IS62LV2568LL
256K ×8低功耗和低Vcc的
CMOS静态RAM
特点
访问的70和85 ns的时间
CMOS低功耗运行：
- 120毫瓦（典型值）的操作
- 6 μW （典型值）待机
低数据保持电压： 2V （分钟）
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
TTL兼容的输入和输出
全静态操作：
- 无时钟或刷新要求
单2.5V至3.0V电源
提供32引脚TSOP （ I型） ， STSOP （ I型） ，
和36针微型BGA
ISSI
描述
2000年4月
该
ISSI
IS62LV2568LL是一个低电压， 262,144字
由8位， CMOS SRAM中。它是使用制造
国际空间站
我是低
电压，六晶体管（ 6T ） ， CMOS技术。该装置是
有针对性地满足国家的最先进的要求
技术诸如蜂窝电话和寻呼机。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。此外，易记忆
扩展是通过使用芯片使能和输出提供
使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62LV2568LL是32引脚TSOP （ I型）提供，
STSOP （ I型）和36引脚小型BGA封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本B
05/03/00
1
IS62LV2568LL
引脚配置
36针微型BGA （B ）
1
2
3
4
5
6
ISSI
引脚说明
A0-A17
CE1
CE2
OE
WE
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I/O4
I/O5
GND
VCC
I/O6
I/O7
A9
A1
A2
CE2
WE
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O0-I/O7
NC
VCC
GND
NC
OE
A10
CE1
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I/O2
I/O3
A14
32针TSOP （I型） ， sTSOP （I型）
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
2
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版本B
05/03/00
IS62LV2568LL
ISSI
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
X
X
H
H
L
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.5V至3.0V
2.5V至3.0V
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-0.3到+4.6
-40至+85
-65到+150
0.7
单位
V
V
°C
°C
W
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.0V 。
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版本B
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3
IS62LV2568LL
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
—
2.2
–0.3
–1
–1
ISSI
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.4
1
1
V
V
V
V
A
A
单位
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
VCC动态
操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大值， CE = V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
-70
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
30
35
0.4
1.0
5
5
-85
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
25
30
0.4
1.0
5
5
单位
mA
I
SB
1
V
CC
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
IND 。
CE1
≥
V
IH
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大值， F = 0
COM 。
CE1
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
– 0.2V, V
IN
≤
0.2V
mA
I
SB
2
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
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IS62LV2568LL
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-70
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE1
以低Z输出
CE2为低-Z输出
CE1
或CE2到输出高阻态
分钟。
70
—
10
—
—
—
—
5
10
10
0
马克斯。
—
70
—
70
70
35
25
—
—
—
25
分钟。
85
—
15
—
—
—
—
5
10
10
0
-85
马克斯。
—
85
—
85
85
45
25
—
—
—
25
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
LZCE
1
(2)
t
LZCE
2
(2)
t
HZCE
(2)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.3V的参考电平， 0.4V的输入脉冲电平为2.2V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.3V
参见图1和2
AC测试负载
3070
2.8V
2.8V
3070
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
图1
图2
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版本B
05/03/00
5
QQ：2881677436 复制
