI
8位组织
（ ORG = GND）
地址
(1)
输入数据
X （A
7
-A
0
)
11xxxxxxx
X （A
7
-A
0
)
01xxxxxxx
00xxxxxxx
X （A
7
-A
0
)
10xxxxxxx
—
—
(D
7
-D
0
)
(D
7
-D
0
)
—
—
—
指令集 - IS93C56A （ 2KB ）
16位组织
（ ORG = VCC）
地址
(1)
输入数据
X （A
6
-A
0
)
11xxxxxx
X （A
6
-A
0
)
01xxxxxx
00xxxxxx
X （A
6
-A
0
)
10xxxxxx
—
—
(D
15
-D
0
)
(D
15
-D
0
)
—
—
—
指令
(2)
读
文
（写使能）
写
开始位OP码
1
1
1
1
1
1
1
10
00
01
00
00
11
00
WRALL
（写所有寄存器）
WDS
（写禁止）
抹去
ERAL （
清除所有寄存器）
注意事项：
1， X =无关位。
2.如果比特数计时，在不匹配对应于所选择的命令的数量，所有额外的尾随位被忽略，
写字， WRALL ， ERASE ，艾莱依也将被忽略，但读，文， WDS被接受。
指令集 - IS93C66A （ 4KB ）
8位组织
（ ORG = GND）
地址
(1)
输入数据
(A
8
-A
0
)
11xxxxxxx
(A
8
-A
0
)
01xxxxxxx
00xxxxxxx
(A
8
-A
0
)
10xxxxxxx
—
—
(D
7
-D
0
)
(D
7
-D
0
)
—
—
—
16位组织
（ ORG = VCC）
地址
(1)
输入数据
(A
7
-A
0
)
11xxxxxx
(A
7
-A
0
)
01xxxxxx
00xxxxxx
(A
7
-A
0
)
10xxxxxx
—
—
(D
15
-D
0
)
(D
15
-D
0
)
—
—
—
指令
(2)
读
文
（写使能）
写
开始位OP码
1
1
1
1
1
1
1
10
00
01
00
00
11
00
WRALL
（写所有寄存器）
WDS
（写禁止）
抹去
ERAL （
清除所有寄存器）
注意事项：
1， X =无关位。
2.如果比特数计时，在不匹配对应于所选择的命令的数量，所有额外的尾随位被忽略，
写字， WRALL ， ERASE ，艾莱依也将被忽略，但读，文， WDS被接受。
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
05/02/06
IS93C56A
IS93C66A
ISSI
价值
-0.5到+6.5
-0.5 VCC + 0.5
-55到+125
-65到+150
5
单位
V
V
°C
°C
mA
绝对最大额定值
(1)
符号
V
S
V
P
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
参数
电源电压
任何引脚电压
在偏置温度
储存温度
输出电流
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
工作范围
（ IS93C56A -2， IS93C66A -2）的
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.8V至5.5V
注意：
ISSI提供工业级的商业应用（ 0
o
C至+70
o
C)
工作范围
（ IS93C56A -3， IS93C66A -3）的
范围
汽车
环境温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.5V至5.5V
电容
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
5
单位
pF
pF
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
05/02/06
5
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