IS64WV3216BLL
IS61WV3216BLL
32K ×16高速CMOS静态RAM
ISSI
2005年11月
特点
高速存取时间：
12纳秒： 3.3V + 10 ％
15纳秒： 2.5V - 3.6V
CMOS低功耗运行：
50毫瓦（典型值）的操作
25 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
汽车应用温度
无铅可
描述
该
ISSI
IS61 / 64WV3216BLL是一个高速， 524,288位
静态RAM （16位）组织为32,768字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这加上inno-高度可靠的工艺
vative电路设计技术，产量存取时间
快为12ns （ 3.3V + 10 ％ ），并为15ns （ 2.5V - 3.6V ） ，低
功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
在IS61 / 64WV3216BLL打包在JEDEC标
准44针TSOP -II ，和48针微型BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
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1
IS64WV3216BLL
IS61WV3216BLL
销刀豆网络gurations
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
1
2
3
4
5
6
NC
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
ISSI
44针TSOP -II
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
NC
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
NC
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
引脚说明
A0-A14
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
2
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真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
V
DD
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
V
DD
与GND
价值
-0.5到V
DD
+0.5
-65到+150
1.5
-0.2到+3.9
单位
V
°C
W
V
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作范围（V
DD
)
范围
广告
产业
汽车
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
（ 15纳秒）
2.5V-3.6V
2.5V-3.6V
2.5V-3.6V
V
DD
（ 12纳秒）
3.3V + 10%
3.3V + 10%
3.3V + 10%
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DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.5V-3.6V
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
注意：
1.
V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
ISSI
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
分钟。
2.3
—
2.0
–0.3
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
–2
–2
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 10%
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
注意：
1.
V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
–2
–2
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电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
V
DD
工作动态
电源电流
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
选项
COM
.
IND
.
AUTO
ISSI
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
45
60
20
5
5
5
20
50
75
6
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
40
50
20
5
5
5
20
50
75
6
uA
单位
mA
典型值。
(2)
I
CC
1
工作电源
当前
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
DD
=最大，
IOUT = 0毫安， F = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM
.
IND
.
AUTO
COM
.
IND
.
AUTO
mA
典型值。
(2)
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 2.5V ，T
A
=25
o
C.未经100％测试。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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