IS62LV1288LL
128K ×8低功耗和低Vcc的
CMOS静态RAM
特点
?? 45 ， 55 ，和70 ns访问时间
低有功功率： 60毫瓦（典型值）
低待机功率： 15 μW （典型值） CMOS
待机
低数据保持电压： 2V （分钟）
超低功耗
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
TTL兼容的输入和输出
单2.5V （最小值）至3.45V （最大值）电源
工业应用温度
提供32引脚TSOP （ I型） ， 32针
STSOP ，以及450万SOP
ISSI
描述
2001年FEBUARY
该
ISSI
IS62LV1288LL是一款低功耗，低
VCC ， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量更高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
是高或CE2为低（取消） ，该
装置假定一个待机模式，在该功率
耗散可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。
该IS62LV1288LL是32引脚TSOP （ I型）提供，
STSOP （8× 13.4毫米）和450密耳厚的塑料SOP（ 525密耳
引脚到引脚）封装。
功能框图
A0-A16
解码器
512 X 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
本文contISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们不承担任何
负责这可能出现在本出版物中的任何错误。 版权所有2001年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
03/22/01
1
IS62LV1288LL
引脚配置
32引脚的SOP （Q）的
ISSI
引脚配置
32引脚的TSOP （I型） （T）和STSOP （类型1） （H）的
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
A0-A16
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
无连接
动力
地
工作范围
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
速度
-45 NS
-55 NS
-70 NS
-45 NS
-55 NS
-70 NS
V
CC
M
IN
.
2.85V
2.5V
2.5V
2.85V
2.5V
2.5V
V
CC
M
AX
.
3.15V
3.45V
3.45V
3.15V
3.45V
3.45V
产业
-40 ° C至+ 85°C
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
03/22/01
IS62LV1288LL
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
ISSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-0.3到+3.6
-40至+85
-65到+150
0.7
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何上述其他条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.0V 。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
03/22/01
3
IS62LV1288LL
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.2
—
2.0
–0.2
–1
–1
马克斯。
ISSI
单位
V
V
V
V
A
A
—
0.4
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
-45
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
35
40
0.4
1
8
10
-55
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
30
35
0.4
1
8
10
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
25
30
0.4
1
8
10
单位
mA
mA
V
CC
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE1
≥
V
IH
IND 。
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大值， F = 0
COM 。
CE1
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
– 0.2V, V
IN
≤
0.2V
I
SB
2
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
03/22/01
IS62LV1288LL
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-45
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
分钟。
45
—
10
—
—
—
0
0
5
5
0
马克斯。
—
45
—
45
45
20
—
15
—
—
15
分钟。
55
—
10
—
—
—
5
0
7
7
0
-55
马克斯。
—
55
—
55
55
25
—
20
—
—
20
分钟。
70
—
10
—
—
—
5
0
10
10
0
-70
ISSI
马克斯。
—
70
—
70
70
35
—
25
—
—
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE1
以低Z输出
t
LZCE
2
(2)
CE2为低-Z输出
t
HZCE
(2)
CE1
或CE2到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.3V的参考电平， 0.4V的输入脉冲电平为2.2V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.3V
参见图1和2
AC测试负载
1213
3.0V
3.0V
1213
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
图1 。
图2中。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
03/22/01
5
QQ：2880707522 复制
