IS61SF6436
64K ×36同步
FLOW-通过静态RAM
特点
快速访问时间： 8.5纳秒， 9 NS ， NS 10
内部自定时写周期
单个字节写入控制和全局写
时钟控制，注册地址，数据和
控制
奔腾或线性突发序列控制
使用MODE输入
三芯片使简单的深度扩张
和地址流水线
常见的数据输入和数据输出
由ZZ输入断电控制
JEDEC 100引脚TQFP和PQFP封装
+ 3.3V单电源供电
两个时钟使能和一个时钟禁用
消除多个银行总线争用。
控制引脚模式上电时：
- 模式的交错突发模式
- ZZ在正常操作模式
这些控制引脚可以连接到GND
Q
或V
CCQ
改变自己的电状态
ISSI
2001年4月
描述
该
ISSI
IS61SF6436是一种高速，低功耗的同步的
知性静态RAM设计为提供一个可破裂的，高
性能，为的i486 ，奔腾二级缓存，
680X0 和PowerPC 微处理器。它的组织结构
为65,536字由36位，与制作
ISSI
先进
CMOS技术。该器件集成了一个2位的突发计数器，
高速SRAM的核心，和高驱动能力输出到
一个单片电路。所有同步输入通过
由一个正边沿触发的单时钟控制寄存器
输入。
写周期是内部自定时的，由发起
时钟输入的上升沿。写周期可以是从1到
4个字节宽的写控制输入作为控制。
单独的字节使能允许写入单个字节。
BW1
控制DQP1和DQ1 - DQ8 ，
BW2
控制DQP2和
DQ9-DQ16,
BW3
控制DQP3和DQ17 - DQ24 ，
BW4
控制DQP4和DQ25 - DQ32 ，通过调节
BWE
存在
低。一个低电平
GW
输入会引起将要写入的所有字节。
连发可以启动或者
ADSP
（地址状态
处理器）或
ADSC
（地址状态缓存控制器）输入
销。随后的脉冲串地址可以产生互
应受由IS61SF6436和由受控
ADV
（突发
地址提前）输入引脚。
异步信号包括输出使能（OE ） ，休眠模式
输入（ZZ ） ，时钟（CLK）和突发模式输入（模式） 。一个高
输入的ZZ引脚放SRAM在掉电状态。
当ZZ被拉低（或无连接） ，则通常SRAM
之后的唤醒阶段的三个循环运行。一个低电平
输入，即，接地
Q
， MODE引脚上选择线性突发。 A V
CCQ
（或无连接） MODE引脚选择交错突发。
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2001年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
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1
IS61SF6436
框图
模式
Q0
A0'
ISSI
CLK
A0
CLK
二进制
计数器
ADV
ADSC
ADSP
CE
CLR
Q1
A1'
A1
64K ×36
内存
ARRAY
14
16
A15-A0
16
D
Q
地址
注册
CE
CLK
36
36
GW
BWE
BW4
DQP4
DQ31-DQ24
字节写
注册
CLK
D
Q
BW3
DQP3
Q
DQ23-DQ16
字节写
注册
CLK
D
BW2
DQP2
DQ15-DQ8
字节写
注册
CLK
D
Q
BW1
DQP1
Q
DQ8-DQ0
字节写
注册
CLK
D
FT
CE
CE2
CE2
D
Q
4
启用
注册
CE
CLK
输入
注册
CLK
OE
36
DATA[35.0]
D
Q
启用
延迟
注册
CLK
OE
2
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IS61SF6436
引脚配置
100引脚TQFP和PQFP （顶视图）
A6
A7
CE
CE2
BW4
BW3
BW2
BW1
CE2
VCC
GND
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
ISSI
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
DQP3
DQ17
DQ18
VCCQ
GNDQ
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
GNDQ
VCCQ
DQ23
DQ24
GNDQ
VCC
NC
GND
DQ25
DQ26
VCCQ
GNDQ
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
GNDQ
VCCQ
DQ31
DQ32
DQP4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQP2
DQ16
DQ15
VCCQ
GNDQ
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
GNDQ
VCCQ
DQ10
DQ9
GND
NC
VCC
ZZ
DQ8
DQ7
VCCQ
GNDQ
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GNDQ
VCCQ
DQ2
DQ1
DQP1
引脚说明
A0-A15
CLK
ADSP
ADSC
ADV
BW1-BW4
BWE
GW
CE，
CE2,
CE2
OE
地址输入
时钟
处理器地址状态
控制器地址状态
突发地址进展
同步字节写使能
字节写使能
全局写使能
同步芯片使能
OUTPUT ENABLE
GND
Q
DQ1-DQ32
DQP1-DQP4
ZZ
模式
V
CC
GND
V
CCQ
数据输入/输出
奇偶校验输入/输出
睡眠模式
突发序列模式
+ 3.3V电源
地
隔离输出缓冲器供应：
+3.3V
隔离输出缓冲地
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模式
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
3
IS61SF6436
真值表
手术
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
取消选择，掉电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
地址
二手
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
CE2
X
X
H
X
H
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CE2
X
L
X
L
X
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ADSP ADSC
X
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
L
X
X
L
L
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
ADV
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
写
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
ISSI
OE
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
高-Z
D
Q
高-Z
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
注意事项：
1.除非所有输入
OE
必须满足建立和保持时间的时钟（ CLK ）的低到高的转变。
2.等待状态，暂停爆裂插入。
3， X表示不关心。
写= L
是指任何一个或多个字节的写使能信号（ BW1 - BW4 ）和
BWE
不足或
GW
是低的。
写= H
意味着所有的字节写使能信号为高。
4.下列读操作写操作，
OE
输入数据所需的建立时间和保持高电平之前，必须为高电平
整个输入数据保持时间。
5.
ADSP
LOW总是在启动时钟的由低到高边缘的内部读。进行写操作，通过设置一个或多个执行
字节写使能信号，
BWE
或低
GW
低为时钟的后续L-H边缘。
部分真理表
功能
读
读
写字节1
写的所有字节
写的所有字节
GW
H
H
H
H
L
BWE
H
L
L
L
X
BW1
X
H
L
L
X
BW2
X
H
H
L
X
BW3
X
H
H
L
X
BW4
X
H
H
L
X
4
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IS61SF6436
交错突发地址表（ MODE = V
CCQ
或无连接）
外部地址
A1 A0
00
01
10
11
第一个突发地址
A1 A0
01
00
11
10
第二届突发地址
A1 A0
10
11
00
01
第三突发地址
A1 A0
11
10
01
00
ISSI
线性突发地址表（ MODE = GND
Q
)
0,0
A1', A0' = 1,1
0,1
1,0
绝对最大额定值
(1)
符号
T
BIAS
T
英镑
P
D
I
OUT
V
IN
, V
OUT
V
IN
V
CC
参数
在偏置温度
储存温度
功耗
输出电流（每个I / O）
电压相对于GND为I / O引脚
电压相对于GND为
对于地址和控制输入
在VCC电源Relatiive到GND电压
价值
单位
-10至+85
°C
-55到+150
°C
1.8
W
100
mA
-0.5到V
CCQ
+ 0.3
V
-0.5到5.5
V
-0.5到4.6
V
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.此设备包含迂曲，以防止损伤的投入，由于高静电压
或电场;然而，注意事项，可能要注意避免施加任何电压的高
超过最大额定电压，这个高阻抗电路。
3.该设备包含电路，这将确保在输出设备中高Z在加电时。
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