IS61WV25616EDBLL
IS64WV25616EDBLL
256K ×16高速异步
CMOS静态RAM，带有ECC
特点
高速存取时间： 8 ， 10纳秒
低有功功率： 85毫瓦（典型值）
低待机功耗： 7毫瓦（典型值）
CMOS待机
单电源
— V
dd
2.4V to 3.6V (10 ns)
— V
dd
3.3V ± 10% (8 ns)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业和汽车温度支持
无铅可
错误检测和纠错
2011年10月
4,194,304位静态RAM组织为262,144字
by 16 bits. It is fabricated using
ISSI
的高性能
CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
什么时候？
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以重新
duced下来CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入， CE和OE 。该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
The IS61/64WV25616EDBLL is packaged in the JEDEC
standard 44-pin TSOP-II and 48-pin Mini BGA (6mm x
8mm).
描述
该
ISSI
IS61 / 64WV25616EDBLL是一个高速，
功能框图
内存
较低的IO
阵列 -
256Kx8
8
4
内存
上部IO
A0-A17
解码器
ECC
阵列 -
256K
x4
阵列 -
256Kx8
ECC
阵列 -
256K
x4
IO0-7
IO8-15
8
8
I / O数据
电路
8
8
ECC
ECC
12
12
8
列I / O
4
/ CE
/ OE
/ WE
/ UB
/磅
控制
电路
Copyright 2011 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without
通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-
该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。
集成的芯片解决方案，公司不建议在生命支持应用中使用其任何产品，其中产品的故障或失效推理
巧妙地预期造成的生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类应用
除非集成芯片解决方案，公司收到书面保证，满意，认为：
。一）损伤或损坏的风险被最小化;
。 b）使用者承担所有风险;和
角）的潜在集成芯片解决方案的责任，公司将受到充分保护的情况下，
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1
IS61/64WV25616EDBLL
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
d
OUT
高-Z
d
OUT
d
In
高-Z
d
In
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
d
OUT
d
OUT
高-Z
d
In
d
In
V
DD
当前
I
sb
1
, I
sb
2
I
cc
I
cc
I
cc
销刀豆网络gurations
44针TSOP （ II型）
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
dd
GND¤
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
无连接
动力
地
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
*根据评估SOJ包装。
2
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IS61/64WV25616EDBLL
销刀豆网络gurations
44引脚LQFP *
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
1
2
3
4
5
6
1
2
3
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
4
5
6
7
8
9
10
11
12
*根据评估LQFP封装。
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
dd
GND¤
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
无连接
动力
地
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IS61/64WV25616EDBLL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
dd
t
英镑
P
t
参数
相对于GND端子电压
V
dd
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
–0.5 to V
dd
+ 0.5
–0.3 to 4.0
–65 to +150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项：
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
c
In
c
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
In
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2.测试条件：T已
a
= 25°c,
f = 1 MHz, V
dd
= 3.3V.
错误检测和纠错
每个字节独立的ECC
检测并纠正每字节一位错误
比奇偶校验码方案更好的可靠性只能检测到错误，但不能纠正错误
向后兼容：直接替代现行行业标准的设备（不含ECC ）
工作范围（V
DD
)
1
范围
产业
Automotive (A1)
Automotive (A3)
环境温度
–40°C to +85°C
–40°C to +85°C
–40°C to +125°C
IS61WV25616EDBLL
V
DD
(8, 10n
S
)
2.4V-3.6V (10ns)
3.3V ± 10% (8ns)
—
—
IS64WV25616EDBLL
V
DD
(10n
S
)
—
2.4V-3.6V
2.4V-3.6V
注意：
1. Contact SRAM@issi.com for 1.8V option
4
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IS61/64WV25616EDBLL
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 10%
符号
V
oH
V
oL
V
IH
V
IL
I
LI
I
Lo
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出泄漏
测试条件
V
dd
=
分钟，我
oH
=
–4.0 mA
V
dd
=
分钟，我
oL
=
8.0 mA
GND ≤ V
In
≤
V
dd
GND ≤ V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
1
2
3
4
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
(min.) = –2.0V AC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
V
IH
（最大） = V
dd
+ 0.3V
DC ; V
IH
（最大） = V
dd
+ 2.0V
ac (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.4V-3.6V
符号
V
oH
V
oL
V
IH
V
IL
I
LI
I
Lo
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出泄漏
测试条件
V
dd
=
分钟，我
oH
=
–1.0 mA
V
dd
=
分钟，我
oL
=
1.0 mA
GNDに接続
V
In
≤
V
dd
GNDに接続
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
分钟。
1.8
—
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
5
6
7
8
注意：
1.
V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
(min.) = –2.0V AC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
V
IH
（最大） = V
dd
+ 0.3V
DC ; V
IH
（最大） = V
dd
+ 2.0V
ac (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
cc
I
cc
1
I
sb
1
参数
V
dd
工作动态
电源电流
经营？
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
dd
=
最大，
I
OUT
= 0
毫安，女= F
最大
V
dd
=
最大，
I
OUT
= 0
mA, f = 0
V
dd
=
最大，
V
In
= V
IH
or≥V
IL
CE ≥ V
IH
, f = 0
V
dd
=
最大，
CE ≥ V
dd
– 0.2V,
V
In
≥
V
dd
– 0.2V,
or
V
In
≤
0.2V,
f = 0
-8
分钟。马克斯。
— 40
— 45
— —
21
— 20
— 25
— —
—
10
— 15
— —
—
5
—
6
— —
1.5
-10
分钟。马克斯。
— 30
— 35
— 50
21
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
20
25
40
10
15
30
5
6
15
-20
分钟。马克斯。
— 25
— 30
— 45
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
25
40
10
15
30
5
6
15
单位
mA
mA
mA
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
9
10
11
12
I
sb
2
mA
注意：
1. At f = f
最大
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
2. Typical values are measured at V
dd
= 3.0V, T
a
= 25
o
C and not 100% tested.
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5
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