IS62C51216AL
IS65C51216AL
512K ×16低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：为45nS ， 55ns
CMOS低功耗运行
- 36毫瓦（典型值）的操作
– 12 W (typical) CMOS standby
TTL兼容接口电平
单电源
– 4.5V--5.5V V
dd
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
汽车温度（ -40
o
C至+ 125
o
C)
无铅可
2009年4月
speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高的性能
和低功耗的器件。
当
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消），或者当
CS1
为低时， CS2为高和两个
LB
和
UB高，器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。一个数据字节
允许最高字节
（UB）和低位字节（LB）
访问。
The IS62C51216AL and IS65C51216AL are packaged in
the JEDEC standard 48-pin mini BGA (9mm x 11mm) and
44-Pin TSOP (TYPE II).
描述
该
ISSI
IS62C51216AL和IS65C51216AL是高
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何
因本文所描述的任何信息，产品或服务的应用或使用的法律责任。建议客户获取该设备规范的最新版本依赖于前
任何公开信息及订货产品之前。
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03/18/09
1
IS62C51216AL ， IS65C51216AL
销刀豆网络gurations
48引脚小型BGA （ 9mmx11mm ）
1
2
3
4
5
6
引脚说明
A0-A18
I/O0-I/O15
CS1,
CS2
OE
WE
LB
UB
NC
V
dd
GND¤
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
A18
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CS1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
CS2
I / O
0
I / O
2
V
DD`
GND
I / O
6
I / O
7
NC
44针TSOP （ II型）
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
A18
A8
A9
A10
A11
A17
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IS62C51216AL ， IS65C51216AL
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
d
OUT
高-Z
d
OUT
d
In
高-Z
d
In
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
d
OUT
d
OUT
高-Z
d
In
d
In
V
dd
当前
I
sb
1
, I
sb
2
I
sb
1
, I
sb
2
I
sb
1
, I
sb
2
I
cc
I
cc
I
cc
I
cc
工作范围（V
dd
)
范围
环境温度
VDD
速度
广告
产业
汽车
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
–40°C to +125°C
4.5V - 5.5V
4.5V - 5.5V
4.5V - 5.5V
45ns
55ns
55ns
电容
(1,2)
符号
c
In
c
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
In
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2.测试条件：T已
a
= 25°c,
f = 1 MHz, V
dd
= 5.0V.
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IS62C51216AL ， IS65C51216AL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
t
英镑
P
t
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
–0.5 to +7.0
–65 to +150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意事项：
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
oH
V
oL
V
IH
V
IL
I
LI
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
测试条件
V
dd
=
分钟，我
oH
=
–1 mA
V
dd
=
分钟，我
oL
=
2.1 mA
GNDベル
V
In
≤
V
dd
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–5
–1
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.5
0.8
1
2
5
1
2
5
单位
V
V
V
V
A
I
Lo
输出泄漏
GNDベル
V
OUT
≤
V
dd
输出禁用
A
注意：
1.
V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度-2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（MAX） = V
dd
+ 0.3V DC ; V
IH
（MAX） = V
dd
+ 2.0V AC （脉冲宽度-2.0纳秒） 。未经100％测试。
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03/18/09
IS62C51216AL ， IS65C51216AL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V to 3.0V
5 ns
1.5V
See Figures 1 and 2
AC测试负载
481
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
481
Figure 1
Figure 2
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5
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