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72 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
QUAD (突发的4 )同步SRAM
7
Q
.
2009年11月
特点
2M
×36或
4M
x 18.
片延迟锁定环(DLL ),用于宽数据
有效的窗口。
独立的读写并发端口
读取和写入操作。
阅读后写操作同步管道
化。
双倍数据速率( DDR)接口,用于读取和
写输入端口。
修正了4位突发读取和写入操作。
时钟停止支持。
两个输入时钟( K和K)的地址和反对
控制登记处仅上升沿。
两个输入时钟( C和C ),数据输出CON-
控制。
提供工业级温度
两个回波时钟( CQ和
CQ )
被交付
同时数据。
+ 1.8V内核电源和1.5 , 1.8 V
DDQ
,
0.75 , 0.9V V使用
REF
.
HSTL输入和输出电平。
注册地址,读写控制,
字节写入,在数据和数据输出。
完整的数据一致性。
采用边界扫描组1149.1 JTAG有限
功能。
字节写能力。
精细球栅阵列( FBGA )封装
- 15毫米x17毫米的机身尺寸
- 1mm节距
- 165球( 11 ×15 )阵列
通过5倍的可编程阻抗输出驱动器
用户提供的精密电阻。
描述
72MB IS61QDB42M36
IS61QDB44M18
是同步的,高性
曼斯的CMOS静态随机存取存储器
(SRAM )器件。这些SRAM具有独立的I / O ,
省去高速总线的周转。
K时钟的上升沿启动读/写
操作和所有的内部操作是自定时的。
参阅
时序参考图的真相
在页
8
用于基本操作的说明
这些系统蒸发散
QUAD (突发的4 )
的SRAM 。
读写地址被登记在替代方案
内廷在K时钟的上升沿。读取和写入
在双倍数据速率被执行。以下是
在K的上升沿内部注册
时钟:
读/写地址
读使能
写使能
字节写入突发地址1和3
数据中的突发地址1和3
字节写入突发地址2和4
数据在突发地址2和4
字节写操作可以与相应的数据 - 更改
在使能或禁止对每个字节为基础的写操作。一
内部写缓冲区使数据项是寄存器
后的写入地址羊羔一个周期。第一
数据在突发的时钟的一个周期晚于写
指令信号,并且所述第二脉冲串被定时到
K个时钟的下一个上升沿。两个全
时钟周期需要完成写操作
化。
在所述猝发读操作,数据奏从
第一和第三突发被从输出更新
注册过的第二个和第四个上升沿
了C时钟(从1.5个周期后) 。数据奏
从第二和第四脉冲串与更新
了C时钟的第三个和第五个上升沿。在K
和K时钟所采用的数据奏当时─
曾经的C和C时钟高电平。两个完整的时钟
指令周期才能完成读操作
该器件采用+ 1.8V电源运作
供应并且与HSTL I / O接口相兼容。
上注册的上升沿以下
在K时钟:
集成的芯片解决方案,公司
启示录
B
11/10/09
1
3
72 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
Q
QUAD (突发的4 )同步SRAM
I
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
BW
1
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
SA
10
NC / SA *
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
X36引脚FBGA
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
NC / SA *
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
SA
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
2
BW
3
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
注意:
*本
为288MB 10A为144MB ,并2A :以下引脚被保留用于更高的密度。
X18引脚FBGA
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC / SA *
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
SA
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
SA
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
注意:
*本
为144MB 2A :以下引脚预留更高的密度。
2
集成的芯片解决方案,公司
启示录
B
11/10/09
72 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
QUAD (突发的4 )同步SRAM
引脚说明
符号
K, K
C, C
CQ , CQ
DOFF
SA
SA
D0–D8
D9–D17
D18–D26
D27–D35
Q0–Q8
Q9–Q17
Q18–Q26
Q27–Q35
D0–D8
D9–D17
Q0–Q8
Q9–Q17
W
R
6B ,6A
6P , 6R
11A, 1A
1H
3A,
图9A ,图4B, 8B ,5C ,7C, 5N, 6N, 7N ,4P , 5P , 7P , 8P ,3R,4R ,5R,
7R,
8R, 9R
引脚数
输入时钟。
输入时钟输出数据的控制。
输出回波时钟。
DLL禁用时低。
2M
×36的地址输入。
描述
10A,
图3A ,图9A,图4B, 8B ,5C ,7C, 5N, 6N, 7N ,4P , 5P , 7P , 8P , 3R,4R,
4M
×18的地址输入。
5R,
7R, 8R, 9R
10P , 11N ,11M, 10K, 11J ,11G ,10E ,11D ,11C
10N , 9M, 9L , 9J , 10G, 9F ,10D,如图9C所示, 9B
图3B ,3C, 2D ,3F ,2G, 3J, 3L ,3M, 2N
图1C ,1D, 2E, 1G, 1J, 2K ,1M, 1N ,2P
11P , 10M , 11L , 11K , 10J , 11F , 11E , 10C , 11B
9P , 9N , 10L , 9K , 9G , 10F , 9E , 9D , 10B
2B ,3D,3E ,2F ,3G, 3K, 2L, 3N ,3P
图1B ,2C ,1E, 1F, 2J , 1K , 1L ,2M, 1P
10P , 11N ,11M, 10K, 11J ,11G ,10E ,11D ,11C
图3B ,3C, 2D ,3F ,2G, 3J, 3L ,3M, 2N
11P , 10M , 11L , 11K , 10J , 11F , 11E , 10C , 11B
2B ,3D,3E ,2F ,3G, 3K, 2L, 3N ,3P
4A
8A
2M
×36的数据输入。
2M
×36的数据输出。
4M
×18的数据输入。
4M
×18的数据输出。
写控制,低电平有效。
读控制,低电平有效。
2M
×36字节的写控制,低电平有效。
4M
×18字节的写控制,低电平有效。
输入参考电平。
电源。
输出电源。
地面上。
输出驱动器阻抗控制。
IEEE 1149.1测试输入( 1.8V LVTTL列弗
ELS) 。
IEEE 1149.1测试输出( 1.8V LVTTL电平) 。
BW
0,
BW
1,
BW
2,
BW
3
图7B ,图7A ,图5A ,图5B
BW
0,
BW
1
V
REF
V
DD
V
DDQ
V
SS
ZQ
TMS , TDI , TCK
TDO
NC的X36
NC的X18
7B , 5A
2H, 10H
5楼, 7楼, 5G , 7G , 5H , 7H , 5J , 7J , 5K , 7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
图4C ,8C ,4D, 5D ,6D, 7D ,8D, 5E ,6E ,7E, 6F ,6G ,6H, 6J ,
6K ,5L, 6L ,7L ,4M, 5M ,6M, 7M ,8M, 4N, 8N
11H
10R, 11R, 2R
1R
图2A,图10A ,图6C
图2A,图7A ,1B, 5B ,9B, 10B ,1C ,2C ,6C, 9C ,1D, 9D ,10D, 1E ,2E,
9E , 1F , 9F , 10F , 1G , 9G , 10G , 1J , 2J , 9J , 1K , 2K , 9K , 1L , 9L ,
10L, 1M,2M ,9M ,1N , 9N , 10N , 1P ,
2P,
9P
集成的芯片解决方案,公司
启示录
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72 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
Q
QUAD (突发的4 )同步SRAM
I
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框图
D(数据输入)
36 (O R 18 )
数据
REG
72 (或36 )
72 (或36 )
WR ITE驱动程序
输出REG
72
(或36 )
144
(或72 )
WR ITE /读取解码
输出选择
地址
输出驱动器
19 (O R 20 )
添加
REG
19 (或20 )
36 (或18 )
Q (D ata-出)
CQ , CQ
( ECH 个时钟输出)
R
W
BW
x
K
K
C
C
4 (或2)
控制
逻辑
2M
x 36
( 4M ×18 )
内存
ARRAY
S恩瑟上午PS
72
(或36 )
个时钟
选择输出控制
SRAM特点
读操作
在SRAM中突发的四个模式连续运行。读周期由主动登记开始
低状态,在K个时钟的上升沿。 R能够被激活每隔一个周期,因为两个完整的周期是
完成突发的四个DDR模式所需。第二组时钟, C和C的,用于控制所述
定时来输出。一组自由运行回波时钟CQ和CQ ,在内部产生与时序
相同的数据奏。回波时钟可以被用作数据采集时钟的接收器装置。
当C和C的时钟都连接高时, K和K时钟假定这些时钟的功能。在这
情况下,对应于所述第一地址的数据由K个时钟的上升沿时钟1.5个周期之后。
对应于所述第二突发的数据的时钟频率2次以后通过在K的下一个上升沿
时钟。第三数据输出的时钟由K个时钟的后续上升沿,第四数据输出是
通过在K时钟的后续上升沿计时。
NOP操作(R高)不会终止先前的读取。
写操作
写操作也可以在K时钟时,W是低每隔上升沿启动。写
报告同时提供。再次,写入总是发生在四个脉冲串。
写数据是在一个“后写入”模式设置;即,在数据中对应于所述第一地址
爆,提出1个周期后或在以下K时钟的上升沿。该数据在对应于
第二次写突发地址如下接下来, K的上升沿第三数据中的时钟由注册
K个时钟,以及第四个数据项的后续上升沿的时钟由的后续的上升沿
一个K时钟。
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集成的芯片解决方案,公司
启示录
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72 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
Q
QUAD (突发的4 )同步SRAM
I
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提供的书面数据,在最初保存在写缓冲区。在这些缓冲器中的信息被写入到
在第三写周期的阵列。读周期的最后两个写地址和写数据的产生
缓冲区。 SRAM中的数据保持一致性。
在写时,字节写入独立控制,其中任何四个突发地址字节写入
(见
X18 / X36写真值表
在页
10
时序参考图的真值表
在页
8).
每当一个写入被禁止( W为高时的K上升沿)时,数据不写入存储器。
RQ可编程阻抗
一个外部电阻RQ ,必须连接的ZQ引脚之间的SRAM和V
SS
以使SRAM的
以调整其输出驱动器阻抗。 RQ的值必须是5倍的目标线路阻抗的值
由SRAM驱动。例如, 250Ω的结果在50Ω的驱动器阻抗相对定量。在允许的范围
RQ的保证阻抗匹配是175Ω和350Ω之间,与所述容差描述
可编程阻抗输出驱动器的直流电气特性
第16页RQ电阻上应
可不到两英寸远的地方放置从ZQ球SRAM模块上。所加载的电容
ZQ迹必须小于3 pF的。
的ZQ引脚也可以直接连接到V
DDQ
以获得的最小阻抗设置。 ZQ万勿
连接到V
SS
.
可编程阻抗和电要求
输出驱动器阻抗的定期调整是必要的,因为阻抗有很大的影响
漂移在电源电压和温度。在上电时,驱动阻抗是在允许的中间
阻抗值。最终的阻抗值内1024个时钟周期来实现的。
单时钟模式
该设备也可以运行在单时钟模式。在这种情况下, C和C两者都在连接高
上电时,必须永远不会改变。在这种条件下, K和K将控制输出定时。
无论是时钟对必须同时具有极性切换,绝不能连接到V
REF
的,因为它们不differ-
无穷区间的时钟
深度扩展
单独的输入和输出端口使能容易深度扩展,每个端口可被选择和取消选择
独立。读取和写入操作可以同时进行,而不会影响对方。此外,所有
待处理读取和写入数据总是前取消选择相应的端口完成。
在下面的应用实施例中,第二对C及C的时钟被延迟,使得所述返回数据
满足数据建立和保持时间的
存储器控制器。
集成的芯片解决方案,公司
启示录
B
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    -
    -
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联系人:刘先生
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