IS-2100ARH
数据表
2003年4月
FN9037.1
抗辐射高频
半桥驱动器
在抗辐射的IS- 2100ARH是高频，
130V半桥N沟道MOSFET驱动IC ，这是
功能上类似于行业标准2110种。在低
边和高边栅极驱动器可以独立控制。
这给在死区时间的用户最大的灵活性
选择和驱动程序的协议。
此外，该器件具有片上错误检测和
校正电路，其监视所述高侧的状态
锁存器，并比较所述HIN信号。如果他们不同意，一
置位或复位脉冲产生纠正的高侧闩锁。
这一功能可以保护高侧锁，从单一事件
干扰（SEU ） 。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气规格为IS- 2100ARH是
载于SMD 5962-99536 。 A“盗链”提供
在我们的网站上下载。
特点
电筛选， DSCC SMD ＃ 5962-99536
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 最大总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad （ SI ）
- DI RSG过程提供闭锁抗扰度
- SEU评级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82MeV /毫克/平方厘米
2
- 垂直器件结构，降低敏感度低
剂量率
自举电源电压最大值为150V
驱动1000pF的负载，在1MHz的上升和下降的时间
为30ns （典型值）
1.5A （典型值）峰值输出电流
对于非半桥拓扑独立输入
低DC功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为60mW （典型值）
与V进行操作
DD
= V
CC
在12V至20V范围
低端电源欠压保护
订购信息
订购数量
5962F9953602VXC
5962F9953602QXC
IS9-2100ARH/Proto
INTERSIL MKT 。
数
IS9-2100ARH-Q
IS9-2100ARH-8
IS9-2100ARH/Proto
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
应用
高频开关模式电源
对于感性负载驱动器
DC电机驱动器
引脚
IS-2100ARH
FLATPACK （ CDFP4 - F16 ）
顶视图
LO
COM
V
CC
NC
NC
VS
VB
HO
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
V
SS
LIN
SD
HIN
V
DD
NC
NC
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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IS-2100ARH
模具特点
DIE尺寸：
4820μm X 3300μm （ 190密耳X 130密耳）
厚度： 483μm
±25.4m
（ 19密耳
±1
MIL ）
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8.0k
±1.0k
顶级金属化：
类型： AlSiCu
厚度： 16.0k
±2k
基材：
抗辐射硅栅，
介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
无偏（ DI ）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
542
金属掩模布局
IS-2100ARH
SD （13）
HIN （ 12 ）
LIN （ 14 ）
V
SS
(15)
V
DD
(11)
LO （ 1 ）
HO （ 8 ）
COM （2）
VB（ 7）
V
CC
(3)
VS （ 6 ）
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