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IS62WV5128ALL
IS62WV5128BLL
512K ×8低电压,
超低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间: 55ns , 70ns的
CMOS低功耗运行
36毫瓦(典型值)的操作
9 μW (典型值) CMOS待机
TTL兼容接口电平
单电源供电
1.65V – 2.2V V
DD
(IS62WV5128ALL)
2.5V – 3.6V V
DD
(IS62WV5128BLL)
全静态操作:无时钟或刷新
需要
三态输出
工业应用温度
无铅可
2008年1月
描述
ISSI
IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高
速度, 4M位静态RAM组织为512K字×8
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术,产量高亮
高性能和低功耗的器件。
CS1
高(取消)设备呈现
待机模式下,在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
(WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62WV5128ALL和IS62WV5128BLL包装
在JEDEC标准的32引脚TSOP (I型) , 32针
sTSOP (I型) , 32引脚TSOP ( II型) , 32引脚SOP和
36针微型BGA封装。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CS1
OE
WE
控制
电路
2005集成芯片解决方案, Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息,产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com
英文内容
01/29/08
1
IS62WV5128ALL,
IS62WV5128BLL
引脚说明
A0-A18
CS1
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
无连接
动力
36针微型BGA (B ) ( 6× 8毫米)
(封装代码B)
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I/O4
I/O5
GND
VDD
I/O6
I/O7
A9
A1
A2
NC
WE
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O0
I/O1
VDD
GND
A18
OE
A10
CS1
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I/O2
I/O3
A14
2
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英文内容
01/29/08
IS62WV5128ALL,
引脚说明
A0-A18
CS1
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
IS62WV5128BLL
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
引脚配置
32针TSOP (I型) , (封装代码T)
32针sTSOP (I型) (封装代码H )
32引脚SOP (编号Q)
32针TSOP (II型) (封装代码T2)
A11
A9
A8
A13
WE
A18
A15
V
DD
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
A18
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
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3
IS62WV5128ALL,
IS62WV5128BLL
工作范围(V
DD
)
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
IS62WV5128ALL
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
IS62WV5128BLL
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
与GND
储存温度
功耗
价值
-0.2到V
DD
+0.3
-0.2到V
DD
+0.3
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是
一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
DD
GND
V
OUT
V
DD
,输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
DD
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
分钟。
1.4
2.2
1.4
2.2
–0.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
0.2
0.4
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
0.4
0.6
1
1
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注意事项:
1. V
IL
(分) = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
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IS62WV5128ALL,
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
IS62WV5128BLL
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
输入电容
输入/输出电容
注意:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
IS62WV5128ALL
(单元)
0.4V至V
DD
-0.2V
5纳秒
V
REF
参见图1和2
IS62WV5128BLL
(单元)
0.4V至V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
参见图1和2
IS62WV5128ALL
1.65 - 2.2V
R1(Ω)
R2(Ω)
V
REF
V
TM
3070
3150
0.9V
1.8V
IS62WV5128BLL
2.5V - 3.6V
3070
3150
1.5V
2.8V)
AC测试负载
图1
图2
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    电话:18922805453
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    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IS62WV5128BLL-55QLI
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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ISSI
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ISSI
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ISSI
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IS62WV5128BLL-55QLI
ISSI
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电话:0755-89697985
联系人:李
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IS62WV5128BLL-55QLI
ISSI
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15000¥/片,原厂一级代理,原装现货
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电话:755-83206150/83258002/83223169
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地址:新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
IS62WV5128BLL-55QLI
INTEGRATED SILICON SOLUTION
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电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
联系人:张小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室 (亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
IS62WV5128BLL-55QLI
ISSI
22+
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电话:0755-83514939
联系人:可乔
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IS62WV5128BLL-55QLI
ISSI
22+
21+
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