IS61WV51216ALL
IS61WV51216BLL
IS64WV51216BLL
512K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
8，10， 20纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚更大
噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
OP-
系统蒸发散
CE
掉电
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单电源供电
V
DD
1.65V至2.2V （ IS61WV51216ALL ）
速度= 20ns，适合于V
DD
1.65V至2.2V
V
DD
2.4V至3.6V （ IS61 / 64WV51216BLL ）
速度= 10ns的为V
DD
2.4V至3.6V
速度=为8ns的V
DD
3.3V + 5%
??可用的软件包：
- 48球miniBGA （9毫米X 11毫米）
- 44引脚TSOP （ II型）
工业和汽车温度支持
无铅可
为上下字节的数据控制
2009年10月
描述
该
ISSI
IS61WV51216ALL / BLL和IS64WV51216BLL
是高速， 8M位静态RAM组织为512K
字由16位。它是使用制造
ISSI
的高perform-
ANCE CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产生高性
曼斯和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该器件采用符合JEDEC标准的44引脚
TSOP II型和48针Mini- BGA （9毫米X 11毫米） 。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS61WV51216ALL
IS61WV51216BLL
IS64WV51216BLL
48引脚小型BGA （ 9mmx11mm ）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VDD
I / O
14
I / O
15
A18
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
NC
I / O
0
I / O
2
VDD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A18
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
2
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IS61WV51216ALL
IS61WV51216BLL
IS64WV51216BLL
销刀豆网络gurations
44针TSOP （ II型）
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
A18
A14
A13
A12
A11
A10
引脚说明
A0-A18
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
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IS61WV51216BLL
IS64WV51216BLL
真值表
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
模式
未选择
输出禁用
读
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
-0.5到V
DD
+ 0.5
-0.3 4.0
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性损坏
到设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 3.3V.
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IS61WV51216ALL
IS61WV51216BLL
IS64WV51216BLL
工作范围（V
DD
） （ IS61WV51216ALL ）
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
汽车
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
(20 n
S
)
1.65V-2.2V
1.65V-2.2V
1.65V-2.2V
工作范围（V
DD
） （ IS61WV51216BLL ）
(1)
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
(8 n
S
)
3.3V + 5%
3.3V + 5%
V
DD
(10 n
S
)
2.4V-3.6V
2.4V-3.6V
注意：
1.当在2.4V - 3.6V的范围内运行，该设备符合10ns的。当在范围内操作
3.3V + 5 ％ ，该设备符合为8ns 。
工作范围（V
DD
） （ IS64WV51216BLL ）
范围
汽车
环境温度
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
(10 n
S
)
2.4V-3.6V
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