IS63WV1024BLL
IS64WV1024BLL
128K ×8高速CMOS静态RAM
ISSI
2006年5月
特点
高速存取时间：
12纳秒： 3.3V + 10 ％
15纳秒： 2.5V - 3.6V
高性能，低功耗的CMOS工艺
CMOS低功耗运行
50毫瓦（典型值）工作电流
25
W（典型值）待机电流
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
??可用的软件包：
- 32引脚TSOP （ II型）
- 32针STSOP （I型）
- 48球miniBGA （ 6× 8毫米）
- 32引脚300mil的SOJ
无铅可
描述
该
ISSI
IS63 / 64WV1024BLL是一个非常高速，低
电力， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。该
IS63 / 64WV1024BLL使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠
工艺加上创新的电路设计
技术，产量更高的性能和低功耗
消费设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到25 μW （典型值）， CMOS输入电平。
在IS63 / 64WV1024BLL从单一的V操作
DD
电源。在IS63 / 64WV1024BLL是可用
32脚TSOP （II型） ， 32针sTSOP （I型） ， 48球
miniBGA （ 6× 8毫米）和32引脚SOJ （ 300密耳）
包。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
控制
电路
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版本B
05/10/06
1
IS63WV1024BLL
IS64WV1024BLL
引脚配置
32引脚SOJ
ISSI
引脚配置
32引脚的TSOP （II型） （T）的
32引脚STSOP （I型） （H）的
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VDD
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
VDD
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VDD
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
VDD
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
引脚说明
A0-A16
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
引脚配置
48微型BGA （B）中（6毫米× 8毫米）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
I / O
1
I / O
2
GND
V
DD
I / O
3
I / O
4
NC
OE
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A10
A2
A1
A0
NC
NC
A14
A15
A16
A6
A5
A4
A3
NC
A11
A12
A13
A7
CE
NC
NC
NC
I / O
5
WE
A9
NC
I / O
8
I / O
7
V
DD
GND
I / O
6
A8
NC
2
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版本B
05/10/06
IS63WV1024BLL
IS64WV1024BLL
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
ISSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
V
DD
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
V
DD
与GND
价值
-0.5到V
DD
+0.5
-65到+150
1.5
-0.2到+3.9
单位
V
°C
W
V
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作范围（V
DD
)
范围
广告
产业
汽车
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
（ 15纳秒）
2.5V-3.6V
2.5V-3.6V
2.5V-3.6V
V
DD
（ 12纳秒）
3.3V + 10%
3.3V + 10%
3.3V + 10%
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3
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IS64WV1024BLL
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.5V-3.6V
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
ISSI
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
分钟。
2.3
—
2.0
–0.3
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
–2
–2
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 10%
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
–2
–2
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电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
V
DD
工作动态
电源电流
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
选项
COM
.
IND
.
AUTO
ISSI
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
45
60
20
5
5
5
3
4
4
20
50
75
6
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
40
50
20
5
5
5
3
4
4
20
50
75
6
mA
单位
mA
典型值。
(2)
I
CC
1
工作电源
当前
I
SB
1
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
DD
=最大，
IOUT = 0毫安， F = 0
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM
.
IND
.
AUTO
COM
.
IND
.
AUTO
COM
.
IND
.
AUTO
mA
I
SB
2
uA
典型值。
(2)
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 2.5V ，T
A
=25
o
C.未经100％测试。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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版本B
05/10/06
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