IS75V16F128GS32
3.0伏多芯片封装（MCP ）
- 128兆位同时闪电行动
内存和32 Mbit的伪静态RAM
MCP特点
电源电压2.7V到3.3V
高性能：
快讯： 70ns的最大访问时间
PSRAM ： 65ns最大访问时间
ISSI
初步信息
2003年3月
擦除算法：
自动preprograms /擦除闪存
全部或按部门
程序算法：
自动写入并在指定的验证数据
地址
包装： 107球BGA
工作温度： -30℃ + 85℃
隐藏ROM区域：
闪光灯功能
功耗：
读电流为1兆赫：4 mA（最大值）
读电流在5 MHz ：18 mA（最大值）
睡眠模式： 5
A
最大
用户可配置银行
闪1 （ 64兆位）
银行A1 ： 8Mbit的（ 8KB ×8和64KB ×15 ）
银行B1 ： 24Mbit （ 64KB ×48 ）
银行C1 ： 24Mbit （ 64KB ×48 ）
银行D1 ： 8Mbit的（ 8KB ×8和64KB ×15 ）
闪光灯2 （ 64兆）
银行A2 ： 8Mbit的（ 8KB ×8和64KB ×15 ）
银行B2 ： 24Mbit （ 64KB ×48 ）
银行C2 ： 24Mbit （ 64KB ×48 ）
银行D2 ： 8Mbit的（ 8KB ×8和64KB ×15 ）
用户选择两个虚拟银行从
四个物理银行的组合
同时读/写操作（双虚拟银行） ：
读取和写入操作之间的零延迟;数据
可以进行编程或擦除数据时一家银行
同时正在与其他银行的阅读
256字节，出厂序列化安全电子
序列号（ESN ），它是可访问的，通过一个
命令序列
数据轮询和切换位：
检测完成编程或擦除周期
现成的忙输出（ RY / BY ）
检测编程或擦除周期完成的
每个闪存芯片
超过10万的写入/擦除周期
低电源电压（ VCCF
≤
2.5V ）禁止写入
WP / ACC
输入引脚：
如果V
IL
允许引导扇区的部分保护
如果V
IH
允许拆除引导扇区保护
如果则Vacc ，节目时间提高
PSRAM的功能（ 32 MB密度）
功耗：
操作：25 mA（最大值）
待机： 110 μA最大
芯片选择：
CE1r,
CE2r
使用CE2r断电功能
睡眠模式： 10 μA最大
午睡： 65 μA最大
最大80 μA ： 8兆位部分
低功耗模式：
一个处于非活动状态会导致Flash进入
低功耗状态
擦除挂起/恢复：
擦除活性，挂起，以允许在一个读
同一家银行
数据保持电源电压： 2.1 V至3.3 V
字节的数据控制：
LB
(DQ0–DQ7),
UB
(DQ8–DQ15)
扇区擦除架构：
每个4K字的16个扇区和32K字126行业
每个字模式。扇区的任何组合，或
整个闪存可以同时删除
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。 FlexBankTM是商标
富士通公司，日本。嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
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1
IS75V16F128GS32
概述
ISSI
这107球的MCP是3回忆一个节省空间的组合： 2 64Mbit的闪存和一个32兆的伪SRAM中。
每个64Mbit的闪存（ Flash1的和Flash 2 ）包含4,194,304字和32兆PSRAM包含2,097,152
话。每个字都是16位宽。数据线DQ0 - DQ15处理访问所有三个回忆。写使能，
输出使能，而A0 -A20是三者间的共同回忆。在PSRAM单个字节的数据可以是
通过访问一次的DQ0 - DQ7或DQ8 - DQ15
LB
or
UB ，
分别。
该包使用的所有操作的3.0V电源。没有其他的源所需的编程和擦除操作。
闪光灯可以在系统中采用这种3.0V电源进行编程，或者可以在一个标准EPROM编程
程序员。
闪存芯片与JEDEC闪存命令集标准兼容。闪存存取时间为70ns是的
PSRAM的访问时间是65ns 。
每个闪存实现了两个虚拟银行组成的架构，允许在同时操作
每家银行。优化的性能可以通过首先初始化编程或擦除函数在一个银行，则可以实现
立即开始从其他银行的读取。这两种操作时是在同一个同时运行
芯片，具有零延迟。
MCP框图
V
CCf1
GND
A0-A21
RESET
1
持续进修基金
1
RY/BY1
64-MBIT
FL灰内存
（闪光灯1 ）
V
CCf2
GND
A0-A21
A0-A21
WP / ACC
RESET
2
持续进修基金
2
RY/BY2
32-MBIT
FL灰内存
（闪光灯2 ）
DQ0-DQ15
V
CCR
A0-A20
GND
LB
UB
WE
OE
CE1r
CE2r
PE
32-MBIT
PSRAM
2
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引脚配置（ 128兆闪存和32 MB PSRAM ）
封装代码： B 107球FBGA （顶视图） （9.00毫米× 10.00毫米身体， 0.8毫米球间距）
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RY /
BY2
CEf2
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
LB
WP / ACC
WE
A8
A11
NC
A12 A15
A13 A21
A14
PE
NC
A16
A3
A2
A1
A0
CEf1
UB
RESET1
CE2r
A19
A18
RY /
BY1
A20
A17
DU
DU
DU
DU
A9
A10
DQ6
GND
DQ1
OE
DQ9
DQ3
DQ4
DQ13 DQ15
Vccf1
CE1r
DQ0
DQ10
Vccf1
VCCR
DQ12 DQ7 GND
SHARED
NC
DQ8
DQ2
DQ11
NC
DQ5 DQ14
NC
NC
NC
NC
NC
NC
仅限于Flash
NC
RESET2
GND
Vccf2
NC
NC
NC
只有PSRAM
NC
引脚说明
A0-A20
A21
DQ0-DQ15
RESET1
RESET2
CE1r,
CE2r
CEf1
CEf2
OE
WE
PE
地址输入，普通
地址输入，这两种闪存
数据输入/输出，普通
复位时， Flash1的
复位时， FLASH2
芯片使能， PSRAM
芯片使能， Flash1的
芯片使能， FLASH2
输出使能，普通
写使能，普通
部分启用， PSRAM
LB
UB
WP / ACC
RY/BY1
RY/BY2
NC
DU
Vccf1
Vccf2
VCCR
GND
低字节控制， PSRAM
上个字节的控制， PSRAM
写保护/加速引脚，两个闪光
就绪/忙输出， Flash1的
就绪/忙输出， FLASH2
无连接
不要使用
动力方面， Flash1的
动力方面， FLASH2
动力方面， PSRAM
地面，普通的
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3
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设备总线操作
ISSI
H
H
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
X
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
H
H
H
L
L
H
H
L
H
H
H
X
X
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
(9)
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
(9)
L
L
H
X
H
H
H
H
X
X
(10)
X
X
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
X
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
V
ID
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
手术
(1,2)
CE
f1
CE
f2
CE1
CE2r
OE WE LB
s
UB
s
PE
A
21
-A
0
DQ
7
-DQ
0
DQ
15
-DQ
8
RESET1 RESET2 WP
WP / ACC
(12)
全备
输出禁用
(3)
H
H
L
H
读取FLASH 1
(4)
L
读取FLASH 2
(4)
H
写入到FLASH 1
L
写入FLASH 2
写入PSRAM
H
H
H
H
从PSRAM阅读
(5)
H
H适用
H适用
H适用
H适用
H适用
H适用
H适用
H适用
X
X
FLASH 1Temporary
业集团
X
(6)
解除保护
FLASH 2临时
业集团
X
解除保护
(6)
1闪光
硬件复位
闪光2
硬件复位
引导扇区座
写保护
PSRAM电源
(7)
唐氏计划
PSRAM没有读
PSRAM
掉电
(8)
X
X
X
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
X
X
X
X
H
H
X
H
H
X
H
L
X
H
H
X
H
H
L
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
L
X
X
X
有效
高-Z
高-Z
X
高-Z
高-Z
X
L
X
X
H
H
X
X
L
X
H
H
X
X
X
L
X
X
X
高-Z高阻
高-Z
X
高-Z
X
H适用
X
X
注： L = VIL ， H = VIH ， X = VIL或VIH 。请参见“ DC特性”电压等级。
注意事项：
禁止除表示此列1.其他操作。
2.不适用
持续进修基金
= VIL ，
CE1r
= VIL和CE2r = VIH的一次。
3. PSRAM输出禁用状态不应该保持1ms以上。
4.
WE
可如果VIL
OE
是VIL ，
OE
在VIH启动写操作。
5. PSRAM
LB ， UB
目前不支持读取操作控制。
6.它也可用于工作在扩展扇区团保护。
7. PSRAM关机程序，可以进行一次合规性的上电时序后，它不应该再
以后定期读取或写入编程。
8. PSRAM省电模式可从待机状态下输入，所有的DQ引脚处于高阻状态。 IPDR电流和数据保留
取决于掉电程序的选择。
9.任一或两种
LB
和
UB
必须是低的PSRAM读操作。
10.可无论是VIL或VIH ，但必须是有效的前读取或写入。
11.见“ PSRAM关机程序键表”位于下一页。
12.保护“最外” 2x8K字节（4个字）上的引导块扇区的两端。
4
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绝对最大额定值
(1,5)
等级
符号
TSTG
T
A
V
IN
,V
OUT
V
CC
f1,V
CC
f2
V
CC
r
V
IN
V
加
注意事项：
参数
储存温度
环境温度与功耗的应用
电压相对于地的所有引脚
(2)
V
CC
F供应
(2)
V
CC
供应
(2)
RESET1 ， RESET2
(3)
WP / ACC
(4)
分钟。
–55
–30
–0.3
–0.3
–0.3
-0.5
–0.5
马克斯。
+125
+85
V
CC
+ 0.3
(6)
3.5
3.5
+13.0
+10.5
ISSI
单位
°C
°C
V
V
V
V
V
1.电压是接地的基础上定义= 0V。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.3 V.在电压转换，输入或I / O引脚可以下冲
GND为-1.0 V高达20纳秒的时间。输入或I / O引脚最大直流电压为V
CC
F1 + 0.3V ，V
CC
F2 + 0.3V
或VCCR + 0.3 V时的电压转换，输入或I / O引脚可能会过冲至V
CC
F1 + 2.0V ，V
CC
F2 + 2.0 V或VCCR + 1.0 V
对于高达20纳秒的时间。
3.最小直流输入电压
RESET1
or
RESET2
销是-0.5 V时的电压转换，
RESET1
or
RESET2
引脚可能
下冲至GND -2.0 V高达20纳秒的时间。
输入和电源电压（VIN -V之间的电压差
CC
F1或V
CC
F2 ）不超过9.0 V.
在最大直流输入电压
RESET
销是13.0 V ，可能过冲至14.0 V长达20纳秒的时间。
4.最低直流输入电压
WP / ACC
销是-0.5 V时的电压转换，
WP / ACC
引脚可下冲
GND为-2.0 V高达20纳秒的时间。在最大直流输入电压
WP / ACC
引脚为10.5 V这可能
冲至12.0 V长达20纳秒的周期，当V
CC
F1或V
CC
f2的应用。
5.压力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
6.本的Vcc是指最小V的
CC
F1 ，V
CC
f2的，或VCCR 。
推荐工作条件
等级
符号
T
A
V
CC
f1,V
CC
f2
V
CC
r
注意：
电压GND的基础上定义= 0V。
参数
环境温度
V
CC
F电源电压
V
CC
电源电压
分钟。
–30
2.7
2.7
马克斯。
+85
3.3
3.3
单位
°C
V
V
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初步信息牧师00D
03/24/03
5
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