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IS62LV12816BLL
128K ×16低电压,超低
低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间: 55 , 70 , 100纳秒
CMOS低功耗运行
- 120毫瓦(典型值)的操作
- 6 μW (典型值) CMOS待机
TTL兼容接口电平
单2.7V - 3.45V V
CC
电源
全静态操作:无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供44引脚TSOP ( II型)和
48针微型BGA ( 6× 8毫米)
ISSI
描述
2001年2月
ISSI
IS62LV12816BLL是一个高速, 2097152位
静态RAM (16位)组织为131,072字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术,产量高的性能
和低功耗的器件。
CE
为高(取消),或者当
CE
低并且
LB
UB
高,器件处于待机
模式,在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入,
CE
OE 。
该低电平有效
写使能(WE )控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节( UB )和下
字节( LB )的访问。
该IS62LV12816BLL打包在JEDEC标准
44针TSOP ( II型)和48针微型BGA ( 6× 8毫米) 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2001年,集成的芯片解决方案,公司
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
03/07/01
1
IS62LV12816BLL
销刀豆网络gurations
44针TSOP ( II型)
1
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
ISSI
48引脚小型BGA
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制( I / O0 -I / O7 )
上个字节的控制( I / O8 -I / O15 )
无连接
动力
真值表
模式
未选择
输出禁用
WE
X
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
H
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
SB
I
CC
I
CC
2
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
03/07/01
IS62LV12816BLL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V - 3.45V
2.7V - 3.45V
ISSI
1
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-40至+85
-0.3到+3.6
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
3
4
5
6
注意:
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.0
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
7
8
9
10
注意事项:
1. V
IL
(分) = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
11
12
注意:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
03/07/01
3
IS62LV12816BLL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.3V
参见图1和2
ISSI
AC测试负载
3070
3.0V
3070
3.0V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
图1
图2
4
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
03/07/01
IS62LV12816BLL
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
VCC工作动态
电源电流
I
SB
1
TTL待机电流
( TTL输入)
OR
ULB控制
V
CC
=最大,V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
CC
=最大,
CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
5
5
5
5
5
5
测试条件
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, f = 0
-55
分钟。马克斯。
— 40
— 45
— 0.4
— 1.0
-70
分钟。马克斯。
— 30
— 35
— 0.4
— 1.0
ISSI
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-100
分钟。马克斯。
— 20
— 25
— 0.4
— 1.0
单位
mA
mA
1
2
3
I
SB
2
CMOS待机
电流( CMOS输入)
A
4
5
6
7
OR
ULB控制
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
V
IN
0.2V , F = 0 ;
UB
/
LB
= V
CC
– 0.2V
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB , UB
存取时间
LB , UB
到输出高阻态
LB , UB
以低Z输出
-55
分钟。马克斯。
55
10
5
0
10
0
0
55
55
30
20
20
55
25
-70
分钟。马克斯。
70
10
5
0
10
0
0
70
70
35
25
25
70
25
-100
分钟。马克斯。
100
15
5
0
10
0
0
100
100
50
30
30
100
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
8
9
10
11
12
注意事项:
1.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间,定时1.3V的参考电平,输入脉冲电平
0.4在图1中指定的2.2V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
03/07/01
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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