IS62WV51216ALL
IS62WV51216BLL
512K ×16低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
ISSI
2005年2月
特点
高速存取时间：为45nS ， 55ns
CMOS低功耗运行
- 36毫瓦（典型值）的操作
- 12 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单电源供电
– 1.65V--2.2V V
DD
(62WV51216ALL)
– 2.5V--3.6V V
DD
(62WV51216BLL)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
无铅可
描述
该
ISSI
IS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL是高
速度， 8M位静态RAM由16组织为512K字
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
当
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消），或者当
CS1
为低时， CS2为高和两个
LB
和
UB
高，器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE）
同时控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许最高字节
（ UB ）
和低位字节（LB）
访问。
该IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL包装
在JEDEC标准的48引脚小型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）
和44引脚TSOP （II型） 。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
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版本B
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1
IS62WV51216ALL ， IS62WV51216BLL
销刀豆网络gurations
48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）
1
2
3
4
5
6
ISSI
引脚说明
A0-A18
I/O0-I/O15
CS1,
CS2
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
A18
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
GND
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CS1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
CS2
I / O
0
I / O
2
V
DD`
GND
I / O
6
I / O
7
NC
44针TSOP （ II型）
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
A18
A8
A9
A10
A11
A17
2
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版本B
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IS62WV51216ALL ， IS62WV51216BLL
真值表
模式
未选择
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
写
I
CC
工作范围（V
DD
)
范围
环境温度IS62WV51216ALL （为70ns ） IS62WV51216BLL （ 55ns ， 70ns的）
IS62WV51216BLL （为45nS ）
广告
产业
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
3.0 - 3.6V
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3
IS62WV51216ALL ， IS62WV51216BLL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
V
DD
与GND
储存温度
功耗
价值
-0.2到V
DD
+0.3
-40至+85
-0.2到+3.8
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
DD
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
分钟。
1.4
2.2
—
—
1.4
2.2
–0.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
—
0.2
0.4
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
0.4
0.6
1
1
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
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IS62WV51216ALL ， IS62WV51216BLL
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
ISSI
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
62WV51216ALL
（单元）
0.4V至V
DD
-0.2
5纳秒
V
REF
参见图1和2
62WV51216BLL
（单元）
0.4V至V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
参见图1和2
62WV51216ALL
(1.65V - 2.2V)
R1()
R2()
V
REF
V
TM
3070
3150
0.9V
1.8V
62WV51216BLL
(2.5V - 3.6V)
1029
1728
1.5V
2.8V
AC测试负载
R1
VTM
R1
VTM
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
图1
图2
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