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72 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
QUAD (突发的2 )同步SRAM
.
A
五月
2009
特点
2M
×36或
4M
x 18.
片延迟锁定环(DLL ),用于宽数据
有效的窗口。
独立的读写并发端口
读取和写入操作。
读取与写入早期能操作同步管道
通报BULLETIN 。
双倍数据速率( DDR)接口,用于读取和
写输入端口。
修正了2位突发读取和写入操作。
时钟停止支持。
两个输入时钟( K和K)的地址和反对
控制登记处仅上升沿。
两个输入时钟( C和C ),数据输出CON-
控制。
两个回波时钟( CQ
和CQ )
被交付
同时数据。
+ 1.8V内核电源和1.5 , 1.8 V
DDQ
,
0.75 , 0.9V V使用
REF
.
HSTL输入和输出电平。
注册地址,读写控制,
字节写入,在数据和数据输出。
完整的数据一致性。
采用边界扫描组1149.1 JTAG有限
功能。
字节写能力。
精细球栅阵列( FBGA )封装
- 15毫米x17毫米的机身尺寸
- 1mm节距
- 165球( 11 ×15 )阵列
通过5倍的可编程阻抗输出驱动器
用户提供的精密电阻。
描述
72MB IS61QDB22M36
IS61QDB24M18
是同步的,高性
曼斯的CMOS静态随机存取存储器
(SRAM )器件。这些SRAM具有独立的I / O ,
省去高速总线的周转。
K时钟的上升沿启动读/写
操作和所有的内部操作是自定时的。
参阅
时序参考图的真相
在页
8
用于基本操作的说明
这些SRAM的系统蒸发散。
输入地址总线工作在双数据速率。
都在上升内部注册以下
在K时钟的边缘:
阅读地址
读使能
写使能
字节写入
数据在早期写
- 写地址
字节写入
数据为第二次爆裂地址
字节写操作可以与相应的数据 - 更改
在使能或禁止对每个字节为基础的写操作。一
内部写缓冲区使数据项是寄存器
羊羔半个周期早于写入地址。该
第一数据脉冲串中的时钟频率是相同的时间作为
写命令信号和所述第二脉冲串是定时
到第K个时钟的下一个上升沿。
在所述猝发读操作,数据奏从
在前一阵的更新,从输出寄存器关闭
了C时钟的第二个上升沿( 1.5个循环
更高版本)。数据奏从第二脉冲串是
更新与C时钟的第三个上升沿。该
K和K时钟被用于时间数据超时当时─
曾经的C和C时钟高电平。
该器件采用+ 1.8V电源运作
供应并且与HSTL I / O接口相兼容。
上注册的上升沿以下
在K时钟:
集成的芯片解决方案,公司
REV 。一
05/14/09
1
372MB ( 2M ×36 & 4M ×18 )
QUAD (突发的2 )同步SRAM
X36引脚FBGA
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
NC / SA *
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
NC / SA *
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
2
BW
3
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
BW
1
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
SA
10
NC / SA *
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
注* :
为288MB 10A为144MB ,并2A :以下引脚预留更高的密度。
X18引脚FBGA
( TOP VIEW )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC / SA *
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
SA
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
SA
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
注* :
下面的引脚是保留给高密度:为2A
144Mb.
2
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
05/14/09
372 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
QUAD (突发的2 )同步SRAM
ISSI
描述
输入时钟。
输入时钟输出数据的控制。
输出回波时钟。
DLL禁用时低。
2M ×36的地址输入。
4M ×18的地址输入。
引脚说明
符号
K, K
C, C
CQ , CQ
DOFF
SA
SA
D0–D8
D9–D17
D18–D26
D27–D35
Q0–Q8
Q9–Q17
Q18–Q26
Q27–Q35
D0–D8
D9–D17
Q0–Q8
Q9–Q17
W
R
6B ,6A
6P , 6R
11A, 1A
1H
图3A ,图9A,图4B ,8B, 5C ,6C ,7C, 5N, 6N, 7N ,4P , 5P , 7P , 8P
3R, 4R, 5R, 7R, 8R, 9R
图10A ,图3A ,图9A,图4B ,8B, 5C ,6C ,7C, 5N, 6N, 7N ,4P , 5P , 7P , 8P ,3R
4R, 5R, 7R, 8R, 9R
10P , 11N ,11M, 10K, 11J ,11G ,10E ,11D ,11C
10N , 9M, 9L , 9J , 10G, 9F ,10D,如图9C所示, 9B
图3B ,3C, 2D ,3F ,2G, 3J, 3L ,3M, 2N
图1C ,1D, 2E, 1G, 1J, 2K ,1M, 1N ,2P
11P , 10M , 11L , 11K , 10J , 11F , 11E , 10C , 11B
9P , 9N , 10L , 9K , 9G , 10F , 9E , 9D , 10B
2B ,3D,3E ,2F ,3G, 3K, 2L, 3N ,3P
图1B ,2C ,1E, 1F, 2J , 1K , 1L ,2M, 1P
10P , 11N ,11M, 10K, 11J ,11G ,10E ,11D ,11C
图3B ,3C, 2D ,3F ,2G, 3J, 3L ,3M, 2N
11P , 10M , 11L , 11K , 10J , 11F , 11E , 10C , 11B
2B ,3D,3E ,2F ,3G, 3K, 2L, 3N ,3P
4A
8A
引脚数
2M ×36的数据输入。
2M ×36的数据输出。
4M ×18的数据输入。
4M x 18位数据输出。
写控制,低电平有效。
读控制,低电平有效。
2M ×36字节的写控制,低电平有效。
4M ×18字节的写控制,低电平有效。
输入参考电平。
电源。
输出电源。
输出驱动器阻抗控制。
IEEE 1149.1测试输入( 1.8V LVTTL列弗
ELS) 。
IEEE 1149.1测试输出( 1.8V LVTTL电平) 。
2Mx36 ,无连接
BW
0,
BW
1,
BW
2,
BW
3
图7B ,图7A ,图5A ,图5B
BW
0,
BW
1
V
REF
V
DD
V
DDQ
V
SS
ZQ
TMS , TDI , TCK
TDO
NC
NC
7B , 5A
2H, 10H
5楼, 7楼, 5G , 7G , 5H , 7H , 5J , 7J , 5K , 7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
图4C ,8C ,4D, 5D ,6D, 7D ,8D, 5E ,6E ,7E, 6F ,6G ,6H, 6J ,
6K ,5L, 6L ,7L ,4M, 5M ,6M, 7M ,8M, 4N, 8N
11H
10R, 11R, 2R
1R
2A, 10A
图2A,图7A ,1B, 5B ,9B, 10B ,1C ,2C, 9C ,1D, 9D ,10D, 1E ,2E, 9E ,1F , 9F , 10F ,
4Mx18 ,无连接
1G , 9G , 10G , 1J , 2J , 9J , 1K , 2K , 9K , 1L , 9L , 10L , 1M , 2M , 9M , 1N , 9N , 10N ,
1P, 2P, 9P
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
启示录
A
05/14/09
3
372 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
QUAD (突发的2 )同步SRAM
ISSI
框图
D(数据输入)
36 (或18 )
数据
REG
36 (或18 )
36 (或18 )
写入驱动器
输出选择
写/读DECODE
72
(或36 )
输出REG
地址
R
W
BW
x
K
K
C
C
4 (或2)
控制
逻辑
2M
x 36
( 4M ×18 )
内存
ARRAY
检测放大器
72
(或36 )
输出驱动器
20
(或21 )
添加
REG
20
(或21 )
36 (或18 )
Q(数据输出)
CQ , CQ
(回波时钟输出)
时钟
选择输出控制
SRAM特点
读操作
在SRAM中突发的,两个模式下连续工作。读周期由主动登记开始
低状态,在K个时钟的上升沿。第二组时钟, C和C的,被用于控制的定时,以
的输出。一组自由运行回波时钟CQ和CQ ,在内部产生与时序相同
数据奏。回波时钟可以被用作数据采集时钟的接收器装置。
当C和C的时钟都连接高时, K和K时钟假定这些时钟的功能。在这
情况下,对应于所述第一地址的数据由K个时钟的上升沿时钟1.5个周期之后。
对应于所述第二突发的数据的时钟频率2次以后通过在K的下一个上升沿
时钟。
NOP操作(R高)不会终止先前的读取。
写操作
写操作也可以在K时钟时,W是低的每个上升沿启动。写
地址提供0.5个周期后,由K.同样的上升沿注册,在写总是发生在
连发两。
写数据中的“早期写”模式下提供的;即,在数据中对应于所述第一地址
脉冲串,呈现0.5个周期早期或在前面的K时钟的上升沿。的数据中对应
到第二写入猝发地址如下旁边,由K的上升沿注册
提供的书面数据,在最初保存在写缓冲区。在这些缓冲器中的信息被写入到
在随后的写周期的阵列。读周期的最后写地址和写数据的产生
缓冲区。类似地,一个读出地址,随后用相同的写地址产生的最新的写入数据。该
SRAM维护数据的一致性。
4
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
启示录
A
05/14/09
372 MB( 2M ×36 & 4M ×18 )
QUAD (突发的2 )同步SRAM
ISSI
在写时,字节写入独立控制,其中任何两个爆地址字节写入
(见
X18 / X36写真值表
在页
9
时序参考图的真值表
在页
8).
每当一个写入被禁止( W为高时的K上升沿)时,数据不写入存储器。
RQ可编程阻抗
一个外部电阻RQ ,必须连接的ZQ引脚之间的SRAM和V
SS
以使SRAM的
以调整其输出驱动器阻抗。 RQ的值必须是5倍的目标线路阻抗的值
由SRAM驱动。例如, 250Ω的结果在50Ω的驱动器阻抗相对定量。在允许的范围
RQ的保证阻抗匹配是175Ω和350Ω之间,与所述容差描述
可编程阻抗输出驱动器的直流电气特性
第13页的RQ电阻上应
可不到两英寸远的地方放置从ZQ球SRAM模块上。所加载的电容
ZQ迹必须小于3 pF的。
的ZQ引脚也可以直接连接到V
DDQ
以获得的最小阻抗设置。 ZQ万勿
连接到V
SS
.
可编程阻抗和电要求
输出驱动器阻抗的定期调整是必要的,因为阻抗有很大的影响
漂移在电源电压和温度。在上电时,驱动阻抗是在允许的中间
阻抗值。最终的阻抗值内1024个时钟周期来实现的。
单时钟模式
该设备也可以运行在单时钟模式。在这种情况下, C和C两者都在连接高
上电时,必须永远不会改变。在这种条件下, K和K将控制输出定时。
无论是时钟对必须同时具有极性切换,绝不能连接到V
REF
的,因为它们不differ-
无穷区间的时钟
深度扩展
单独的输入和输出端口使能容易深度扩展,每个端口可被选择和取消选择
独立。读取和写入操作可以同时进行,而不会影响对方。此外,所有
待处理读取和写入数据总是前取消选择相应的端口完成。
在下面的应用实施例中,第二对C及C的时钟被延迟,使得所述返回数据
满足数据建立和保持时间的
存储器控制器。
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
启示录
A
05/14/09
5
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    -
    -
    -
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0754-84460952
联系人:陈小姐
地址:广东省汕头市潮阳区贵屿镇湄州村三街一号
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21+
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BGA
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