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IS660 ， IS661 ， IS662
高压达林顿
输出光耦合
隔离器
认证
l
UL认证，文件号E91231
描述
该IS66_系列光耦合隔离器
由红外线发光二极管和一对
高电压NPN硅光电达林顿哪些
有一个整体的基极 - 发射极电阻器，以优化
开关速度和升高的温度下
特性在标准6PIN双列直插式
塑料封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
高电流传输比（ 1000 ％以上）
l
高BV
首席执行官
（ 400V分钟 - IS662 ）
（ 300V分钟 - IS661 ）
（ 200V分钟 - IS660 ）
l
低集电极暗电流： -
1
A（最大值） 。在200V V
CE
- IS661 ， IS662
1
A（最大值） 。在100V V
CE
- IS660
l
低输入电流1mA我
F
应用
l
调制解调器
l
复印机，传真机
l
数控机床
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
1
2
3
尺寸（mm）
6
5
4
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
200, 300, 400V
集电极 - 基极电压BV
CBO
200, 300, 400V
发射器 - baseVoltage BV
ECO
6V
集电极电流I
C
150mA
功耗
300mW
功耗
总功耗
350mW
50mA
6V
70mW
OPTION SM
表面贴装
选项G
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/12/00
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道，套房240 ，
艾伦， TX 75002 USA
联系电话： （ 214 ） 495-0755传真： （ 214 ） 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB92260m-AAS/A1
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电压（V
R
)
反向电流（I
R
)
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
IS660
IS661
IS662
集电极 - 基极击穿（ BV
CBO
)
IS660
IS661
IS662
发射极 - 基极击穿（ BV
EBO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
IS661 ， IS662
IS660
最小典型最大单位
1.2
6
10
1.4
V
V
A
V
V
V
V
V
V
V
1
1
A
A
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.1毫安
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C
= 0.1毫安
I
C
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I
E
= 0.1毫安
V
CE
= 200V
V
CE
= 100V
1毫安我
F
, 2V V
CE
20毫安我
F
， 100毫安我
C
见注1
见注1
V
IO
= 500V （注1 ）
V = 0 ， F = 1MHz的
V
CE
= 2V ，我
C
= 20mA时，
R
L
= 100
,
R
BE
=
开放
V
CE
= 2V ，我
C
= 20mA时，
R
L
= 100
,
R
BE
=
开放
产量
200
300
400
200
300
400
6
再加
电流传输比（ CTR ）
1000 4000
集电极 - 发射极饱和VoltageV
CE （ SAT ）
1.2
输入到输出隔离电压V
ISO
5300
7500
输入输出隔离阻抗R
ISO
5x10
10
输入输出电容
Cf
1
截止频率
fc
1
输出上升时间
输出下降时间
tr
tf
300
100
%
V
V
RMS
V
PK
pF
千赫
s
s
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
图1
V
CC
输入
100
I
C
= 20mA下
产量
t
on
t
r
输入
产量
10%
90%
10%
90%
t
关闭
t
f
7/12/00
DB92260m-AAS/A1
集电极耗散功率与环境温度
400
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
140
集电极电流I
C
（MA ）
300
120
集电极电流与集电极 - 发射极
电压
10mA
4mA
2mA
100
80
60
40
20
I
F
- 0.5毫安
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1mA
200
100
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
60
相对电流传输比
50
正向电流I
F
（MA ）
40
30
20
10
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
相对电流传输比
- 环境温度
1.5
I
F
= 1毫安
V
CE
= 2V
1.0
0.5
0
-30
0
25
50
75
环境温度T
A
( °C )
集电极暗电流与
环境温度
10
-5
集电极暗电流I
首席执行官
(A)
V
CE
= 200V
100
CE （ SAT ）
(V)
集电极 - 发射极饱和电压V
1.2
1.0
0.8
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0.4
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0
-30
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
10
-11
I
F
= 20mA下
I
C
= 100毫安
0
25
50
75
100
-30
0
25
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100
环境温度T
A
( °C )
7/12/00
环境温度T
A
( °C )
DB92260m-AAS/A1
IS660 ， IS661 ， IS662
高压达林顿
输出光耦合
隔离器
认证
l
UL认证，文件号E91231
描述
该IS66_系列光耦合隔离器
由红外线发光二极管和一对
高电压NPN硅光电达林顿哪些
有一个整体的基极 - 发射极电阻器，以优化
开关速度和升高的温度下
特性在标准6PIN双列直插式
塑料封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
高电流传输比（ 1000 ％以上）
l
高BV
首席执行官
（ 400V分钟 - IS662 ）
（ 300V分钟 - IS661 ）
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l
低集电极暗电流： -
1
A（最大值） 。在200V V
CE
- IS661 ， IS662
1
A（最大值） 。在100V V
CE
- IS660
l
低输入电流1mA我
F
应用
l
调制解调器
l
复印机，传真机
l
数控机床
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
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1
2
3
尺寸（mm）
6
5
4
7.62
4.0
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0.5
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最大
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0.5
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绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
200, 300, 400V
集电极 - 基极电压BV
CBO
200, 300, 400V
发射器 - baseVoltage BV
ECO
6V
集电极电流I
C
150mA
功耗
300mW
功耗
总功耗
350mW
50mA
6V
70mW
OPTION SM
表面贴装
选项G
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
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电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电压（V
R
)
反向电流（I
R
)
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
IS660
IS661
IS662
集电极 - 基极击穿（ BV
CBO
)
IS660
IS661
IS662
发射极 - 基极击穿（ BV
EBO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
IS661 ， IS662
IS660
最小典型最大单位
1.2
6
10
1.4
V
V
A
V
V
V
V
V
V
V
1
1
A
A
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安
I
C
= 1毫安
I
C
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I
C
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I
C
= 0.1毫安
I
C
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I
E
= 0.1毫安
V
CE
= 200V
V
CE
= 100V
1毫安我
F
, 2V V
CE
20毫安我
F
， 100毫安我
C
见注1
见注1
V
IO
= 500V （注1 ）
V = 0 ， F = 1MHz的
V
CE
= 2V ，我
C
= 20mA时，
R
L
= 100
,
R
BE
=
开放
V
CE
= 2V ，我
C
= 20mA时，
R
L
= 100
,
R
BE
=
开放
产量
200
300
400
200
300
400
6
再加
电流传输比（ CTR ）
1000 4000
集电极 - 发射极饱和VoltageV
CE （ SAT ）
1.2
输入到输出隔离电压V
ISO
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5x10
10
输入输出电容
Cf
1
截止频率
fc
1
输出上升时间
输出下降时间
tr
tf
300
100
%
V
V
RMS
V
PK
pF
千赫
s
s
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
图1
V
CC
输入
100
I
C
= 20mA下
产量
t
on
t
r
输入
产量
10%
90%
10%
90%
t
关闭
t
f
7/12/00
DB92260m-AAS/A1
集电极耗散功率与环境温度
400
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
140
集电极电流I
C
（MA ）
300
120
集电极电流与集电极 - 发射极
电压
10mA
4mA
2mA
100
80
60
40
20
I
F
- 0.5毫安
0
0.4
0.8
1.2
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1mA
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50
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100
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环境温度T
A
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正向电流与环境温度
60
相对电流传输比
50
正向电流I
F
（MA ）
40
30
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75
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电压与环境温度
0
集电极 - 发射极电压V
CE
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1.5
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环境温度T
A
( °C )
集电极暗电流与
环境温度
10
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集电极暗电流I
首席执行官
(A)
V
CE
= 200V
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CE （ SAT ）
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集电极 - 发射极饱和电压V
1.2
1.0
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F
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100
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25
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75
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环境温度T
A
( °C )
7/12/00
环境温度T
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IDT74SSTU32864ABFG
ISP620-4X
IPI80N06S2-08
IDT74ALVC162835
IDTQS3VH861Q
IDT54244ATEB
IDT7134SA35CI
ISL28217FUZ
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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