IS62LV12816L
IS62LV12816LL
IS62LV12816L
IS62LV12816LL
128K ×16低电压，超低
低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 55 ， 70 ， 100纳秒
CMOS低功耗运行
- 120毫瓦（典型值）的操作
- 6 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
??单2.7V - 3.6V的Vcc电源
??全静态操作：无时钟或刷新重
quired
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供44引脚TSOP -2和48引脚
6 * 8毫米TF -BGA
描述
该
1+51
IS62LV12816L和IS62LV12816LL是高速，
2.097,152位的静态RAM， 16组织为131,072字
位。他们使用的是制造
1+51
的高性能CMOS
技术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，产量高的性能和
低功耗设备。
当
CE
为高（取消），或者当
CE
低，都
LB
和
UB
高，设备假定在待机模式
该功率耗散可以通过使用CMOS可以减少
输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS62LV12816L和IS62LV12816LL封装在
JEDEC standare 44引脚400mil TSOP - 2和48引脚6 * 8毫米
TF- BGA 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR020-0C
1
IS62LV12816L
IS62LV12816LL
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP- 2
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
48引脚TF -BGA
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
6
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制（L / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ L / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
WE
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
H
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0/-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
, I
SB
I
SB
, I
SB
I
CC
I
SB
I
CC
X
X
输出禁用
X
读
H
H
H
写
L
L
L
I
CC
2
集成电路解决方案公司
SR020-0C
IS62LV12816L
IS62LV12816LL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V - 3.6V
2.7V - 3.6V
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-40至+85
-0.3到+4.0
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
2.2
0.2
1
1
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
, O
UTPUTS
D
ISABLED
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
集成电路解决方案公司
SR020-0C
3
IS62LV12816L
IS62LV12816LL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.3V
参见图1和2
AC测试负载
1 TTL
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1 TTL
图1
图2
IS62LV12816L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
OR
ULB控制
I
SB
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
OR
ULB控制
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE
≤
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
40
45
0.4
1.0
-70
分钟。马克斯。
30
35
0.4
1.0
-100
分钟。马克斯。
20
25
0.4
1.0
单位
mA
mA
V
CC
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
=
V
IL
, f = 0,
UB
=
V
IH
,
LB
=
V
IH
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
35
50
35
50
35
50
A
V
CC
=最大，
CE
=
V
IL
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ，
UB
/
LB
=
V
CC
0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成电路解决方案公司
SR020-0C
IS62LV12816L
IS62LV12816LL
IS62LV12816LL电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
OR
ULB控制
I
SB
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
OR
ULB控制
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
40
45
0.4
1.0
-70
分钟。马克斯。
30
35
0.4
1.0
-100
分钟。马克斯。
20
25
0.4
1.0
单位
mA
mA
V
CC
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
=
V
IL
, f = 0,
UB
=
V
IH
,
LB
=
V
IH
V
CC
=最大值， F = 0
CE
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
10
15
10
15
10
15
A
V
CC
=最大，
CE
=
V
IL
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ，
UB
/
LB
=
V
CC
0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。
55
10
5
0
10
0
0
-55
马克斯。
55
55
30
20
20
55
25
分钟。
70
10
5
0
10
0
0
-70
马克斯。
70
70
35
25
25
70
25
-100
分钟。马克斯。
100
15
5
0
10
0
0
100
100
50
30
30
100
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZCE
CE
到输出高阻态
t
LZCE
CE
以低Z输出
t
BA
t
HZB
t
LZB
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
输出高阻态
LB。 UB
以低Z输出
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.3V的参考电平，输入脉冲电平
的0.4V至图1中指定的2.2V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
集成电路解决方案公司
SR020-0C
5
IS62LV12816LL
128K ×16的CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 55 ， 70 ， 100纳秒
CMOS低功耗运行
- 120毫瓦（典型值）的操作
- 6 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单2.5V - 3.45V V
CC
电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供44引脚TSOP （ II型）和
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
ISSI
描述
2000年11月
该
ISSI
IS62LV12816LL是一个高速， 2097152位
静态RAM （16位）组织为131,072字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高的性能
和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS62LV12816LL打包在JEDEC标准
44针TSOP （ II型）和48针微型BGA封装。 （ 6× 8毫米）
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
Rev. D的
12/15/00
1
IS62LV12816LL
销刀豆网络gurations
44针TSOP （ II型）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
ISSI
48引脚小型BGA
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
Rev. D的
12/15/00
IS62LV12816LL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.5V - 3.45V
2.5V - 3.45V
ISSI
1
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-40至+85
-0.3到+4.0
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
3
4
5
6
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
—
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
7
8
9
10
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
11
12
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
Rev. D的
12/15/00
3
IS62LV12816LL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.3V
参见图1和2
ISSI
AC测试负载
3070
3.0V
3.0V
3070
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
图1
图2
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
40
60
0.4
1.0
5
5
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
30
50
0.4
1.0
5
5
-100
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
20
40
0.4
1.0
5
5
单位
mA
mA
I
SB
2
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
Rev. D的
12/15/00
IS62LV12816LL
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
(2)
ISSI
-55
分钟。马克斯。
55
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
55
—
55
30
20
—
20
—
20
25
—
-70
分钟。马克斯。
70
—
10
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
70
—
70
35
25
—
25
—
35
25
—
-100
分钟。马克斯。
100
—
15
—
—
—
5
0
10
—
0
0
—
100
—
100
50
30
—
30
—
50
35
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
1
2
3
4
5
6
7
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
0.4在图1中指定的2.2V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
AC波形
读周期1号
(1,2)
（地址控制） （ CE =
OE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
)
t
RC
8
9
t
OHA
地址
t
AA
t
OHA
10
11
12
D
OUT
以前的数据有效
数据有效
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
Rev. D的
12/15/00
5
QQ：2880707522 复制
