IS63LV1024
128K ×8高速CMOS静态RAM
3.3V革命引脚
特点
高速存取时间：
8 ，10，12和15纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
??可用的软件包：
- 32引脚300mil的SOJ
- 32引脚400密耳SOJ
- 32引脚TSOP （ II型）
ISSI
描述
2000年9月
该
ISSI
IS63LV1024是一个非常高速，低功耗，
131,072字由8位CMOS静态RAM革命
引脚排列。该IS63LV1024使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠
工艺加上创新的电路设计
技术，产量更高的性能和低功耗
消费设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
该IS63LV1024采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
牧师
10/02/00
1
IS63LV1024
引脚配置
32引脚SOJ
ISSI
引脚配置
32引脚的TSOP （II型） （T）的
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A16
A15
A14
A13
OE
I/o7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
引脚说明
A0-A16
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
真值表
模式
WE
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作，VCC电源电流
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
未选择
X
（掉电）
输出禁用
读
H
写
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-55到+125
-65到+150
1.0
单位
V
°C
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
牧师
10/02/00
IS63LV1024
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
3.3V ± 0.15V
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–5
–1
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
SB
Vcc操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≤
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
160
170
55
55
25
30
5
10
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
150
160
45
45
25
30
5
10
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
130
140
40
40
25
30
5
10
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
120
130
35
35
25
30
5
10
单位
mA
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
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牧师
10/02/00
3
IS63LV1024
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
CE
以低Z输出
CE
上电时间
CE
到断电时间
-8 NS
分钟。
马克斯。
8
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
—
8
—
8
4
—
4
—
4
—
8
-10 NS
分钟。
马克斯。
10
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
—
10
—
10
5
—
5
—
5
—
10
-12 NS
分钟。
马克斯。
12
—
3
—
—
0
0
3
0
0
—
—
12
—
12
6
—
6
—
6
—
12
ISSI
-15 NS
分钟。
马克斯。
15
—
3
—
—
0
0
3
0
0
—
—
15
—
15
7
—
7
—
7
—
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
PU
t
PD
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和C1
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与C2负荷1.转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
317
3.3V
Z
OUT
= 50
产量
50
V
T
= 1.5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
351
图1
图2
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
牧师
10/02/00
IS63LV1024
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
地址
ISSI
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
READ1.eps
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
美国能源部
CE
t
HZOE
t
LZOE
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
数据有效
CE_RD2.eps
D
OUT
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ，CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
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牧师
10/02/00
5
IS63LV1024
128K ×8高速CMOS静态RAM
3.3V革命引脚
特点
高速存取时间：
8 ，10，12和15纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
??可用的软件包：
- 32引脚300mil的SOJ
- 32引脚400密耳SOJ
- 32引脚TSOP （ II型）
ISSI
描述
2000年9月
该
ISSI
IS63LV1024是一个非常高速，低功耗，
131,072字由8位CMOS静态RAM革命
引脚排列。该IS63LV1024使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠
工艺加上创新的电路设计
技术，产量更高的性能和低功耗
消费设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
该IS63LV1024采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
牧师
10/02/00
1
IS63LV1024
引脚配置
32引脚SOJ
ISSI
引脚配置
32引脚的TSOP （II型） （T）的
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A16
A15
A14
A13
OE
I/o7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
引脚说明
A0-A16
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
真值表
模式
WE
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作，VCC电源电流
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
未选择
X
（掉电）
输出禁用
读
H
写
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-55到+125
-65到+150
1.0
单位
V
°C
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
牧师
10/02/00
IS63LV1024
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
3.3V ± 0.15V
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–5
–1
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
SB
Vcc操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≤
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
160
170
55
55
25
30
5
10
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
150
160
45
45
25
30
5
10
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
130
140
40
40
25
30
5
10
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
120
130
35
35
25
30
5
10
单位
mA
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
牧师
10/02/00
3
IS63LV1024
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
CE
以低Z输出
CE
上电时间
CE
到断电时间
-8 NS
分钟。
马克斯。
8
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
—
8
—
8
4
—
4
—
4
—
8
-10 NS
分钟。
马克斯。
10
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
—
10
—
10
5
—
5
—
5
—
10
-12 NS
分钟。
马克斯。
12
—
3
—
—
0
0
3
0
0
—
—
12
—
12
6
—
6
—
6
—
12
ISSI
-15 NS
分钟。
马克斯。
15
—
3
—
—
0
0
3
0
0
—
—
15
—
15
7
—
7
—
7
—
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
PU
t
PD
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和C1
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与C2负荷1.转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
317
3.3V
Z
OUT
= 50
产量
50
V
T
= 1.5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
351
图1
图2
4
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10/02/00
IS63LV1024
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
地址
ISSI
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
READ1.eps
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
美国能源部
CE
t
HZOE
t
LZOE
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
数据有效
CE_RD2.eps
D
OUT
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ，CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
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