IS64LV25616AL
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行
低待机功耗：
小于5μm
A
（典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
温度祭
选择A1 ： -40
o
C至+ 85
o
C
选择A2 ： -40
o
C至+105
o
C
选项A3 ： -40
o
C至+ 125
o
C
无铅可
ISSI
2006年7月
描述
该
ISSI
IS64LV25616AL是一个高速， 4194304位
静态RAM （16位）组织为262,144字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，产量高性能和低
电力消耗装置。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS64LV25616AL打包在JEDEC标准
44引脚TSOP II型和48针Mini- BGA （8毫米X 10毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
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1
IS64LV25616AL
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
销刀豆网络gurations
44针TSOP （ II型）
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
2
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IS64LV25616AL
销刀豆网络gurations
48引脚小型BGA
1
2
3
4
5
6
ISSI
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
NC
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
LB
UB
NC
V
DD
GND
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3
IS64LV25616AL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5到V
DD
+0.5
-0.3到+4.0
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
工作范围
选项
A1
A2
A3
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
A1
A2
A3
A1
A2
A3
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
选项
分钟。
2.4
—
2.0
-0.3
-2
-5
-10
-2
-5
-10
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
5
10
2
5
10
单位
V
V
V
V
A
I
LO
输出漏
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
,
输出禁用
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
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IS64LV25616AL
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
.
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
选项
A1
A2
A3
A1
A2
A3
A1
A2
A3
A1
A2
A3
典型值
(2)
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
—
—
50
—
—
20
—
—
15
—
—
5
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
120
—
55
60
—
30
40
—
25
35
5
ISSI
单位
mA
1
2
mA
I
SB
3
mA
mA
I
SB
1
I
SB
2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。阴影区产品
在发展
2.典型的值在V测量
DD
= 3.3V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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5
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