IS62LV256
32K ×8低压静态RAM
ISSI
描述
2002年12月
特点
访问时间： 45 ， 70纳秒
低有功功率： 70毫瓦
低待机功耗
- 45 μW CMOS待机
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
该
ISSI
IS62LV256是一个非常高速，低功耗，
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS双金属技术。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散被降低到
10 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（ CE）输入和一个低电平有效输出使能
（ OE ）输入。该低电平有效写使能（ WE）控制着
写入和读取的存储器。
该IS62LV256与其他32K ×8的SRAM引脚兼容
在300万SOJ ， 330密耳的塑料SOP ， TSOP和（ I型普通
和反向弯曲）封装。
功能框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
2002集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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牧师
12/11/02
1
IS62LV256
引脚配置
28引脚SOJ和SOP
ISSI
28引脚TSOP （ I型）（普通本特）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
28引脚TSOP （ I型） （反特）
引脚说明
A0-A14
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
2
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IS62LV256
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+4.6
-55到+125
-65到+150
0.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
ISSI
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 5%
3.3V ± 5%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
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3
IS62LV256
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-45 NS
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
30
35
45
2
5
90
200
ISSI
-70 NS
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
30
30
40
2
5
90
200
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
A
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
5
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
4
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IS62LV256
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
ISSI
1213
3.3V
3.3V
1213
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
图1a
图1b
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-45 NS
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
分钟。
45
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
马克斯。
—
45
—
45
25
—
20
—
20
—
30
分钟。
70
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
-70 NS
马克斯。
—
70
—
70
35
—
25
—
25
—
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
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32K ×8低压静态RAM
ISSI
描述
2002年12月
特点
访问时间： 45 ， 70纳秒
低有功功率： 70毫瓦
低待机功耗
- 45 μW CMOS待机
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
该
ISSI
IS62LV256是一个非常高速，低功耗，
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS双金属技术。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散被降低到
10 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（ CE）输入和一个低电平有效输出使能
（ OE ）输入。该低电平有效写使能（ WE）控制着
写入和读取的存储器。
该IS62LV256与其他32K ×8的SRAM引脚兼容
在300万SOJ ， 330密耳的塑料SOP ， TSOP和（ I型普通
和反向弯曲）封装。
功能框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
2002集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS62LV256
引脚配置
28引脚SOJ和SOP
ISSI
28引脚TSOP （ I型）（普通本特）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
28引脚TSOP （ I型） （反特）
引脚说明
A0-A14
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
2
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绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+4.6
-55到+125
-65到+150
0.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
ISSI
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 5%
3.3V ± 5%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
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电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-45 NS
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
30
35
45
2
5
90
200
ISSI
-70 NS
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
30
30
40
2
5
90
200
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
A
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
5
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
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IS62LV256
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
ISSI
1213
3.3V
3.3V
1213
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
图1a
图1b
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-45 NS
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
分钟。
45
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
马克斯。
—
45
—
45
25
—
20
—
20
—
30
分钟。
70
—
2
—
—
0
0
3
0
0
—
-70 NS
马克斯。
—
70
—
70
35
—
25
—
25
—
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
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5
QQ：2881677436 复制
