IS61C6416AL
IS62C6416AL
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
2005年1月
64K ×16高速CMOS静态RAM
特点
IS61C6416AL和IS64C6416AL
高速存取时间: 12纳秒,为15ns
低有功功率: 175毫瓦(典型值)
低待机功耗: 1毫瓦(典型值)
CMOS待机
IS62C6416AL和IS65C6416AL
高速存取时间: 35纳秒,为45nS
低有功功率: 50毫瓦(典型值)
低待机功率: 100 μW (典型值)
CMOS待机
TTL兼容接口电平
单5V ±10 %电源
全静态操作:无时钟或刷新
需要
提供44引脚SOJ封装
44针TSOP ( II型)
商用,工业和汽车温度
TURE适用范围
无铅可
描述
该
ISSI
IS61C6416AL , IS62C6416AL , IS64C6416AL和
IS65C6416AL是高速, 1,048,576位静态RAM
16位组织为65,536字。他们捏造
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ,产量存取时间快12纳秒的低功耗
消费。
当
CE
为高(取消) ,器件处于
待机模式下,在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入,
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能( WE)控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节( UB )和低字节( LB )
访问。
该IS61C6416AL , IS62C6416AL , IS64C6416AL和
IS65C6416AL包装在JEDEC标准44引脚
400万SOJ和44引脚TSOP ( II型) 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2005集成芯片解决方案, Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候,恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息,产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05
1
IS61C6416AL
IS62C6416AL
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
44针TSOP ( II型)
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
引脚说明
A0-A15
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
V
DD
GND
低字节控制( I / O0 -I / O7 )
上个字节的控制( I / O8 -I / O15 )
无连接
动力
地
2
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05
IS61C6416AL
IS62C6416AL
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
写
I
CC
1
, I
CC
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作指示的
本规范的tional部分将得不到保证。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作范围( IS61C / 62C6416AL )
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
5V ± 10%
5V ± 10%
工作范围( IS64C / 65C6416AL )
范围
汽车
环境温度
-40°C至+ 125°C
V
DD
5V ± 10%
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05
3
IS61C6416AL
IS62C6416AL
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
参数
输入电容
输出电容
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
测试条件
V
DD
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–5
–1
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
5
1
2
5
单位
V
V
V
V
A
I
LO
输出漏
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
输出禁用
A
注意:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05
IS61C6416AL
IS62C6416AL
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
-12 NS
分钟。马克斯。
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
40
45
—
50
55
—
35
1
1
—
—
—
—
350
400
—
200
450
1
A
mA
60
50
mA
-15 NS
分钟。马克斯。
单位
mA
IS61C6416AL/IS64C6416AL
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
1
V
DD
操作
电源电流
V
DD
工作动态
电源电流
测试条件
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时, F = 0
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
I
CC
2
I
SB
1
TTL待机电流
( TTL输入)
V
DD
= V
DD MAX
.,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE
≤
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ,或
V
IN
≤
0.2V , F = 0
I
SB
2
CMOS待机
电流( CMOS输入)
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 5V ,T
A
= 25 %而不是100 %测试。
IS62C6416AL/IS65C6416AL
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
平均开工
当前
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
CE
= V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
I / O
= 0毫安
V
DD
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
DD
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE
≥
V
IH
,
f=0
V
DD
=最大,
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V,
或V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
-35 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
10
15
—
35
40
—
1
1.5
—
5
10
—
15
2
A
45
mA
20
mA
-45 NS
分钟。马克斯。
单位
mA
I
CC
1
I
SB
1
I
SB
2
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05
5