IS61WV51232ALL/ALS
IS61WV51232BLL/BLS
IS64WV51232BLL/BLS
512K ×32高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
8，10， 20纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚更大
噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
OP-
系统蒸发散
CE
掉电
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单电源供电
V
DD
1.65V至2.2V （ IS61WV51232Axx ）
速度= 20ns，适合于V
DD
1.65V至2.2V
V
DD
2.4V至3.6V （ IS61 / 64WV51232Bxx ）
速度= 10ns的为V
DD
2.4V至3.6V
速度=为8ns的V
DD
3.3V + 5%
??可用的软件包：
- 90球miniBGA （8毫米X 13毫米）
工业和汽车温度支持
无铅可
初步信息
2008年4月
描述
该
ISSI
IS61WV51232Axx / BXX和IS64WV51232Bxx
是高速， 16M位的静态RAM组织为512K
字由32位。它是使用制造
ISSI
的高perform-
ANCE CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产生高性
曼斯和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。
该器件采用符合JEDEC标准的90焊球BGA
（8毫米X 13毫米） 。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×32
存储阵列
VDD
VSS
DQA -D
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
BWA -D
CE2
控制
电路
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
牧师00B
04/23/08
1
IS61WV51232ALL/ALS
IS61WV51232BLL/BLS
IS64WV51232BLL/BLS
引脚配置
封装代码： B 90球FBGA （顶视图） （8.00毫米× 13.00毫米身体， 0.8毫米球间距）
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ1 DQ0 VSS
DQ2 VDD VSS
VSS DQ3 DQ4
VSS DQ6 DQ5
VDD DQ7
VSS
BWA
A0
A15
CE2
BWB
A1
A14
A17
NC
NC
A3
A2
A13
A16
A18
VDD DQ31 DQ30
VDD
VSS DQ29
DQ27 DQ28 VDD
DQ26 DQ25 VDD
NC
A4
A10
A8
A9
OE
DQ24 VSS
BWD
VDD
A5
A7
A12
WE
A6
A11
CE
BWC
VDD DQ8 VSS
VSS DQ9 DQ10
VSS DQ12 DQ11
DQ13 VDD VSS
DQ14 DQ15 VSS
VDD DQ23 VSS
DQ21 DQ22 VDD
DQ20 DQ19 VDD
VDD
VSS DQ18
VDD DQ16 DQ17
引脚说明
A0-A18
DQX
CE，
CE2
OE
WE
BWX
（ X = A -d）中
V
DD
VSS
NC
2
地址输入
数据I / O
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
字节写控制
动力
地
无连接
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
牧师00B
04/23/08
IS61WV51232ALL/ALS
IS61WV51232BLL/BLS
IS64WV51232BLL/BLS
真值表
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
H
我们BWA BWB BWC BWD
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
H
X
X
L
L
H
H
H
L
L
H
H
H
X
X
X
L
H
L
H
H
L
H
L
H
H
X
X
X
L
H
H
L
H
L
H
H
L
H
X
X
X
L
H
H
H
L
L
H
H
H
L
X
DQ
0-7
高-Z
高-Z
DQ
8-15
高-Z
高-Z
DQ
16-23
高-Z
高-Z
DQ
24-31
高-Z
高-Z
模式
掉电
掉电
阅读所有位
读字节A
只有位
读字节B
只有位
读字节
只有位
读字节
只有位
写的所有位
写字节A
只有位
写字节B
只有位
写字节
只有位
写字节
只有位
选择
输出
残
动力
(I
SB
)
(I
SB
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
(I
CC
)
数据输出数据输出数据输出数据输出
数据输出高阻
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DATA IN
DATA IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
高-Z
DATA IN
高-Z
DATA IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
高-Z
高-Z
DATA IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
高-Z
高-Z
DATA IN
高-Z
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
-0.5到V
DD
+ 0.5
-0.3 4.0
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性损坏
到设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 3.3V.
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
牧师00B
04/23/08
3
IS61WV51232ALL/ALS
IS61WV51232BLL/BLS
IS64WV51232BLL/BLS
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 5%
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.4V-3.6V
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
分钟。
1.8
—
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 1.65V-2.2V
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
DD
1.65-2.2V
1.65-2.2V
1.65-2.2V
1.65-2.2V
分钟。
1.4
—
1.4
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
DD
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度-2.0ns ） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度-2.0ns ） 。未经100％测试。
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
牧师00B
04/23/08
IS61WV51232ALL/ALS
IS61WV51232BLL/BLS
IS64WV51232BLL/BLS
高速
工作范围（V
DD
） （ IS61WV51232ALL ）
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
汽车
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
1.65V-2.2V
1.65V-2.2V
1.65V-2.2V
速度
20ns
20ns
20ns
工作范围（V
DD
） （ IS61WV51232BLL ）
(1)
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
(8 n
S
)
1
3.3V + 5%
3.3V + 5%
V
DD
(10 n
S
)
1
2.4V-3.6V
2.4V-3.6V
注意：
1.当在2.4V - 3.6V的范围内运行，该设备符合10ns的。当在3.3V ±5 ％的范围内运行，该设备满足
8ns.
工作范围（V
DD
） （ IS64WV51232BLL ）
范围
汽车
环境温度
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
(10 n
S
)
2.4V-3.6V
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-8
符号参数
I
CC
V
DD
工作动态
电源电流
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
110
115
—
85
90
—
30
35
—
20
25
—
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
85
90
110
30
35
70
20
25
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
45
55
90
30
35
70
20
25
60
mA
90
95
140
-20
分钟。马克斯。
—
—
—
50
60
100
单位
mA
I
CC
1
操作
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
I
SB
1
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 3.0V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
牧师00B
04/23/08
5
QQ：2881677436 复制
